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HPSI-Hochreine SiC-Wafeln mit Halbdämmung (2,3,4,6,8)

Produkt-Details

Herkunftsort: China

Markenname: zmsh

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Hervorheben:

SIC-Wafer mit hoher Reinheit

,

Prim Dummy SiC-Wafer

,

SiC-Wafer für Forschungszwecke

Material:
HPSI SiC
Zulassung:
Prim/Dummy/Forschung
Typ:
4H-Halbleiter
Orientierung:
Der Wert der
Größe:
2/3"/4"/6"/8"
Stärke:
500 ± 25 μm
TTV:
Bei der Verwendung von Zylindersäulen
Verbeugen:
-25 μm~25 μm/ -35 μm~35 μm/ -45 μm~45 μm
Verpackung:
≤ 35 μm ≤ 45 μm ≤ 55 μm
Material:
HPSI SiC
Zulassung:
Prim/Dummy/Forschung
Typ:
4H-Halbleiter
Orientierung:
Der Wert der
Größe:
2/3"/4"/6"/8"
Stärke:
500 ± 25 μm
TTV:
Bei der Verwendung von Zylindersäulen
Verbeugen:
-25 μm~25 μm/ -35 μm~35 μm/ -45 μm~45 μm
Verpackung:
≤ 35 μm ≤ 45 μm ≤ 55 μm
HPSI-Hochreine SiC-Wafeln mit Halbdämmung (2,3,4,6,8)

HPSI-Hochreine SiC-Waffe mit Halbdämmung


HPSI (High Purity Semi-Isolating) Silicon Carbide (SiC) -Wafer sind fortschrittliche Halbleiter-Substrate, die für Hochfrequenz-, Hochleistungs- und Hochtemperaturanwendungen entwickelt wurden.3 ZollDiese Wafer sind in Prime- (Produktionsgrad), Dummy- (Prozess-Test) und Research- (Experimental-) Graden erhältlich, um den unterschiedlichen industriellen und akademischen Bedürfnissen gerecht zu werden.

Die Prime Grade-Wafer verfügen über eine ultra-niedrige Defektdichte und einen hohen Widerstand, was sie ideal für HF-Geräte, Leistungsverstärker und Quantenrechenanwendungen macht.Die Dummy Grade bietet kostengünstige Lösungen für die Prozessoptimierung in der Halbleiterfertigung, während die Forschungsstufe Spitzenmaterialstudien und Prototypenentwicklung unterstützt.

HPSI-SiC-Wafer ermöglichen mit ihrer überlegenen Wärmeleitfähigkeit (> 490 W/m·K) und einer breiten Bandbreite (3,2 eV) die Elektronik der nächsten Generation für 5G-KommunikationDies ist ein wichtiger Aspekt der Entwicklung von Elektrofahrzeugen.

 

HPSI-Hochreine SiC-Wafeln mit Halbdämmung (2,3,4,6,8) 0

 


 

 

Spezifikationstabelle

 

Eigentum Spezifikation
Typ 4H-Semi
Widerstand ≥1E8ohm·cm
Stärke 500 ± 25 μm
Auf der Achse <0001>
Außerhalb der Achse 0 ± 0,25°
TTV ≤ 5 μm
Bogen - 25 μm bis 25 μm
Verpackung ≤ 35 μm
Front (Si-Fläche) Rauheit Ra≤0,2 nm ((5 μm*5 μm)

 

 


 

AnwendungenHPSI-Wafer

 

1. HF- und Mikrowellengeräte
- 5G-Basisstationen: Hochleistungsverstärker mit geringem Signalverlust.
- Radarsysteme: stabile Leistung in Luft- und Raumfahrt und Verteidigung.

 

2. Leistungselektronik
- EV-Wechselrichter: Effiziente Hochspannungsschalter.
- Schnelle Ladegeräte: Kompakt und effizient.

 

3. Hochtechnologische Forschung
- Breitbandstudien: Forschung über die Eigenschaften von SiC-Materialien.

 

4Entwicklung der industriellen Prozesse
- Dummy Wafers: Ausrüstungskalibrierung in Halbleiterfabriken.


HPSI-Hochreine SiC-Wafeln mit Halbdämmung (2,3,4,6,8) 1HPSI-Hochreine SiC-Wafeln mit Halbdämmung (2,3,4,6,8) 2

 


 

Häufig gestellte Fragen (FAQ)

 

1Was definiert "halbisolierende" SiC?

Halbisolierendes SiC hat einen extrem hohen Widerstand, wodurch das Stromleck in HF- und Hochleistungsgeräten minimiert wird.

 

2Können diese Waffeln angepasst werden?
Ja, wir bieten Doping, Dicke und Oberflächenveredelung für Prime- und Research-Klassen an.

 

3Was ist der Unterschied zwischen Prime- und Dummy-Noten?
- Prime: Herstellung von Geräten (niedrige Mängel).
Prozessprüfung (kostenoptimiert).

 

4Wie werden Waffeln verpackt?
Vakuumversiegelte Verpackungen mit einem Wafer

 

5- Wie lange dauert die Durchführungszeit?
- Zwei bis vier Wochen für Standardgrößen.
- Vier bis sechs Wochen für individuelle Spezifikationen.