Saphirwafer 6'' Durchmesser 150mm±0,1mm Dicke 1000um C-Ebene

Saphir-Wafer 6" Durchmesser 150 mm ± 0,1 mm Dicke 1000 um C-Ebene 99,99 % rein

Unsere Saphir-Wafer mit 6 Zoll Durchmesser sind präzisionsgefertigte Einkristall-Al₂O₃-Substrate, die für anspruchsvolle Halbleiteranwendungen konzipiert sind. Mit strenger Durchmesserregelung bei 150,0 ± 0,1 mm und einer Standarddicke von 1000 ± 15 µm bieten diese C-Ebenen (0001) orientierten Wafer eine außergewöhnliche Leistung für:

• GaN-basierte LED- und Leistungsbauelemente-Produktion
• Hochfrequenz-HF-Komponenten
• Fortschrittliche optische Systeme

Spezifikationen

Anwendungen von Saphir-Wafern

Saphir-Wafer in der Optoelektronik

• Micro-LED-Displays
• UV-Sterilisationsgeräte
• Hochhelligkeitsbeleuchtung

Saphir-Wafer in der Leistungselektronik

• GaN-HEMTs für 5G/6G
• EV-Leistungsmodule
• Radarsysteme

Saphir-Wafer in neuen Technologien

• Quantenpunkt-Bauelemente
• MEMS-Resonatoren
• Photonische Sensoren

WICHTIGE Merkmale von Saphir-Wafer

1. Überlegene thermische Leistung von Saphir-Wafern

• Hohe Wärmeleitfähigkeit: 35 W/m·K @25°C
• Geringer CTE: 5,3 × 10⁻⁶/K (25-500°C)
• Thermisch schockbeständig: Hält ΔT >500°C stand

2. Optische Exzellenz von Saphir-WafernBreitbandübertragung: 85 % @250 nm → 92 % @450 nm → 90 % @4000 nm

• Minimale Doppelbrechung:
• <3 nm/cm @633 nmLaser-Politur: PV
• <λ/4 @633 nm3. Mechanische Robustheit von Saphir-Wafern

Extreme Härte: 2000 HV (Mohs 9)Hohe Biegefestigkeit: 700 ± 50 MPa

• Youngscher Modul: 400 GPa
• 4. Fertigungsvorteile von Saphir-Wafern
• Durchmesserregelung: 150,0 ± 0,1 mm (kompatibel mit 6"-Werkzeugen)

Dickenoptionen: 430-1000 µm verfügbarKantenprofilierung: Gekerbt oder laserbeschriftet gemäß SEMI-Standards

• Herstellungsprozess von Saphir-Wafern
• 1. Orientierung: Die Position des Saphirkristallstabs auf der Schneidemaschine genau lokalisieren, um eine präzise Schneidbearbeitung zu erleichtern
• 2. Schneiden: Den Saphirkristallstab in dünne Wafer schneiden

3. Schleifen: Die durch das Schneiden verursachte Beschädigungsschicht entfernen und die Ebenheit des Wafers verbessern

4. Anfasen: Die Waferkante in einen Kreisbogen trimmen, um die mechanische Festigkeit der Waferkante zu verbessern und die durch Spannungskonzentration verursachten Defekte zu vermeiden

5. Polieren: Die Rauheit des Wafers verbessern, um die Präzision des Epitaxie-Wafers zu erreichen

6. Reinigung: Die Verunreinigungen auf der Waferoberfläche entfernen (z. B. Staubpartikel, Metalle, organische Verunreinigungen)

7. Qualitätskontrolle: Die Qualität des Wafers (Ebenheit, Oberflächenstaubpartikel usw.) wird mit hochpräzisen Testinstrumenten geprüft, um die Kundenanforderungen zu erfüllen