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2 Zoll 4H-P SIC Siliziumkarbid Wafer für Photovoltaik Dicke 350 μm Durchmesser 50,8 mm Nullgrad

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2 Zoll 4H-P SIC Siliziumkarbid Wafer für Photovoltaik Dicke 350 μm Durchmesser 50,8 mm Nullgrad

Großes Bild : 2 Zoll 4H-P SIC Siliziumkarbid Wafer für Photovoltaik Dicke 350 μm Durchmesser 50,8 mm Nullgrad

Produktdetails:

Herkunftsort:	China
Markenname:	ZMSH
Zertifizierung:	rohs
Modellnummer:	4H-P SiC

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge:	10 Prozent
Preis:	by case
Verpackung Informationen:	Kunststoffschachtel nach Maß
Lieferzeit:	in 30days
Zahlungsbedingungen:	T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:	1000pc/month

Kontakt

Ausführliche Produkt-Beschreibung

Oberflächenhärte:	HV0,3>2500	Dichte:	3.21 G/cm3
Koeffizient der thermischen Ausdehnung:	4,5 X 10-6/K	Dielektrische Konstante:	9,7
Zugfestigkeit:	>400MPa	Material:	SiC-Einkristall
Größe:	2 Zoll	Abbruchspannung:	5,5 MV/cm
Hervorheben:	350 μm Sic Siliziumkarbid Wafer , Photovoltaik-SIC-Siliziumkarbidwafer , 50.8mm SIC Siliziumkarbidwafer

Beschreibung des Produkts:

2 Zoll 4H-P SIC Siliziumkarbid Wafer für Photovoltaik Dicke 350 μm Durchmesser 50,8 mm Nullgrad

4H-P Siliziumcarbid (SiC) ist ein wichtiges Halbleitermaterial, das häufig in Hochtemperatur-, Hochfrequenz- und Hochleistungsgeräten verwendet wird.4H-SiC ist eine Kristallstruktur, die ein sechseckiges Gitter hatDie breite Bandbreite (ca. 3,26 eV) ermöglicht es, in Umgebungen mit hoher Temperatur und hoher Spannung zu arbeiten.kann die Wärme wirksam leiten und abführenDie hohe Wärmeleitfähigkeit (ca. 4,9 W/m·K), die dem Silizium überlegen ist, kann die Wärme wirksam leiten und abwälzen.P-Doped Siliziumkarbid hat einen geringen Widerstand und eignet sich für den Bau von PN-VerbindungenMit der Entwicklung von Elektrofahrzeugen und erneuerbaren Energietechnologien dürfte die Nachfrage nach Siliziumkarbid des Typs 4H-P weiter zunehmen.Förderung der damit verbundenen Forschung und technologischen Entwicklung.

Eigenschaften:

· Typ: 4H-SiC-Kristall hat eine sechsseitige Gitterstruktur und bietet hervorragende elektrische Eigenschaften.

· Breite Bandbreite: ca. 3,26 eV für Hochtemperatur- und Hochfrequenzanwendungen.

· P-Typ-Doping: Die P-Typ-Leitfähigkeit wird durch Doping-Elemente wie Aluminium erreicht, wodurch die Porenleiterkonzentration erhöht wird.

· Widerstandsfähigkeit: Niedrige Widerstandsfähigkeit, geeignet für Hochleistungsgeräte.

· Hohe Wärmeleitfähigkeit: ca. 4,9 W/m·K, wirksame Wärmeableitung, geeignet für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte.

· Hochtemperaturbeständigkeit: Es kann in hochtemperaturartigen Umgebungen stabil arbeiten.

· Hohe Härte: Sehr hohe mechanische Festigkeit und Zähigkeit bei harten Bedingungen.

· Hohe Ausfallspannung: Sie kann höheren Spannungen standhalten und die Größe des Geräts reduzieren.

· Niedriger Schaltverlust: Gute Schaltcharakteristiken bei Hochfrequenzbetrieb, um die Effizienz zu verbessern.
· Korrosionsbeständigkeit: Gute Korrosionsbeständigkeit gegen eine Vielzahl von Chemikalien.

· Weite Anwendungsbereiche: geeignet für Elektrofahrzeuge, Wechselrichter, Hochleistungsverstärker und andere Bereiche.

