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China Kupfer-Wärmebecken-Substrat Flachboden-Pin-Typ Hochleistungs-elektronische Vorrichtung Cu≥99,9% distributeur
Kupfer-Wärmebecken-Substrat Flachboden-Pin-Typ Hochleistungs-elektronische Vorrichtung Cu≥99,9%

Indium-Phosphid-Oblate

(34)
China Kupfer-Wärmebecken-Substrat Flachboden-Pin-Typ Hochleistungs-elektronische Vorrichtung Cu≥99,9% Fabrik

Kupfer-Wärmebecken-Substrat Flachboden-Pin-Typ Hochleistungs-elektronische Vorrichtung Cu≥99,9%
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Zusammenfassung von cOberwärmeabnehmer-Substrat Kupfer-Wärmebecken-Substrat Flachboden-Pin-Typ Hochleistungs-elektronische Vorrichtung Cu≥99,9% Kupfer-Wärmeabwassersubstrat ist ein Wärmeverteilungselement aus ... Lesen Sie weiter
2025-04-14 17:37:13
China InAs Indium Arsenid2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Einzelkristall Substrat N/P Typ Halbleiter Wafer Dicke 300-800um Fabrik

InAs Indium Arsenid2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Einzelkristall Substrat N/P Typ Halbleiter Wafer Dicke 300-800um
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Beschreibung des Produkts InAs Indium Arsenid2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Einzelkristall Substrat N/P Typ Halbleiter Wafer Dicke 300-800um Indium InAs oder Indiumarsenid monolithisch ist ein Halbleiter, der aus Indium ... Lesen Sie weiter
2024-12-05 11:57:01
China Germaniumsubstrat GE Flachfensteroptische Linsen Wärmebildgebung Anwendungen und Infrarotspektroskopie Hohe Härte Fabrik

Germaniumsubstrat GE Flachfensteroptische Linsen Wärmebildgebung Anwendungen und Infrarotspektroskopie Hohe Härte
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Beschreibung des Produkts Germaniumsubstrat GE Flachfenster Optiklinsen Thermische Bildgebung Anwendungen und Infrarotspektroskopie Hohe Härte Germaniumfenster (Ge) ist ein chemisch inertes Material mit einem ... Lesen Sie weiter
2024-11-18 10:47:17
China Ge-Germanium Wafer Halbleiter Substrate <111> Konzentrierende Photovoltaik CPV Fabrik

Ge-Germanium Wafer Halbleiter Substrate <111> Konzentrierende Photovoltaik CPV
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Beschreibung des Produkts Halbleiter-Substrate aus Ge-Germanium-Wafern < 111> zur Konzentration von CPV-Photovoltaik Germanium hat gute Halbleiter-Eigenschaften. Hochreines Germanium wird mit trivalenten ... Lesen Sie weiter
2024-11-18 10:47:17
China Magnesiumoxid Reinheit 95% MgO Film Substrat 5x5 10x10 20x20 Dicke 0,5 mm 1,0 mm Ausrichtung &lt;001&gt; &lt;110&gt; &lt;111&gt; Fabrik

Magnesiumoxid Reinheit 95% MgO Film Substrat 5x5 10x10 20x20 Dicke 0,5 mm 1,0 mm Ausrichtung <001> <110> <111>
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Magnesiumoxid Reinheit 95% MgO-Filmsubstrat 5x5 10x10 20x20 Dicke 0,5 mm 1,0 mm Ausrichtung Beschreibung des Produkts: Einzigkristall des Magnesiumoxids (MgO) aus dünnfilmigem Substrat ist ein hochwertiges ... Lesen Sie weiter
2024-11-18 10:47:16
China InP Laser Epitaxial Wafer Indium Phosphid Wafer DFB/EML Expitaxial Wafer für intelligente Sensorik Fabrik

