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4H 6inch SiC Epitaxial Wafer 100μm/200μm/300μm für MOS-Geräte mit Ultraschallspannung (UHV)

Markenbezeichnung:	ZMSH
Modellnummer:	4H 6inch sic epitaxiale Wafer
MOQ:	5
Preis:	by case
Lieferzeit:	2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen:	T/t

Einzelheiten

Produkt-Beschreibung

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Herkunftsort:

CHINA

Zertifizierung:

rohs

Größe:

6 Zoll

Dicke:

200-300 um

Material:

4H-SiC

Leitfähigkeitsart:

N-Typ (dotiert mit Stickstoff)

Widerstand:

beliebig

TTV:

≤ 10 µm

Bogen/Verzerrung:

≤ 20 µm

Verpackung:

Vakuumversiegelt

Verpackung Informationen:

Packung im Reinigungsraum von 100 Grad

Hervorheben:

sic Epitaxial- Oblate 6inch

SiC-Wafer für UHV-MOS-Geräte

100 μm SiC-Substrat mit Garantie

Produkt-Beschreibung

SiC Epi Wafer Übersicht

4H 6-Zoll SiC Epitaxie-Wafer 100μm/200μm/300μm für Ultra-Hochspannungs- (UHV) MOS-Bauelemente

Der 4H-SiC Epitaxie-Wafer ist ein Kernmaterial für Siliziumkarbid (SiC)-Leistungsbauelemente, das auf einem 4H-SiC Einkristallsubstrat mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) hergestellt wird. Seine einzigartige Kristallstruktur und elektrischen Eigenschaften machen ihn zu einem idealen Substrat für Ultra-Hochspannungs- (UHV, >10 kV) Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs), Sperrschicht-Schottky-Dioden (JBS) und andere Leistungsbauelemente. Dieses Produkt bietet drei Epitaxieschichtdicken (100μm, 200μm, 300μm), um Anwendungen von Niederspannung bis hin zu UHV-Szenarien zu adressieren, geeignet für neue Energiefahrzeuge (NEVs), industrielle Stromversorgungssysteme und Smart-Grid-Technologien.

SiC Epitaxie-Wafer Eigenschaften

1. Hohe Durchbruchspannung & geringer Einschaltwiderstand

Erzielt eine ausgewogene Durchbruchspannung (BV) und einen spezifischen Einschaltwiderstand (R_sp) über tiefe Dotierungssäulenstrukturen (abwechselnde n-Typ und p-Typ Säulen). Zum Beispiel weisen 5 kV-Klasse SJ MOSFETs einen R_sp von nur 9,5 mΩ·cm² bei Raumtemperatur auf, der auf 25 mΩ·cm² bei 200°C ansteigt.
Einstellbare Epitaxieschichtdicke und Dotierungskonzentration (z. B. 100μm Schicht für 3,3 kV Bauelemente, 300μm Schicht unterstützt >15 kV Anwendungen).

2. Außergewöhnliche thermische Stabilität & Zuverlässigkeit

Nutzt hohe Wärmeleitfähigkeit (4,9 W/cm·K) und weite Bandlücke (3,2 eV), um stabil über 200°C zu arbeiten, wodurch die Komplexität des Wärmemanagements minimiert wird.
Verwendet Ultra-Hochenergie-Ionenimplantation (UHEI) (bis zu 20 MeV), um die Gitterschädigung zu reduzieren, kombiniert mit 1700°C Ausglühen zur Defektreparatur, wodurch eine Leckstromdichte erreicht wird < 0,1 mA/cm².

3. Geringe Defektdichte & hohe Gleichmäßigkeit

Optimierte Wachstumsparameter (C/Si-Verhältnis, HCl-Dotierungsstrategie) ergeben eine Oberflächenrauheit (RMS) von 0,4–0,8 nm und eine Makrodefektdichte < 1 cm⁻².
Die Dotierungsgleichmäßigkeit (CV-Tests) gewährleistet eine Standardabweichung < 15%, was die Chargenkonsistenz garantiert.

4. Kompatibilität mit fortschrittlichen Fertigungsprozessen

Unterstützt Grabenfüllung und tiefe Dotierungssäulenarchitekturen, wodurch laterale Verarmungsdesigns für UHV-MOSFETs mit Durchbruchspannungen von über 20 kV ermöglicht werden.

4H-SiC Epitaxie-Wafer Anwendungen

1. Ultra-Hochspannungs-Leistungsbauelemente

Neue Energiefahrzeuge (NEVs): Hauptantriebsinverter und Onboard-Ladegeräte (OBC) für 800V-Plattformen, wodurch die Effizienz um 10–15% gesteigert und schnelles Laden ermöglicht wird.
Industrielle Stromversorgungssysteme: Hochfrequentes Schalten (MHz-Bereich) in Photovoltaik-Wechselrichtern und Festkörpertransformatoren (SSTs), wodurch Verluste um >30 % reduziert werden.

2. Smart Grids & Energiespeicherung

Netzbildende Energiespeicher-PCS zur Schwachnetzstabilisierung.
Hochspannungs-Gleichstromübertragung (HGÜ) und intelligente Verteilungsausrüstung, die einen Energieumwandlungswirkungsgrad von >99 % erreicht.

3. Schienenverkehr & Luft- und Raumfahrt

Traktionswechselrichter und Hilfsstromversorgungssysteme für extreme Temperaturen (-60°C bis 200°C) und Vibrationsbeständigkeit.

4. Forschung & High-Tech-Fertigung

Kernmaterial für Ultra-Schwere-Element-Detektoren (z. B. Nh), das Hochtemperatur- (300°C) α-Teilchen-Detektion mit einer Energieauflösung ermöglicht < 3%.

4H-SiC Epitaxie-Wafer Parameter

Parameter	Spezifikation / Wert
Größe	6 Zoll
Material	4H-SiC
Leitfähigkeitstyp	N-Typ (dotiert mit Stickstoff)
Spezifischer Widerstand	BELIEBIG
Off-Axis-Winkel	4°±0,5° off (typischerweise in Richtung [11-20] Richtung)
Kristallorientierung	(0001) Si-Fläche
Dicke	200-300 um
Oberflächenbeschaffenheit Vorderseite	CMP-poliert (epi-ready)
Oberflächenbeschaffenheit Rückseite	geläppt oder poliert (schnellste Option)
TTV	≤ 10 µm
BOW/Warp	≤ 20 µm
Verpackung	vakuumversiegelt
MENGE	5 Stück

Weitere Muster von SiC Wafern

*Wir akzeptieren kundenspezifische Anfertigungen, bitte kontaktieren Sie uns bezüglich Ihrer Anforderungen.

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SiC Epi Wafer FAQ

1. F: Was ist der typische Dickenbereich für 6-Zoll 4H-SiC Epitaxie-Wafer?

A: Die typische Dicke reicht von 100–500 μm, um Ultra-Hochspannungs- (≥10 kV) MOSFET-Anwendungen zu unterstützen und Durchbruchspannung und Wärmemanagement auszugleichen.

2. F: Welche Branchen verwenden 6-Zoll 4H-SiC Epitaxie-Wafer?

A: Sie sind entscheidend für Smart Grids, EV-Wechselrichter, industrielle Stromversorgungssysteme und die Luft- und Raumfahrt, wodurch hohe Effizienz und Zuverlässigkeit unter extremen Bedingungen ermöglicht werden.

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Umbauten:

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

GaAs-Oblate

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung