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Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

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[sic substrat ]

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274

PRODUKTE

2 Zoll Durchmesser 50,8 mm 4H-N Typ SiC Epitaxie-Wafer für Hochtemperatursensoren

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4 Zoll Sic Siliziumkarbid Wafer 6H-P Typ Dicke 350μm Null / Prime Grade Dummy Grade

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4-Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Durchmesser 100 mm Dicke 350 µm Prime Grade

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2 Zoll 4H-P SIC Siliziumkarbid Wafer für Photovoltaik Dicke 350 μm Durchmesser 50,8 mm Nullgrad

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4-Zoll-Siliziumkarbid-Sic-Wafer 4H-P-Typ Durchmesser 100 mm Dicke 350 μm

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55mm/1010mm Siliziumkarbid Wafer Dicke 350μm Sic 3C-N Typ Hohe mechanische Festigkeit Produktionsgrad

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SiC-Samenwafer 4H N Typ Dia 153 155 2 Zoll-12 Zoll für die Herstellung von MOSFETs

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2" InSb-Te EPI Substrate Schmalband Halbleiter Substrate Hall-Komponenten

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2 Zoll SIC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ für MOS-Gerät Dia 0.4mm

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CVD SiC Epitaxy Wafer 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Epitaxy Dicke 2,5-120 um für elektronische Energie

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Kundengebundene Größen-Silikon-Karbid-Substrat-Härte 9,4 sic Teile für Ausrüstung

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Kundengebundene Größe 5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N bricht SIC Platten ab

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4H-N 4inch 6inch sic Oblaten-Halbleiter-Material für SBD MOS Device

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12 Zoll 300 mm SiC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ Dummy Prime Forschungsgrad Mehrere Anwendungen

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Industrial-Grade 6H SiC Substrates for High-Temperature, UV, and Precision Electronics

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Art Silikon-Karbid-Waferherstellungs-Grad 2inch 3inch Dia100m 4H-N für Halbleiterbauelement

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4H-N Type SiC Substrate 10x10mm Wafer for Power Electronics

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2 Zoll/4 Zoll/6 Zoll/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Siliziumkarbid Substrat Typ 3C-N Auf der Achse: < 111 > ± 0,5° Produktionsgrad Dummy-Grad

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12 Zoll Sic Wafer Siliziumkarbid 4H-N Typ Produktionsgrad Dummy Grade Große Größe

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2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H High P-Doped Typ Off Axis 4,0° nach vorne Prime Grade Dummy Grade

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6 Zoll Silikonkarbid Halbisolierendes SiC-Verbundsubstrat P-Typ N-Typ Einzelpolnisch Doppelpolnisch Produktionsgrad

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SiC Ingot 6 Zoll Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot Hohe Härte Ingot

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6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H-P Typ für Kommunikations- und Radarsysteme Durchmesser 150 mm

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6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 4H-P Durchmesser 150 mm Dicke 350 μm Null MPD-Produktion, Standard-Produktionsgrad

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Sic Siliziumkarbid-Substrat 6H-P-Typ auf Achse 0° Mohs-Härte 9,2 für Lasergerät

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Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic

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kaufen 12 Zoll Sic Einzelkristall Siliziumkarbid Substrat Große Größe Hohe Reinheit Durchmesser 300 mm Produktqualität Für 5G-Kommunikation Online-Herstellung

12 Zoll Sic Einzelkristall Siliziumkarbid Substrat Große Größe Hohe Reinheit Durchmesser 300 mm Produktqualität Für 5G-Kommunikation

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2 Zoll / 4 Zoll / 6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 4H-P Typ Off-Achse 2,0° Richtung Produktionsgrad

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6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H-P Typ für Kommunikations- und Radarsysteme Durchmesser 150 mm

6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 4H-P Durchmesser 150 mm Dicke 350 μm Null MPD-Produktion, Standard-Produktionsgrad

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