Technische Parameter:

Anwendungen:

1Leistungselektronik
Leistungsumwandler: Für effiziente Leistungsadapter und Wechselrichter für kleinere Größen und höhere Energieeffizienz.
Elektrofahrzeuge: Optimierung der Leistungsumwandlungseffizienz in Antriebsmodule und Ladestationen für Elektrofahrzeuge.

2. HF-Geräte
Mikrowellenverstärker: In Kommunikations- und Radarsystemen verwendet, um zuverlässige Hochfrequenzleistung zu bieten.
Satellitenkommunikation: Hochleistungsverstärker für Kommunikationssatelliten.

3. Hochtemperaturanwendungen
Sensor: Ein Sensor, der in extremen Temperaturen eingesetzt wird und einen stabilen Betrieb ermöglicht.
Industrieausrüstung: Ausrüstung und Instrumente, die an hohe Temperaturen angepasst sind.

4. Optoelektronik
LED-Technologie: Wird zur Verbesserung der Lichteffizienz in spezifischen LEDs mit kurzer Wellenlänge verwendet.
Laser: Effiziente Anwendungen mit Laser.

5. Stromversorgungssystem
Smart Grid: Verbesserung der Energieeffizienz und Stabilität bei der Hochspannungs-Gleichstromübertragung (HGÜ) und dem Netzmanagement.

6. Verbraucherelektronik
Schnellladegerät: Ein tragbares Ladegerät für elektronische Geräte, das die Ladeeffizienz verbessert.

7. Erneuerbare Energien
Solarumrichter: Höhere Energieumwandlungseffizienz in Photovoltaikanlagen erreichen.

Anpassung:

Unser SiC-Substrat ist in 4H-P-Typen erhältlich und RoHS-zertifiziert. Die Mindestbestellmenge beträgt 10pc und der Preis ist pro Fall. Die Verpackungsdetails sind kundenspezifische Plastikkartons.Die Lieferzeit ist innerhalb von 30 Tagen und wir akzeptieren T / T ZahlungsbedingungenWir haben eine Lieferkapazität von 1000 Stück pro Monat.

Unsere Dienstleistungen:

1- Fabrik-Direktfertigung und Verkauf.

2Schnelle, genaue Zitate.

3Wir antworten Ihnen innerhalb von 24 Arbeitsstunden.

4. ODM: kundenspezifisches Design ist erhältlich.

5Schnelligkeit und kostbare Lieferung.

Häufige Fragen:
F: Wie ist der Versand und die Kosten?
A:(1) Wir akzeptieren DHL, Fedex, EMS usw.
(2) Wenn Sie ein eigenes Expresskonto haben, ist das toll. Wenn nicht, können wir Ihnen helfen, sie zu versenden.
Die Fracht entspricht der tatsächlichen Rechnung.

F: Wie zahlen?
A:50% Anzahlung, 50% vor der Lieferung T/T, Paypal.

F: Was ist Ihr MOQ?
A: (1) Für Lagerbestände beträgt die MOQ 10 Stück.
(2) Für maßgeschneiderte Produkte beträgt die MOQ 25 Stück.

F: Wie ist die Lieferzeit?
A: (1) Für die Standardprodukte
Für Bestände: Die Lieferung erfolgt 5 Werktage nach Bestellung.
Für maßgeschneiderte Produkte: Die Lieferung erfolgt 2 oder 3 Wochen nach Bestellung.

Größe und Tag:

sic Oblate,

sic Substrat,

Silikonkarbidsubstrat

Kontaktdaten

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Ansprechpartner: Mr. Wang

Telefon: +8615801942596

Andere Produkte

6-Zoll-Ultra-Hochspannungs-SiC-Epitaxialwafer 100 500 μm Für MOSFET-Geräte

Material: 4H-SiC

Dicke: 200-300um

Leitfähigkeitsart: N-Typ (dotiert mit Stickstoff)

Widerstand: beliebig

Kundenspezifische quadratische optische Fenster, grüner Moissanit, SiC-Kristall, hohe Härte

Größe/Form: angepasst

Material: SIC Kristall

Dicke Typischer Bereich: 0,5 mm–3 mm

Optischer Übertragungsbereich: 0,4 μm - 5,5 μm

4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll SICOI Wafer 4H-SiC auf Isolator 100 bis 150 mm SiC-Film AUF Silizium

