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China Hochreine SiC-keramische Isoliersubstrate, hochtemperaturbeständig distributeur
Hochreine SiC-keramische Isoliersubstrate, hochtemperaturbeständig

keramisches Substrat

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China Hochreine SiC-keramische Isoliersubstrate, hochtemperaturbeständig Fabrik

Hochreine SiC-keramische Isoliersubstrate, hochtemperaturbeständig
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SiC-Keramiksubstrate im Überblick Hochreines SiC-Keramik-Isoliersubstrat mit Hochtemperaturbeständigkeit Siliziumkarbid (SiC)-Keramiksubstrate sind fortschrittliche Keramikmaterialien, die durch Hochtemperatur... Lesen Sie weiter
2025-08-14 11:19:24
China SiC Ball, SiC Marbels Durchmesser 0,5 mm ~ 50 mm Anpassbarer, hochpräziser Lagerball Fabrik

SiC Ball, SiC Marbels Durchmesser 0,5 mm ~ 50 mm Anpassbarer, hochpräziser Lagerball
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SiC Kugeln und Murmeln (0,5mm 50mm) Unsere Siliziumkarbid (SiC) Kugeln und Murmeln bieten eine unübertroffene Härte, thermische Stabilität und chemische Beständigkeit für extrem leistungsstarke Anwendungen... Lesen Sie weiter
2025-06-17 13:38:48
China SiC-Keramik-Bootträger für Wafer-Handling Fabrik

SiC-Keramik-Bootträger für Wafer-Handling
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Kundenspezifischer SiC-Keramik-Bootsträger für die Wafer-Handhabung Der kundenspezifische Siliziumkarbid (SiC)-Keramik-Bootsträger ist eine Hochleistungs-Wafer-Handhabungslösung, die für die Halbleiter-, ... Lesen Sie weiter
2025-06-17 13:36:55
China SiC-Keramik-End-Effektor für die Wafer-Behandlung Fabrik

SiC-Keramik-End-Effektor für die Wafer-Behandlung
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SiC-keramischer Endeffektor für die Waferbehandlung Der Silicon Carbide (SiC) Ceramic End Effector ist ein leistungsfähiges Wafer-Handling-Tool für die Halbleiterherstellung, die Photovoltaikproduktion und die ... Lesen Sie weiter
2025-05-26 11:36:35
China Sic/Silikonkarbid Keramik Kugel-Geschmacksgröße Lager Perlen Kleinteile Fabrik

Sic/Silikonkarbid Keramik Kugel-Geschmacksgröße Lager Perlen Kleinteile
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Sic/Silicon Carbide Keramik Kugel-Geschmacksgröße Lager Perlen Kleinteile Einführung des Produktes SiCKeramikkugeln haben nicht nur hervorragende mechanische Eigenschaften bei Raumtemperatur, wie hohe ... Lesen Sie weiter
2025-05-23 16:28:47
China 8 Zoll-Silikon-Karbid keramischer Tray For Epitaxial Growth Processing Fabrik

8 Zoll-Silikon-Karbid keramischer Tray For Epitaxial Growth Processing
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8 Zoll-Silikon-Karbid-Tray Ceramic Tray For Epitaxial-Wachstums-Verarbeitung Graphitbehälter und Silikonkarbid beschichteten Graphitbehälter, Silikonkarbidbehälter; Silikon-Karbid-Behälterbeschreibung: Bezieht ... Lesen Sie weiter
2025-03-20 17:10:41
China SIC Silicon Carbide Ceramic Tube Tube Custom Fire Resistant High Strength Elektronische Chemische Industrie Fabrik

SIC Silicon Carbide Ceramic Tube Tube Custom Fire Resistant High Strength Elektronische Chemische Industrie
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SIC Keramikrohr aus Siliziumcarbid, feuerbeständig, hochfeste Elektronikchemie Zusammenfassung des Produkts Siliziumkarbid-Keramikrohr ist eine Art Hochleistungsrohr aus hochreinem Siliziumkarbidmaterial, das ... Lesen Sie weiter
2025-03-18 17:21:53
China Hochpräzision SIC Siliziumkarbid Keramik Chuck Keramik Element Vakuumsupper Anpassung Fabrik

Hochpräzision SIC Siliziumkarbid Keramik Chuck Keramik Element Vakuumsupper Anpassung
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Hochpräzision SIC Siliziumkarbid Keramik-Chuck Keramik-Element Vakuum-Sauger Anpassung Zusammenfassung des Produkts Siliconcarbide-Keramik-Teller ist eine leistungsstarke Leuchte, die in der Halbleiter-, LED-, ... Lesen Sie weiter
2025-03-18 17:21:53
China Aluminium-Keramik-Custom-Teile Roboterarm Hohe Härte Verschleißbeständigkeit Al2O3 Keramik-Saugbecher Strukturteile Fabrik

Aluminium-Keramik-Custom-Teile Roboterarm Hohe Härte Verschleißbeständigkeit Al2O3 Keramik-Saugbecher Strukturteile
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Aluminium-Keramik-Custom-Teile Roboterarm Hohe Härte Verschleißbeständigkeit Al2O3 Keramik-Saugbecher Strukturteile Produktbeschreibung Alumina-Keramik ist ein hochleistungsfähiges Keramikmaterial mit ... Lesen Sie weiter
2025-02-07 15:10:22
China SiC-Siliziumkarbid-Keramik-Träger Plattenwaferhalter ICP-Etsch-Prozess für die Epitaxial-Wachstumsverarbeitung Fabrik

SiC-Siliziumkarbid-Keramik-Träger Plattenwaferhalter ICP-Etsch-Prozess für die Epitaxial-Wachstumsverarbeitung
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Beschreibung des Produkts SiC-Siliziumkarbid-Keramik-Träger Plattenwaferhalter ICP-Etschverfahren Verwendung für die Epitaxial-Wachstumsverarbeitung Nichtoxidkeramik, Siliziumkarbidkeramik (SiC) ist ein ... Lesen Sie weiter
2024-10-11 10:33:11
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Sic Substrat

Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic

2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter

4H-SEMI polierte sic Oblatenlinse 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 Härte für Gerät-Material

Saphir-Oblate

Windows-Special-Orientierung des Halbleiterwafer-kundenspezifische Saphir-Glas-/Saphir

Saphir-Wafer Dicke 0,43 mm Saphir-Komponenten individuell angepasst Größe und Ausrichtung

Quadratische Saphir-Oblate/Saphir-Kristallglas 10x10mm 5x5mm für optische Linse

2°Off C - Achsen-synthetischer Saphir Glas-Epi - bereiter Zoll Durchmesser 50.8mm der Substrat-2

Gallium-Nitrid-Oblate

Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um

2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt

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