InP Laser Epitaxial Wafer Indium Phosphid Wafer DFB/EML Expitaxial Wafer für intelligente Sensorik
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2 Zoll Halbisolierende Indiumphosphid InP Epitaxial Wafer für LD Laser Diode, Halbleiter Epitaxial Wafer, 3 Zoll InP Wafer, Einzelkristall Wafer 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll InP Substrate für LD Anwendung,Halbleiterwaf... Lesen Sie weiter
2024-09-10 15:33:01
China InAs Wafer Doped Zn 2 Zoll Indium-Arsenid Wafer Dia 50mm Dicke 500um &lt;100&gt; angepasst Fabrik

InAs Wafer Doped Zn 2 Zoll Indium-Arsenid Wafer Dia 50mm Dicke 500um <100> angepasst
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2 Zoll Indium Arsenid Wafer InAs Epitaxial Wafer für LD Laser Diode, Halbleiter epitaxial Wafer, 3 Zoll InAs-Zn Wafer,InAs Einzelkristallwafer 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll InAs-Zn Substrate für LD Anwendung, Halbleiter... Lesen Sie weiter
2024-09-10 15:33:00
China DFB Wafer N-InP Substrat Epiwafer aktive Schicht InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 Zoll für Gassensor Fabrik

DFB Wafer N-InP Substrat Epiwafer aktive Schicht InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 Zoll für Gassensor
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DFB Wafer N-InP Substrat Epiwafer aktive Schicht InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 Zoll für Gassensor DFB Wafer N-InP Substrat Epiwafer Brief Eine Distributed Feedback (DFB) -Wafer auf einem Indiumphosphat (N-InP) ... Lesen Sie weiter
2024-09-10 15:33:00
China DFB Epiwafer InP Substrat MOCVD Methode 2 4 6 Zoll Betriebswellenlänge 1,3 μm, 1,55 μm Fabrik

DFB Epiwafer InP Substrat MOCVD Methode 2 4 6 Zoll Betriebswellenlänge 1,3 μm, 1,55 μm
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DFB Epiwafer InP Substrat MOCVD Methode 2 4 6 Zoll Betriebswellenlänge: 1,3 μm, 1,55 μm DFB Epiwafer InP Substrate's Brief DFB (Distributed Feedback) Epiwafer auf Indiumphosphat (InP) -Substraten sind Schl... Lesen Sie weiter
2024-09-10 15:33:00
China FP Epiwafer InP Substrat Kontaktschicht InGaAsP Dia 2 3 4 Zoll für OCT 1,3um Wellenlänge Band Fabrik

FP Epiwafer InP Substrat Kontaktschicht InGaAsP Dia 2 3 4 Zoll für OCT 1,3um Wellenlänge Band
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FP Epiwafer InP Substrat Kontaktschicht InGaAsP Dia 2 3 4 Zoll für OCT 1,3um Wellenlänge Band FP-Epiwafer InP-Substrat-Brief Fabry-Perot (FP) Epiwafer auf Indiumphosphat (InP) Substraten sind Schlüsselkomponent... Lesen Sie weiter
2024-09-10 15:33:00
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Sic Substrat

Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic

2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter

4H-SEMI polierte sic Oblatenlinse 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 Härte für Gerät-Material

Saphir-Oblate

Windows-Special-Orientierung des Halbleiterwafer-kundenspezifische Saphir-Glas-/Saphir

Saphir-Wafer Dicke 0,43 mm Saphir-Komponenten individuell angepasst Größe und Ausrichtung

Quadratische Saphir-Oblate/Saphir-Kristallglas 10x10mm 5x5mm für optische Linse

2°Off C - Achsen-synthetischer Saphir Glas-Epi - bereiter Zoll Durchmesser 50.8mm der Substrat-2

Gallium-Nitrid-Oblate

Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um

2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt

Schablone 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN auf Saphirc$epi-oblate AlN-Auf-Saphiroblate

Gallium-Nitrid GaN AlN 2inch 4Inch Schablonen-Oblate auf Saphir, Si-Substrate

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