Size: 4inch/6inch/8inch

Surface Roughness: Ra<0.5nm

Fracture Toughness: 3.5 MPa·m¹/²

CTE (4H-SiC): 4.2×10⁻⁶/K

2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4H-SiC Substrate 3C-N Typ MOS-Grad

Größe: 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, 5 × 5,10 × 10

Dielektrizitätskonstante: 9.7

Oberflächenhärte: HV0.3> 2500

Dichte: 3,21 g/cm3

3C-SiC-Substrat, N-Typ, Produktqualität für 5G-Kommunikation

Größe: 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, 5 × 5,10 × 10

Dielektrizitätskonstante: 9.7

Oberflächenhärte: HV0.3> 2500

Dichte: 3,21 g/cm3

2 Zoll 4H-P SIC Siliziumkarbid Wafer für Photovoltaik Dicke 350 μm Durchmesser 50,8 mm Nullgrad

2 Zoll 4H-P SIC Siliziumkarbid Wafer für Photovoltaik Dicke 350 μm Durchmesser 50,8 mm Nullgrad

350 μm Sic Siliziumkarbid Wafer

Photovoltaik-SIC-Siliziumkarbidwafer

50.8mm SIC Siliziumkarbidwafer

Beschreibung des Produkts:

2 Zoll 4H-P SIC Siliziumkarbid Wafer für Photovoltaik Dicke 350 μm Durchmesser 50,8 mm Nullgrad

Eigenschaften:

· Typ: 4H-SiC-Kristall hat eine sechsseitige Gitterstruktur und bietet hervorragende elektrische Eigenschaften.

· Breite Bandbreite: ca. 3,26 eV für Hochtemperatur- und Hochfrequenzanwendungen.

· P-Typ-Doping: Die P-Typ-Leitfähigkeit wird durch Doping-Elemente wie Aluminium erreicht, wodurch die Porenleiterkonzentration erhöht wird.

· Widerstandsfähigkeit: Niedrige Widerstandsfähigkeit, geeignet für Hochleistungsgeräte.

· Hohe Wärmeleitfähigkeit: ca. 4,9 W/m·K, wirksame Wärmeableitung, geeignet für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte.

· Hochtemperaturbeständigkeit: Es kann in hochtemperaturartigen Umgebungen stabil arbeiten.

· Hohe Härte: Sehr hohe mechanische Festigkeit und Zähigkeit bei harten Bedingungen.

· Hohe Ausfallspannung: Sie kann höheren Spannungen standhalten und die Größe des Geräts reduzieren.

· Niedriger Schaltverlust: Gute Schaltcharakteristiken bei Hochfrequenzbetrieb, um die Effizienz zu verbessern.· Korrosionsbeständigkeit: Gute Korrosionsbeständigkeit gegen eine Vielzahl von Chemikalien.

· Weite Anwendungsbereiche: geeignet für Elektrofahrzeuge, Wechselrichter, Hochleistungsverstärker und andere Bereiche.

Technische Parameter:

Anwendungen:

1LeistungselektronikLeistungsumwandler: Für effiziente Leistungsadapter und Wechselrichter für kleinere Größen und höhere Energieeffizienz.Elektrofahrzeuge: Optimierung der Leistungsumwandlungseffizienz in Antriebsmodule und Ladestationen für Elektrofahrzeuge.

2. HF-GeräteMikrowellenverstärker: In Kommunikations- und Radarsystemen verwendet, um zuverlässige Hochfrequenzleistung zu bieten.Satellitenkommunikation: Hochleistungsverstärker für Kommunikationssatelliten.

3. HochtemperaturanwendungenSensor: Ein Sensor, der in extremen Temperaturen eingesetzt wird und einen stabilen Betrieb ermöglicht.Industrieausrüstung: Ausrüstung und Instrumente, die an hohe Temperaturen angepasst sind.

4. OptoelektronikLED-Technologie: Wird zur Verbesserung der Lichteffizienz in spezifischen LEDs mit kurzer Wellenlänge verwendet.Laser: Effiziente Anwendungen mit Laser.

5. StromversorgungssystemSmart Grid: Verbesserung der Energieeffizienz und Stabilität bei der Hochspannungs-Gleichstromübertragung (HGÜ) und dem Netzmanagement.

6. VerbraucherelektronikSchnellladegerät: Ein tragbares Ladegerät für elektronische Geräte, das die Ladeeffizienz verbessert.

