6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll LPCVD Oxidationsofen für einheitliche Dünnschichtdeposition

Zusammenfassung des LPCVD-Oxidationsöfen

6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll LPCVD Oxidationsofen für einheitliche Dünnschichtdeposition

LPCVD-Systeme (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) dienen als kritische Dünnschicht-Depositionsausrüstung in der Halbleiterherstellung, hauptsächlich für den Anbau von Polysilicium, Siliziumnitrid,und SiliziumoxidfolienZu den wichtigsten Vorteilen der Technologie gehören:

1) Niederdruckumgebung (0,1-10 Torr), die eine außergewöhnliche Filmgleichheit innerhalb von ±1,5% gewährleistet;

2) Vertikaler Reaktorentwurf, der eine hohe Durchsatzleistung von 150-200 Wafern pro Charge ermöglicht;

3) thermisch aktivierte Ablagerung bei 300-800°C ohne Plasmaverletzung, was sie besonders für Präzisionsverfahren wie die dielektrische Schließung von Toren geeignet macht.

Diese Technologie wurde in der fortgeschrittenen Knotenfertigung (5nm und darüber hinaus) sowohl für Logikchips als auch für Speichergeräte weit verbreitet.

The LPCVD process operates under reduced pressure conditions where the extended mean free path of gas molecules (significantly greater than at atmospheric pressure) contributes to superior film uniformityDie vertikale Waferanordnung maximiert nicht nur die Chargenkapazität, sondern erhöht auch die Produktionseffizienz, wodurch das System ideal für die Herstellung von Halbleitern im industriellen Maßstab geeignet ist.

LPCVD-OxidationsöfenSpezifikationen

Produktmerkmale von LPCVD-Geräten:

*Automatisierte Bedienung mit hochpräziser Waferbearbeitung

*Ultra-reine Prozesskammer mit minimalem Partikelverunreinigung

*Überlegene Filmdicke-Einheitlichkeit

*Intelligente Temperaturregelung mit Echtzeiteinstellung

*SiC-Waferunterstützung für reduzierte Reibung und Partikelbildung

*Automatische Druckregelung für eine gleichbleibende Prozessleistung

*Anpassungsfähige Konfigurationen für verschiedene Prozessanforderungen

LPCVD-Ablagerungsgrundsatz:

1Gas-Einführung: Reaktionsgase werden in das Rohr eingeführt, wobei eine für die Reaktion notwendige Niederdruckumgebung im Rohr aufrechterhalten wird, die typischerweise zwischen 0,25 und 1 Torr liegt.

2- Oberflächentransport von Reaktanten: Unter Niederdruckbedingungen können sich Reaktanten frei auf der Waferoberfläche bewegen.

3. Reaktionsmittel Adsorption auf Substratoberfläche: Reaktionsstoffe haften an der Substratoberfläche.

4Chemische Reaktion auf der Waferoberfläche: Die Reaktionsstoffe unterliegen thermischer Zersetzung oder Reaktion auf der Waferoberfläche und bilden Produkte.

5. Entfernung von Nichtproduktgasen: Andere Gase als die Reaktionsprodukte werden von der Oberfläche entfernt, um die Niederdruckumgebung aufrechtzuerhalten und Störungen des Ablagerungsprozesses zu vermeiden.

6. Akkumulation von Reaktionsprodukten zur Bildung von Folien: Die Reaktionsprodukte sammeln sich auf der Oberfläche an und bilden einen festen Film.

Anwendung des Oxidationsprozesses

Siliziumdioxid (SiO2) hat zahlreiche Anwendungen:

1Schirm-Oxid-Schicht: Es dient als Barriere, um eine Kontamination der Siliziumwafer zu verhindern, indem es den Photoresist blockiert.Und es kann auch Ionen zerstreuen, bevor sie in das Einzelkristall Silizium gelangen, um Kanalisierungseffekte zu reduzieren..

2. Pad Oxid Schicht: Diese Schicht wird verwendet, um die Spannung zwischen Silizium und Siliziumnitrid zu reduzieren.Die Zugkraft von bis zu 10^10 dyn/cm2 der LPCVD-Siliziumnitrid-Schichten könnte Risse oder sogar Bruch in Siliziumwafern verursachen..

3Gate Oxid-Schicht: Als die dielektrische Schicht in MOS-Strukturen dient, ermöglicht sie Stromleitungen und führt Feldwirkungskontrolle durch.

BearbeitungswirkungLPCVD-Oxidationsöfen