Produkt-Details
Herkunftsort: China
Markenname: zmsh
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Material: |
HPSI SiC |
Zulassung: |
Prim/Dummy/Forschung |
Typ: |
4H-Halbleiter |
Orientierung: |
Der Wert der |
Größe: |
2/3"/4"/6"/8" |
Stärke: |
500 ± 25 μm |
TTV: |
Bei der Verwendung von Zylindersäulen |
Verbeugen: |
-25 μm~25 μm/ -35 μm~35 μm/ -45 μm~45 μm |
Verpackung: |
≤ 35 μm ≤ 45 μm ≤ 55 μm |
Material: |
HPSI SiC |
Zulassung: |
Prim/Dummy/Forschung |
Typ: |
4H-Halbleiter |
Orientierung: |
Der Wert der |
Größe: |
2/3"/4"/6"/8" |
Stärke: |
500 ± 25 μm |
TTV: |
Bei der Verwendung von Zylindersäulen |
Verbeugen: |
-25 μm~25 μm/ -35 μm~35 μm/ -45 μm~45 μm |
Verpackung: |
≤ 35 μm ≤ 45 μm ≤ 55 μm |
HPSI-Hochreine SiC-Waffe mit Halbdämmung
HPSI (High Purity Semi-Isolating) Silicon Carbide (SiC) -Wafer sind fortschrittliche Halbleiter-Substrate, die für Hochfrequenz-, Hochleistungs- und Hochtemperaturanwendungen entwickelt wurden.3 ZollDiese Wafer sind in Prime- (Produktionsgrad), Dummy- (Prozess-Test) und Research- (Experimental-) Graden erhältlich, um den unterschiedlichen industriellen und akademischen Bedürfnissen gerecht zu werden.
Die Prime Grade-Wafer verfügen über eine ultra-niedrige Defektdichte und einen hohen Widerstand, was sie ideal für HF-Geräte, Leistungsverstärker und Quantenrechenanwendungen macht.Die Dummy Grade bietet kostengünstige Lösungen für die Prozessoptimierung in der Halbleiterfertigung, während die Forschungsstufe Spitzenmaterialstudien und Prototypenentwicklung unterstützt.
HPSI-SiC-Wafer ermöglichen mit ihrer überlegenen Wärmeleitfähigkeit (> 490 W/m·K) und einer breiten Bandbreite (3,2 eV) die Elektronik der nächsten Generation für 5G-KommunikationDies ist ein wichtiger Aspekt der Entwicklung von Elektrofahrzeugen.
Spezifikationstabelle
Eigentum | Spezifikation |
Typ | 4H-Semi |
Widerstand | ≥1E8ohm·cm |
Stärke | 500 ± 25 μm |
Auf der Achse | <0001> |
Außerhalb der Achse | 0 ± 0,25° |
TTV | ≤ 5 μm |
Bogen | - 25 μm bis 25 μm |
Verpackung | ≤ 35 μm |
Front (Si-Fläche) Rauheit | Ra≤0,2 nm ((5 μm*5 μm) |
AnwendungenHPSI-Wafer
1. HF- und Mikrowellengeräte
- 5G-Basisstationen: Hochleistungsverstärker mit geringem Signalverlust.
- Radarsysteme: stabile Leistung in Luft- und Raumfahrt und Verteidigung.
2. Leistungselektronik
- EV-Wechselrichter: Effiziente Hochspannungsschalter.
- Schnelle Ladegeräte: Kompakt und effizient.
3. Hochtechnologische Forschung
- Breitbandstudien: Forschung über die Eigenschaften von SiC-Materialien.
4Entwicklung der industriellen Prozesse
- Dummy Wafers: Ausrüstungskalibrierung in Halbleiterfabriken.
Häufig gestellte Fragen (FAQ)
1Was definiert "halbisolierende" SiC?
Halbisolierendes SiC hat einen extrem hohen Widerstand, wodurch das Stromleck in HF- und Hochleistungsgeräten minimiert wird.
2Können diese Waffeln angepasst werden?
Ja, wir bieten Doping, Dicke und Oberflächenveredelung für Prime- und Research-Klassen an.
3Was ist der Unterschied zwischen Prime- und Dummy-Noten?
- Prime: Herstellung von Geräten (niedrige Mängel).
Prozessprüfung (kostenoptimiert).
4Wie werden Waffeln verpackt?
Vakuumversiegelte Verpackungen mit einem Wafer
5- Wie lange dauert die Durchführungszeit?
- Zwei bis vier Wochen für Standardgrößen.
- Vier bis sechs Wochen für individuelle Spezifikationen.