Saphir Wafer 8'' Durchmesser 200mm±0,2mm Dicke 725µm C-Ebene SSP,DSP Härte 9,0

8" Saphirwafer 200 mm Durchmesser (± 0,2 mm), 725 μm Dicke, C-Plane SSP, DSP

Diese hochreine 8-Zoll- (200 mm) Saphirwafer verfügt über außergewöhnliche Maßgenauigkeit (± 0,2 mm Durchmesser, 725 μm Dicke) und kristallographische Ausrichtung (C-Ebene),so dass es ideal für anspruchsvolle optoelektronische und Halbleiteranwendungen geeignet istMit einer Reinheit von 99,99% und einer überlegenen mechanischen/thermischen Stabilität dient die Wafer als optimales Substrat für die Herstellung von LED-, Laserdioden- und HF-Geräten.Die einheitliche Oberflächenbeschichtung und die chemische Trägheit sorgen für eine zuverlässige Ausführung in rauen Umgebungen, während sein großer Durchmesser eine kostengünstige Massenproduktion ermöglicht.

Wesentliche Merkmale von Saphirwafern

Die präzise Geometrie der Saphirwafer:

• Durchmesser: 200 mm ± 0,2 mm, um die Kompatibilität mit Standard-Halbleiterwerkzeugen zu gewährleisten.
• "Technologie" für die "Herstellung" oder "Produktion" von Geräten oder Geräten, die als "technische Geräte" oder "technische Geräte" bezeichnet werden.

Die Sapphire WaferUltra-hohe Reinheit:

• > 99,99% (4N) Reinheit, so dass Verunreinigungen, die die optische/elektrische Leistung beeinträchtigen, minimiert werden.

Die Sapphire WaferRobuste Materialeigenschaften:

• Härte: 9 Mohs, Kratzbeständigkeit für eine hohe Haltbarkeit.
• Thermische Stabilität: Schmelzpunkt ~ 2,050°C, geeignet für Hochtemperaturverfahren.
• Optische Transparenz: 85%+ im sichtbaren bis nahe IR-Spektrum (350nm ∼4500nm).

Die Sapphire WaferOberflächenqualität:

• Epitaxy-fähige Polierung: Ra < 0,3 nm für defektfreie Dünnschichtdeposition.
• Optionale doppelseitige Polierung auf Anfrage.

Anwendungen von Saphirwaferbildern

Saphirwafer in der Optoelektronik:

Substrat für blaue/grüne/weiße LEDs (InGaN/GaN-Epitaxie).

Laserdioden (Kanten-Emissions-/VCSEL-Dioden) in Anzeigen und Kommunikation.

Saphirwafer in Leistungselektronik:

HF-Geräte (5G/6G-Antennen, Leistungsverstärker) aufgrund des geringen dielektrischen Verlustes.

Transistoren mit hoher Elektronenmobilität (HEMT) für Elektrofahrzeuge.

Saphirwafer in Industrie und Verteidigung:

IR-Fenster, Raketenkuppeln (Saphir-Transparenz bis zur mittleren IR).

Schutzdeckel für Sensoren in korrosiven/abrasiven Umgebungen.

Saphirwafer in Neue Technologien:

Quantenrechner (SPD-Kristallsubstrate).

Tragbare Gerätebildschirme (kratzfeste Abdeckungen).

Spezifikationen

Fabrikgeräte