SICOI Wafer Übersicht 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll SICOI Wafer 4H-SiC auf Isolator 100 bis 150 mm SiC-Film AUF Silizium Merkmalskategorie Spezifische Parameter/Leistung Technische Vorteile Materialstruktur SiC... Lesen Sie weiter

2025-08-14 11:19:19

2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4H-SiC Substrate 3C-N Typ MOS-Grad
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Übersicht über 3C-SiC-Substrate 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC-Substrate 3C-N Typ MOS Grade 3C-N-Typ Siliziumkarbid (3C-SiC)-Substrat ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke, das auf ... Lesen Sie weiter

2025-08-14 11:19:17

3C-SiC-Substrat, N-Typ, Produktqualität für 5G-Kommunikation
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Produktbeschreibung für 3C-SiC-Substrat 3C-SiC-Substrat N-Typ Produktqualität für 5G-Kommunikation ZMSH ist auf die FuE und Produktion von Halbleitermaterialien der dritten Generation spezialisiert und verfügt ... Lesen Sie weiter

2025-08-14 11:19:16

Hochreines Siliziumcarbid (SiC) Pulver 99,9999% (6N) HPSI Typ 100μm Partikelgröße SIC Kristallwachstum
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Abstract Hochreines Siliziumcarbid (SiC) Pulver 99,9999% (6N) HPSI Typ 100μm Partikelgröße SIC Kristallwachstum Siliziumkarbidpulver (SiC) als Kernmaterial für Halbleiter der dritten Generation weist eine hohe ... Lesen Sie weiter

2025-08-14 11:19:05

6 Zoll 8 Zoll 4H-SEMI SiC Substrat für AR-Brillen, optische Qualität
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6 Zoll 8 Zoll 4H-SEMI SiC Substrat Übersicht Optische Güte 6 Zoll 8 Zoll 4H-SEMI Typ SiC Substrat für AR-Brillen Ein revolutionäres optisches 4H-SiC-Substrat, das speziell für AR-Brillen entwickelt ... Lesen Sie weiter

2025-08-08 11:34:11

6-Zoll 4H-SEMI SiC-Substrat für AR-Brillen und 5G-HF-Geräte
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6-Zoll 4H-SEMI SiC-Substrat Übersicht 6-Zoll 4H-SEMI SiC-Substrat für AR-Brillen Das 6-Zoll 4H-SEMI Siliziumkarbid (4H-SiC)-Substrat ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke, das auf der hexagonalen ... Lesen Sie weiter

2025-08-08 11:34:11

4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik
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SiC-Substrat 10 × 10 mm Produktübersicht 4H-N Typ SiC Substrat 10×10mm Kleine Wafer anpassbare Form und Abmessungen Die SiC 10×10 kleine Wafer ist ein hochleistungsfähiges Halbleiterprodukt, das auf der ... Lesen Sie weiter

2025-07-31 09:09:08

8-Zoll SiC Epitaxiesubstrat MOS-Güte Prime Grade 4H-N Typ Großer Durchmesser
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Zusammenfassung des Produkts von 8 Zoll SiC-Epitaxialwafer 8 Zoll SiC-Epitaxialsubstrat MOS-Grad Prime-Grad 4H-N-Typ großer Durchmesser Als entscheidende Voraussetzung für die Entwicklung von Halbleitern der ... Lesen Sie weiter

2025-07-28 15:29:25

8-Zoll SiC Epitaxie-Wafer Durchmesser 200mm Dicke 500µm 4H-N Typ
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Zusammenfassung des Produkts von 8 Zoll SiC-Epitaxialwafer 8 Zoll SiC Epitaxial Wafer Durchmesser 200 mm Dicke 500 μm 4H-N Typ Als Kernmateriallieferant in Chinas SiC-Industrie-Kette entwickelt ZMSH unabhängig ... Lesen Sie weiter

2025-07-28 15:29:25

2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Produktionsqualität
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2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll und 6 Zoll SiC-Epitaxialwafer - Übersicht 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll SiC Epitaxial Wafers 4H-N Produktionsgrad Firmenprofil: Als führender Anbieter von SiC (Silicon Carbide) -Epitaxialwaf... Lesen Sie weiter

2025-07-07 09:38:23

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