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PRODUKTE

Saphir-Oblate

Saphir Wafer 2 " Durchmesser 50,8 mm ± 0,1 mm Dicke 350um C-Ebene

Saphir Wafer 4" Durchmesser 100mm±0,1mm Dicke 650um C-Fläche maßgeschneiderte Polierung

Saphirwafer 6'' Durchmesser 150mm±0,1mm Dicke 1000um C-Ebene

Saphirwafer 12' Durchmesser 250 mm ± 0,5 mm Dicke 1000 Um C-Plane DSP

2 "Saphirwafer, abseits der C-Achse in Richtung A-Ebene 2°, 430 μm Dicke, DSP/SSP

Saphir-Wafer abseits der C-Achse in Richtung M-Ebene 20° Al2O3 Dia 2"3"4"6"8"

Sic Substrat

4" 4H-Semi-Hochreine SIC-Wafer erstklassige Halbleiter EPI-Substrate AR-Gläser optische Qualität

HPSI-Hochreine SiC-Wafeln mit Halbdämmung von 2 × 3 × 4 × 6 × 8 × Prime/Dummy/Research Grade

4H 6inch SiC Epitaxial Wafer 100μm/200μm/300μm für MOS-Geräte mit Ultraschallspannung (UHV)

6-Zoll-Ultra-Hochspannungs-SiC-Epitaxialwafer 100 500 μm Für MOSFET-Geräte

Kundenspezifische quadratische optische Fenster, grüner Moissanit, SiC-Kristall, hohe Härte

2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4H-SiC Substrate 3C-N Typ MOS-Grad

Saphir optisches Windows

Ti: Saphirfenster und Schutz mit hoher Härte und transparenter Optik

Kleiner Durchmesser Anpassung Einzelkristall Saphir optische Fensterkreis

Ti:Saphirfenster für Laserinstrumenten Durchsichtiges Rot Doppelseitiges Polieren

angepasste Dia25.40* 15.00mm zylindrische, auf allen Seiten polierte Saphirlinse

KY Saphir Kristall Boule 200kg Mohs-Härte 9 Für Saphir Wafer Schnitt Hohe Transparenz

Kunststofffilm ZnSe Athermal Nachtsicht 8um Wärmebildaufnahme LWIR Brennweite 4mm 12mm

IC-Siliziumscheibe

Prüfen Sie Grad-monokristalline Siliziumscheibe, hohe Widerstandskraft-Siliziumscheibe

3 polierte Zoll-Durchmessers 76.2mm IC Siliziumscheibe, Simplex Siliziumscheibe

Schwarzes 8 Zoll IC-Siliziumscheibe-Silikon-Barren Polysilicon für Halbleiter-Prozess

Draht sah Maschine

Maschine zum Schneiden von Natursteinen mit mehreren Drähten

Sic Diamantdrahtschneidemaschine Präzisionsführung Sic Kristallstange Schneiden

Diamantdraht-Ein- oder Mehrfachdrahtsäge für die Verarbeitung von Halbleiterwafern

Synthetischer Saphir Rod

Elektronische Keramik-synthetischer Saphir Rod mit 99,999% Materialien Al2O3

Fixierter Quarz-Platte

4 Zoll Quarz Wafer Stärke Bereich 0,5 mm bis 1,5 mm Ra ≤ 0,5 nm

4-Zoll-Quarzwafer-Durchmesser 100 mm Fused-Silica-Wafer für die Halbleiterherstellung

3 Zoll Quarz-Wafertransmittanz optischer Qualität > 92% Halbleiterglassubstrate

3 Zoll Quarz Substrat Hochreine geschmolzener Siliziumwafer 76,2 mm Durchmesser JGS1/JGS2

2 Zoll Quarz-Wafer Hochreiner Quarzglas-Wafer Ultrahohe Transmission

Hochreine Quarzglasplatte mit lasergebohrten, kundenspezifisch geformten Durchgangslöchern

Saphir-Teile

EFG-Saphirröhre – Hochleistungs-Optik- und Industrieanwendungen

Saphir-Rohrlänge 50,8 mm Druckbeständig individuell angepasst Größe Einzelkristall Al2O3