7. Erneuerbare EnergienSolarumrichter: Höhere Energieumwandlungseffizienz in Photovoltaikanlagen erreichen.

Anpassung:

Unsere Dienstleistungen:

1- Fabrik-Direktfertigung und Verkauf.

2Schnelle, genaue Zitate.

3Wir antworten Ihnen innerhalb von 24 Arbeitsstunden.

4. ODM: kundenspezifisches Design ist erhältlich.

5Schnelligkeit und kostbare Lieferung.

Häufige Fragen:F: Wie ist der Versand und die Kosten?A:(1) Wir akzeptieren DHL, Fedex, EMS usw.(2) Wenn Sie ein eigenes Expresskonto haben, ist das toll. Wenn nicht, können wir Ihnen helfen, sie zu versenden.Die Fracht entspricht der tatsächlichen Rechnung.

F: Wie zahlen?A:50% Anzahlung, 50% vor der Lieferung T/T, Paypal.

F: Was ist Ihr MOQ?A: (1) Für Lagerbestände beträgt die MOQ 10 Stück.(2) Für maßgeschneiderte Produkte beträgt die MOQ 25 Stück.

F: Wie ist die Lieferzeit?A: (1) Für die StandardprodukteFür Bestände: Die Lieferung erfolgt 5 Werktage nach Bestellung.Für maßgeschneiderte Produkte: Die Lieferung erfolgt 2 oder 3 Wochen nach Bestellung.

sic Oblate,

sic Substrat,

Silikonkarbidsubstrat

· Niedriger Schaltverlust: Gute Schaltcharakteristiken bei Hochfrequenzbetrieb, um die Effizienz zu verbessern.
· Korrosionsbeständigkeit: Gute Korrosionsbeständigkeit gegen eine Vielzahl von Chemikalien.

1Leistungselektronik
Leistungsumwandler: Für effiziente Leistungsadapter und Wechselrichter für kleinere Größen und höhere Energieeffizienz.
Elektrofahrzeuge: Optimierung der Leistungsumwandlungseffizienz in Antriebsmodule und Ladestationen für Elektrofahrzeuge.

2. HF-Geräte
Mikrowellenverstärker: In Kommunikations- und Radarsystemen verwendet, um zuverlässige Hochfrequenzleistung zu bieten.
Satellitenkommunikation: Hochleistungsverstärker für Kommunikationssatelliten.

3. Hochtemperaturanwendungen
Sensor: Ein Sensor, der in extremen Temperaturen eingesetzt wird und einen stabilen Betrieb ermöglicht.
Industrieausrüstung: Ausrüstung und Instrumente, die an hohe Temperaturen angepasst sind.

4. Optoelektronik
LED-Technologie: Wird zur Verbesserung der Lichteffizienz in spezifischen LEDs mit kurzer Wellenlänge verwendet.
Laser: Effiziente Anwendungen mit Laser.

5. Stromversorgungssystem
Smart Grid: Verbesserung der Energieeffizienz und Stabilität bei der Hochspannungs-Gleichstromübertragung (HGÜ) und dem Netzmanagement.

6. Verbraucherelektronik
Schnellladegerät: Ein tragbares Ladegerät für elektronische Geräte, das die Ladeeffizienz verbessert.

7. Erneuerbare Energien
Solarumrichter: Höhere Energieumwandlungseffizienz in Photovoltaikanlagen erreichen.

Häufige Fragen:
F: Wie ist der Versand und die Kosten?
A:(1) Wir akzeptieren DHL, Fedex, EMS usw.
(2) Wenn Sie ein eigenes Expresskonto haben, ist das toll. Wenn nicht, können wir Ihnen helfen, sie zu versenden.
Die Fracht entspricht der tatsächlichen Rechnung.

F: Wie zahlen?
A:50% Anzahlung, 50% vor der Lieferung T/T, Paypal.

F: Was ist Ihr MOQ?
A: (1) Für Lagerbestände beträgt die MOQ 10 Stück.
(2) Für maßgeschneiderte Produkte beträgt die MOQ 25 Stück.

F: Wie ist die Lieferzeit?
A: (1) Für die Standardprodukte
Für Bestände: Die Lieferung erfolgt 5 Werktage nach Bestellung.
Für maßgeschneiderte Produkte: Die Lieferung erfolgt 2 oder 3 Wochen nach Bestellung.