Produkt-Details
Herkunftsort: China
Markenname: zmsh
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Material: |
> 99,99% Saphir |
Orientierung: |
C-Ebene ((0001) |
Diamater: |
150 ± 0,2 mm |
Stärke: |
1000±10um |
Warpgeschwindigkeit: |
≤ 20um |
Verbeugen: |
-15um≤BOW≤0 |
TTV: |
< 10="" um=""> |
Polstert: |
ssp oder dsp |
Material: |
> 99,99% Saphir |
Orientierung: |
C-Ebene ((0001) |
Diamater: |
150 ± 0,2 mm |
Stärke: |
1000±10um |
Warpgeschwindigkeit: |
≤ 20um |
Verbeugen: |
-15um≤BOW≤0 |
TTV: |
< 10="" um=""> |
Polstert: |
ssp oder dsp |
Saphir Wafer 6" Durchmesser 150mm±0,1mm Dicke 1000um C-Ebene 99,99% rein
Unsere 6-Zoll-Durchmesser-Saphir-Wafer sind präzise konstruierte Einzelkristall-Al2O3-Substrate, die für anspruchsvolle Halbleiteranwendungen entwickelt wurden.1 mm und Standarddicke von 1000±15 μm, bieten diese C-Fläche (0001) orientierten Wafer außergewöhnliche Leistungen für:
Spezifikationen
Parameter |
Spezifikation |
---|---|
Durchmesser | 150.0 ± 0,1 mm |
Stärke | 1000 ± 10 μm |
Orientierung | (0001) ±0,15° |
TTV | < 10 μm |
Warpgeschwindigkeit | ≤ 20 μm |
Verbeugen | -15um≤BOW≤0 |
Warpgeschwindigkeit | < 10 μm |
Anwendungen
Optoelektronik
Elektroelektronik
Neue Technologien
SchlüsselfaktorenSaphirwafer
1. Überlegene thermische Leistung
2Optische Exzellenz
3Mechanische Robustheit
4. Herstellungsvorteile
Häufig gestellte Fragen
F: 1. Wie sollen Wafer behandelt und gelagert werden?
F: 2 Bestellinformationen
Standardkonfigurationen