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kaufen 4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik Online Hersteller

4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik
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2025-07-31 09:09:08
kaufen 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll SiC Substrat 330um Dicke 4H-N Typ Produktionsgrad Online Hersteller

2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll SiC Substrat 330um Dicke 4H-N Typ Produktionsgrad
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2024-05-29 11:51:08
kaufen Silikonkarbid (SiC) -Substrat für hochwertige industrielle Anwendungen Online Hersteller

Silikonkarbid (SiC) -Substrat für hochwertige industrielle Anwendungen
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2024-05-22 13:44:43
kaufen 4H-P Siliziumkarbid SiC Substrat 4 Zoll SIC Wafer 6H-P Für III-V Nitride Ablagerung Online Hersteller

4H-P Siliziumkarbid SiC Substrat 4 Zoll SIC Wafer 6H-P Für III-V Nitride Ablagerung
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2024-09-24 17:30:38
kaufen 6H-P Siliziumkarbid SiC Substrat 6 Zoll SIC Wafer 4H-P für optoelektronische Geräte Online Hersteller

6H-P Siliziumkarbid SiC Substrat 6 Zoll SIC Wafer 4H-P für optoelektronische Geräte
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2024-09-24 17:30:38
kaufen 4° Außerhalb der Achse SiC-Substrat 2 Zoll Hochtemperaturanwendungen Epitaxialwafer Online Hersteller

4° Außerhalb der Achse SiC-Substrat 2 Zoll Hochtemperaturanwendungen Epitaxialwafer
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2024-05-29 11:51:08
kaufen SiC-Substrat mit einer Dicke von 4H-N 350um, verwendet in der Optoelektronik als Halbleitermaterial Online Hersteller

SiC-Substrat mit einer Dicke von 4H-N 350um, verwendet in der Optoelektronik als Halbleitermaterial
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2024-06-26 10:36:52
kaufen 4H-SEMI SiC-Substrat-Schnittscheibe Durchmesser 10 mm Dicke 5 mm <0001> Hohe Härte Online Hersteller

4H-SEMI SiC-Substrat-Schnittscheibe Durchmesser 10 mm Dicke 5 mm <0001> Hohe Härte
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2024-08-27 09:59:55
kaufen 4H-N Siliziumkarbid SiC-Substrat 8 Zoll Dicke 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer Online Hersteller

4H-N Siliziumkarbid SiC-Substrat 8 Zoll Dicke 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer
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2024-08-15 09:05:17
kaufen 4H-SEMI Siliziumkarbid SiC Substrat 2 Zoll Dicke 350um 500um Primärqualität Dummy Qualität SiC Wafer Online Hersteller

4H-SEMI Siliziumkarbid SiC Substrat 2 Zoll Dicke 350um 500um Primärqualität Dummy Qualität SiC Wafer
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2024-08-15 09:03:01
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Sic Substrat

Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic

2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter

4H-SEMI polierte sic Oblatenlinse 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 Härte für Gerät-Material

Saphir-Oblate

Windows-Special-Orientierung des Halbleiterwafer-kundenspezifische Saphir-Glas-/Saphir

Saphir-Wafer Dicke 0,43 mm Saphir-Komponenten individuell angepasst Größe und Ausrichtung

Quadratische Saphir-Oblate/Saphir-Kristallglas 10x10mm 5x5mm für optische Linse

2°Off C - Achsen-synthetischer Saphir Glas-Epi - bereiter Zoll Durchmesser 50.8mm der Substrat-2

Gallium-Nitrid-Oblate

Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um

2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt

Schablone 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN auf Saphirc$epi-oblate AlN-Auf-Saphiroblate

Gallium-Nitrid GaN AlN 2inch 4Inch Schablonen-Oblate auf Saphir, Si-Substrate

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