Produktdetails:
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Durchmesser: | 6 Zoll (150 mm) | Ausmaß der Abweichung: | ±0,02 mm |
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Gesamtdickenvariation: | ≤10μm | Oberflächenrauheit: | ≤0,5 nm Ra |
Parallelismus: | ≤3μm | Widerstand: | > 1016 Ω·cm |
Hervorheben: | 6 Zoll Quarz Kristallglas Wafer,150 mm Quarz-Kristallglas-Wafer,SiO2-Quarzkristallglaswafer |
ZMSH ist spezialisiert auf die Herstellung von 6-Zoll-Quarz-Wafern und bietet:
Anpassung an verschiedene Größen: Standard-Wafer mit einer Größe von 6 Zoll sowie 4", 8" und 12" Varianten
Randbearbeitung: Möglichkeiten für geschrägte Kanten, Kerben und Orientierungsflächen
Oberflächenbehandlungen: Maßgeschneiderte Polierung, Beschichtung und Musterung
PArameter | Spezifikation |
Durchmesser | 6 Zoll (150 mm) |
Dickenbereich | 0.5 mm bis 3,0 mm |
Ausmaß der Abweichung | ±0,02 mm |
Gesamtdickenvariation | ≤ 10 μm |
Oberflächenrauheit (poliert) | ≤ 0,5 nm Ra |
Parallelismus | ≤ 3 μm |
CTE (20-300°C) | 00,55 × 10−6/°C |
Übertragbarkeit @193nm | > 92% |
Widerstand | > 1016 Ω·cm |
Vakuumkompatibilität | 10−10 Torr |
Flexuralstärke (verstärkt) | 500 bis 700 MPa |
Eigenschaften | Technische Spezifikation |
Hohe Reinheit | ≥ 99,999% SiO2-Gehalt |
CTE (20-300°C) | 0.55×10−6/°C (ultra-niedrige thermische Ausdehnung) |
Zugfestigkeit | 50-70 MPa (chemisch verstärkte Optionen verfügbar) |
Optische Übertragung | > 92% @ 190-3500 nm (UV bis NIR Spektrum) |
Elektrische Eigenschaften | Widerstand > 1016 Ω·cm, piezoelektrische Koeffizienten |
1. Halbleiterherstellung
6 Zoll Quarz-Wafer werden inHalbleiterverpackungen,Herstellung von Splittern, und verwandten Bereichen, insbesondere bei der Herstellung von:
- Speicherchips.(DRAM, NAND-Flash)
- Analog-/Leistungsgeräte(IGBT, MOSFET)
- Erweiterte Sensoren.(MEMS, CMOS-Bildsensoren)
2. Optische Komponenten
Aufgrund ihrerhohe optische Durchlässigkeitundextrem niedrige CTE, Quarzwafer sind ideal für:
- Präzisionslinsen(asphärische Mikrolinsen-Arrays)
- optische Filter(Bandpass, dichroisch)
- Wellenführer(photonische ICs, Faserkopplungselemente)
3. MEMS (mikroelektromechanische Systeme)
Quarzwafer dienen als erstklassige Substrate für MEMS-Geräte aufgrund ihrerAbmessungsstabilitätundmechanische Robustheit, einschließlich:
- Mikrosensoren(Druck, Trägheit, Biosensoren)
- Mikroaktoren(HF-Schalter, piezoelektrische Wandler)
- Resonatoren(5G-Filter, Zeitmessgeräte)
4. Hochtemperatur Poly-Si TFT-LCDs
Quarz-Wafer sind für die Herstellung von Wafers von großer BedeutungHochleistungsbildschirme, insbesondere:
- HTPS (Hochtemperatur-Poly-Si) TFT-Hintergrundflächen
- Mikrodisplays(AR/VR, LCoS)
- Erweiterte LCD-Panels(OLED-Verkapselungssubstrate)
Wir bieten End-to-End-Lösungen:
1Materialwahl: JGS1/JGS2 Quarz, synthetisches geschmolzenes Kieselsäure
2. Präzisionsbearbeitung:
- Laserschneiden (Toleranz ± 5 μm)
- Ultraschallbohrungen (Aspektverhältnis 10:1)
3Oberflächentechnik:
- Nanopolieren (Ra < 0,3 nm)
- DUV/IR-Anti-Reflexionsbeschichtungen
4Qualitätssicherung:
- Verarbeitung in Reinräumen der Klasse 10
- Vollständige Messberichte (TTV, Warp, Bug)
1F: Welche Vorteile haben 6-Zoll-Quarzwafer gegenüber kleineren Wafern in der Halbleiterherstellung?
A: 6-Zoll- (150 mm) Quarzwafer bieten 56% mehr nutzbare Fläche als 4-Zoll-Wafer, was die Rand-Ausschlussverluste signifikant reduziert und den Durchsatz für fortschrittliche Verpackungen und MEMS-Produktion verbessert.
2. F: Wie wirkt sich die Reinheit von Quarzwafer (≥ 99,999%) auf Hochtemperaturprozesse aus?
A: 5N-Reinheit Quarz minimiert die Kontaminationsrisiken in HTPS TFT und Halbleiterbrennprozessen über 1000 °C und gewährleistet gleichbleibende dielektrische Eigenschaften.
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Ansprechpartner: Mr. Wang
Telefon: +8615801942596