Saphiroptisches Glasrohr Al2O3 Hohe Härte 9,0 Poliert

Anpassungsfähige KY-gewachsenen Saphirröhren Hohe Härte, poliert, überlegene thermische und mechanische Eigenschaften

Anpassungsfähige Saphirröhren EGS-Methode 10 mm ≈ 100 mm poliert

Korrosionsbeständige Thermoelement-Schutz-Rohre transparente Sapphire Glass Pipe

Synthetischer Edelstein

YAG Yttrium-Aluminium-Granat Labor-Gewächsene Freischneidung Lila Saphir Kristall Edelstein Material Dope Neodym-Ionen

YAG Yttrium-Aluminium-Granat Smaragd-Edelsteine von hoher Qualität Kristall-Roh

Kunstfarbige Edelsteine Moissanit SIC Rohstoffe Rohrohl Blau weniger Blasen Hochglanz

Synthetischer Saphir Rohrosa Farbe Lockersteine Laborgewachsenen kundenspezifischen farbigen Edelsteinen für Schmuckherstellung

Pink synthetischer Saphir Al2O3 Rohstoffe Schmuckindustrie Hohe Härte Mohs-Härte 9 Aufwändige Verarbeitung

Synthetisch gefärbter Saphir, Laborgewachsen, Rohstoff aus einem einzigen Kristall.

Halbleiter-Ausrüstung

Horizontale Wafer-Pod 4"5"6"8"12" PP-Material Wafer-Transporter mit Schaumkissen

Horizontale Wafer-Trägerbox 8" 12" Sicherer Transporter RoHS

Mikro-Jet-Laser-Ausrüstung für das Abrunden von Silikonkarbid-Wafer und das Aufteilen von Wafer auf Silikonbasis

6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll LPCVD Oxidationsofen für einheitliche Dünnschichtdeposition

Vollautomatische Präzisions-Säge-Ausrüstung für das Schneiden von Wafern mit 8 bis 12 Zoll

Infrarot-Picosekunden-Doppelplattform-Laserschneidegeräte zur Verarbeitung von Saphir/Quarz/optischem Glas

Oblate LiNbO3

Optische Glas-kundengebundene quadratische Größen-Doppelt-Seite des Fenster-LiTaO3 poliert

Drei Farblithium Tantalate-Oblaten, Oblate Litao3 für sahen und optisch

Indium-Phosphid-Oblate

N / P schreiben Germanium-Oblate, Germanium-Optik-Platten-Durchmesser 0,5 | 150mm

Platten-Indium-Phosphid-Oblaten-ausgezeichnetes Halbleiter-Material GEs optische

Primär-/blinde Grad-Indium-Phosphid-Oblaten-Stärke 350um für LD

3,58 Oblaten-Magnesium-Oxid-Kristall-Substrat Dichte-MgO-Substrat-/MgO

keramisches Substrat

Aluminium-Keramik-Fork Hand-Hochpräzisionsbearbeitung Keramik-Manipulator Hohe Härte Korrosionsbeständigkeit

TGV (Through-Glass Via) Technologie Hochwertiges Borosilikatglasquarz

Durchmesser 10 mm SiC Keramikkugel Hohe Temperaturbeständigkeit Hohe Härte Material

Kundengebundenes Zirkoniumdioxid ZrO2 keramischer Rod High Wear Resistance

SSIC Gleitringdichtung Ring Alumina Ceramic Substrate sic

Der Tonerde-Al2O3 keramische hohe Korrosionsbeständigkeit Substrat-des Durchmesser-150mm

Laborverpackung

Gallium-Nitrid-Oblate

Gallium-Nitrid GaN AlN 2inch 4Inch Schablonen-Oblate auf Saphir, Si-Substrate

Undoped halb- isolierende Gallium-Nitrid-Oblate HVPE und Schablonen-Art

GaN-Schablone wachsen Saphir-Trägersubstrat-Chip-Gewohnheits-Orientierung der Anwendungs-SSP

HVPE-Gallium-Nitrid GaN-Oblate, Gan-Chip-freie Stellung 10 x 10 Millimeter-Größe

Halbleiter-Gallium-Nitrid-Wafer, GaN-Substrat-Schablone N - Art - 2 Zoll

GaAs-Oblate

N - Schreiben Sie Galliumarsenid-Wafer GaAs einzelner Kristall-Substrate 2 - 6 Zoll

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