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Einzelheiten zu den Produkten

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Sic Substrat
Created with Pixso. HPSI-Hochreine SiC-Wafeln mit Halbdämmung von 2 × 3 × 4 × 6 × 8 × Prime/Dummy/Research Grade

HPSI-Hochreine SiC-Wafeln mit Halbdämmung von 2 × 3 × 4 × 6 × 8 × Prime/Dummy/Research Grade

Markenbezeichnung: zmsh
Einzelheiten
Herkunftsort:
China
Zertifizierung:
rohs
Material:
HPSI SiC
Grad:
Prim/Dummy/Forschung
Typ:
4H-Semi
Orientierung:
Der Wert der
Größe:
2/3"/4"/6"/8"
Dicke:
500 ± 25 μm
TTV:
Bei der Verwendung von Zylindersäulen
Bogen:
-25 μm~25 μm/ -35 μm~35 μm/ -45 μm~45 μm
Verpackung:
≤ 35 μm ≤ 45 μm ≤ 55 μm
Hervorheben:

SIC-Wafer mit hoher Reinheit

,

Prim Dummy SiC-Wafer

,

SiC-Wafer für Forschungszwecke

Produkt-Beschreibung

HPSI Hochreine, semi-isolierende SiC-Wafer – 2/3/4/6/8 Zoll Prime/Dummy/Research Grade

 


HPSI (High Purity Semi-insulating) Siliziumkarbid (SiC)-Wafer sind fortschrittliche Halbleitersubstrate, die für Hochfrequenz-, Hochleistungs- und Hochtemperaturanwendungen konzipiert sind. Erhältlich in Durchmessern von 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll, werden diese Wafer in Prime (Produktionsqualität), Dummy (Prozess-Test) und Research (experimentelle) Güteklassen angeboten, um vielfältige industrielle und akademische Anforderungen zu erfüllen.

Die Prime Grade Wafer zeichnen sich durch eine extrem niedrige Defektdichte  und einen hohen Widerstand aus, was sie ideal für HF-Geräte, Leistungsverstärker und Quantencomputeranwendungen macht. Die Dummy Grade bietet kostengünstige Lösungen für die Prozessoptimierung in der Halbleiterfertigung, während die Research Grade modernste Materialstudien und Prototypenentwicklung unterstützt.

Mit überlegener Wärmeleitfähigkeit (> 490 W/m·K) und einer großen Bandlücke (3,2 eV) ermöglichen HPSI SiC-Wafer Elektronik der nächsten Generation für 5G-Kommunikationen, Luft- und Raumfahrt und Elektrofahrzeug (EV)-Systeme.

 

HPSI-Hochreine SiC-Wafeln mit Halbdämmung von 2 × 3 × 4 × 6 × 8 × Prime/Dummy/Research Grade 0

 


 

 

Spezifikationstabelle

 

Eigenschaften Spezifikation
Typ 4H-Semi
Widerstand ≥1E8ohm·cm
Dicke 500±25μm
On-Axis <0001>
Off-Axis 0±0.25°
TTV ≤5μm
BOW -25μm~25μm
Wrap ≤35μm
Oberflächenrauheit (Si-Seite) Ra≤0.2nm(5μm*5μm)

 

 


 

Anwendungen von HPSI-Wafern

 

 

1. HF- und Mikrowellengeräte
- 5G-Basisstationen: Hochleistungsverstärker mit geringem Signalverlust.
- Radarsysteme: Stabile Leistung in der Luft- und Raumfahrt und Verteidigung.

 

2. Leistungselektronik
- EV-Wechselrichter: Effizientes Hochspannungsschalten.
- Schnellladegeräte: Kompakte und hocheffiziente Designs.

 

3. High-Tech-Forschung
- Wide-Bandgap-Studien: Forschung zu SiC-Materialeigenschaften.

 

4. Industrielle Prozessentwicklung
- Dummy-Wafer: Gerätekalibrierung in Halbleiterfabriken.

 


HPSI-Hochreine SiC-Wafeln mit Halbdämmung von 2 × 3 × 4 × 6 × 8 × Prime/Dummy/Research Grade 1HPSI-Hochreine SiC-Wafeln mit Halbdämmung von 2 × 3 × 4 × 6 × 8 × Prime/Dummy/Research Grade 2

 

 


 

Häufig gestellte Fragen (FAQ)

 

 

1. Was definiert "semi-isolierendes" SiC?

Semi-isolierendes SiC hat einen extrem hohen Widerstand, wodurch Stromlecks in HF- und Hochleistungsgeräten minimiert werden.

 

2. Können diese Wafer angepasst werden?
Ja, wir bieten Anpassungen für Dotierung, Dicke und Oberflächenbeschaffenheit für Prime- und Research-Güteklassen an.

 

3. Was ist der Unterschied zwischen Prime- und Dummy-Güteklassen?
- Prime: Geräteherstellung (geringe Defekte).
- Dummy: Prozesstests (kostenoptimiert).

 

4. Wie werden Wafer verpackt?
Einzel-Wafer vakuumversiegelte Packungen

 

5. Wie ist die typische Vorlaufzeit?
- 2-4 Wochen für Standardgrößen.
- 4-6 Wochen für kundenspezifische Spezifikationen.


 


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