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sic substrat

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kaufen Haupt2" 3" 4" 6" Oblate des 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic Substrat Silikon-Karbids sic Online Hersteller

Haupt2" 3" 4" 6" Oblate des 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic Substrat Silikon-Karbids sic
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2022-06-23 10:12:27
kaufen Sic besonders angefertigt GaN-auf-GaN Durchmesser 100mm Silikon-Sapphire Substrate Epitaxial Wafer-4inch Online Hersteller

Sic besonders angefertigt GaN-auf-GaN Durchmesser 100mm Silikon-Sapphire Substrate Epitaxial Wafer-4inch
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2023-07-19 17:37:37
kaufen 2 Zoll/4 Zoll/6 Zoll/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Siliziumkarbid Substrat Typ 3C-N Auf der Achse: < 111 > ± 0,5° Produktionsgrad Dummy-Grad Online Hersteller

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2025-02-21 16:42:38
kaufen 12 Zoll Sic Wafer Siliziumkarbid 4H-N Typ Produktionsgrad Dummy Grade Große Größe Online Hersteller

12 Zoll Sic Wafer Siliziumkarbid 4H-N Typ Produktionsgrad Dummy Grade Große Größe
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2025-02-21 16:42:37
kaufen 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H High P-Doped Typ Off Axis 4,0° nach vorne Prime Grade Dummy Grade Online Hersteller

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2025-02-21 16:42:38
kaufen 6 Zoll Silikonkarbid Halbisolierendes SiC-Verbundsubstrat P-Typ N-Typ Einzelpolnisch Doppelpolnisch Produktionsgrad Online Hersteller

6 Zoll Silikonkarbid Halbisolierendes SiC-Verbundsubstrat P-Typ N-Typ Einzelpolnisch Doppelpolnisch Produktionsgrad
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2024-10-11 10:33:11
kaufen SiC Ingot 6 Zoll Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot Hohe Härte Ingot Online Hersteller

SiC Ingot 6 Zoll Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot Hohe Härte Ingot
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2024-09-10 15:33:01
kaufen 6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H-P Typ für Kommunikations- und Radarsysteme Durchmesser 150 mm Online Hersteller

6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H-P Typ für Kommunikations- und Radarsysteme Durchmesser 150 mm
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2025-01-24 14:33:00
kaufen 6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 4H-P Durchmesser 150 mm Dicke 350 μm Null MPD-Produktion, Standard-Produktionsgrad Online Hersteller

6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 4H-P Durchmesser 150 mm Dicke 350 μm Null MPD-Produktion, Standard-Produktionsgrad
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2025-01-24 11:11:23
kaufen Sic Siliziumkarbid-Substrat 6H-P-Typ auf Achse 0° Mohs-Härte 9,2 für Lasergerät Online Hersteller

Sic Siliziumkarbid-Substrat 6H-P-Typ auf Achse 0° Mohs-Härte 9,2 für Lasergerät
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2025-02-21 16:42:38
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Sic Substrat

Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic

2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

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4H-SEMI polierte sic Oblatenlinse 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 Härte für Gerät-Material

Saphir-Oblate

Windows-Special-Orientierung des Halbleiterwafer-kundenspezifische Saphir-Glas-/Saphir

Saphir-Wafer Dicke 0,43 mm Saphir-Komponenten individuell angepasst Größe und Ausrichtung

Quadratische Saphir-Oblate/Saphir-Kristallglas 10x10mm 5x5mm für optische Linse

2°Off C - Achsen-synthetischer Saphir Glas-Epi - bereiter Zoll Durchmesser 50.8mm der Substrat-2

Gallium-Nitrid-Oblate

Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um

2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt

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