2 Zoll SIC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ für MOS-Gerät Dia 0.4mm

2 Zoll SIC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ für MOS-Gerät Dia 0.4mm

Einführung des Produktes

Das 4H-n-Typen-Siliziumkarbid (SiC) -Einkristallsubstrat ist ein kritisches Halbleitermaterial, das in Leistungselektronikgeräten, Radiofrequenzgeräten (RF) und optoelektronischen Geräten weit verbreitet ist.Dieser Artikel gibt einen umfassenden Überblick über die Herstellungsverfahren, Strukturmerkmale, Anwendungsbereiche und laufende Forschungsfortschritte im Zusammenhang mit dem 4H-n-Typen-Siliziumkarbid-Einkristallsubstrat.

Zu Beginn werden verschiedene Methoden zur Herstellung des 4H-n-Typ-Siliziumkarbid-Einkristallsubstrats erörtert, darunter Physikalischer Dampftransport (PVT), Chemische Dampfdeposition (CVD),und lasergestützte Trennung (LAS)Jede Technik hat Auswirkungen auf die Kristallqualität, die Oberflächenmorphologie und die Wirtschaftlichkeit des Substrats.

Der Artikel untersucht anschließend die strukturellen Eigenschaften des 4H-n-Typen-Siliziumkarbid-Einkristallsubstrats, einschließlich einer Analyse der Kristallstruktur,Verteilung der VerunreinigungskonzentrationenHochwertige Einkristallsubstrate aus Siliziumkarbid des Typs 4H n weisen eine überlegene Kristallqualität und niedrigere Verunreinigungskonzentrationen auf.die für die Verbesserung der Leistung des Geräts von entscheidender Bedeutung sind.

Die Anwendungen des 4H-n-Typen-Siliziumkarbid-Einkristallsubstrats in Leistungselektronikgeräten, HF-Geräten und optoelektronischen Geräten werden dann diskutiert.Aussergewöhnliche thermische Stabilität des Substrats, elektrische Eigenschaften und breite Bandbreite machen es für verschiedene Geräte sehr geeignet.

Schließlich fasst der Artikel den aktuellen Forschungsfortschritt zu 4H-n-Typen-Siliziumkarbid-Einkristallsubstraten zusammen und skizziert künftige Richtungen.Es wird erwartet, dass das 4H-N-Typ-Siliziumkarbid-Einkristallsubstrat in einer breiteren Palette von Anwendungen eine zentrale Rolle spielen wird., die Verbesserung und Innovation elektronischer Geräte unterstützt.

Produktparameter

Produktanzeige

Hauptmerkmale des Produkts

Siliziumkarbid (SiC) ist als revolutionäres Material im Bereich der Halbleitertechnologie entstanden, und das 4H-n-Typen-SiC-Substrat zeichnet sich als zentrale Komponente mit unverwechselbaren Merkmalen aus.Dieses Substrat, gekennzeichnet durch seine hexagonale Kristallstruktur und n-Typ-Leitfähigkeit, weist eine Vielzahl von Schlüsselmerkmalen auf, die zu seiner weit verbreiteten Verwendung in verschiedenen elektronischen Anwendungen beitragen.

• Hexagonale Kristallstruktur:

Das 4H SiC-Substrat verfügt über ein hexagonales Kristallgitter, ein Strukturmerkmal, das dem Material einzigartige elektrische und thermische Eigenschaften verleiht.Diese Kristallstruktur ist entscheidend für die Herstellung leistungsstarker elektronischer Geräte.

• Hohe Elektronenmobilität:

Eine der herausragenden Eigenschaften des 4H-SiC-Substrats ist seine außergewöhnliche Elektronenmobilität, die eine schnellere Bewegung des Ladungsträgers innerhalb des Materials ermöglicht.Beitrag zur Effizienz des Substrats bei Hochfrequenz- und Hochleistungsanwendungen.

• Weite Bandbreite:

Die breite Bandbreite von SiC, die sich aus der hexagonalen Kristallstruktur ergibt, ist ein wichtiges Merkmal, das die Leistungsfähigkeit des Substrats verbessert.Die breite Bandbreite ermöglicht die Entwicklung von Geräten, die bei hohen Temperaturen und in rauen Umgebungen arbeiten können.

• N-Typ-Leitfähigkeit:

Das 4H SiC-Substrat ist speziell so doppiert, dass es eine n-Typ-Leitfähigkeit aufweist, was bedeutet, dass es einen Überschuss an Elektronen als Ladungsträger hat.Diese Art von Doping ist für bestimmte Anwendungen von Halbleitergeräten unerlässlich., einschließlich Leistungselektronik und HF-Geräte.

• Hochspannung:

Die Fähigkeit des Materials, starken elektrischen Feldern ohne Ausfall standzuhalten, ist ein entscheidendes Merkmal für Leistungseinrichtungen.Die hohe Abbruchspannung des 4H n-Typ-SiC-Substrats ist maßgeblich für die Zuverlässigkeit und Langlebigkeit elektronischer Komponenten.

• Wärmeleitfähigkeit:

SiC-Substrate weisen eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit auf und eignen sich daher für Anwendungen, bei denen eine effiziente Wärmeableitung entscheidend ist.Diese Eigenschaft ist besonders vorteilhaft bei Leistungselektronikgeräten, bei denen die Minimierung des Wärmewiderstands unerlässlich ist.

• Chemische und mechanische Stabilität:

Das SiC-Substrat des Typs 4H n weist eine robuste chemische und mechanische Stabilität auf, was es für Anwendungen unter rauen Betriebsbedingungen geeignet macht.Diese Stabilität trägt zur Langlebigkeit und Zuverlässigkeit des Substrats in verschiedenen Umgebungen bei..

• Optische Transparenz:

Zusätzlich zu seinen elektronischen Eigenschaften besitzt das 4H SiC-Substrat auch eine optische Transparenz in bestimmten Wellenlängenbereichen.Diese Eigenschaft ist für Anwendungen wie Optoelektronik und bestimmte Sensortechnologien von Vorteil.

• Vielseitigkeit bei der Herstellung von Geräten:

Die einzigartige Kombination der Eigenschaften des 4H SiC-Substrats ermöglicht die Herstellung verschiedener elektronischer Geräte, darunter Leistungs-MOSFETs, Schottky-Dioden und Hochfrequenz-HF-Geräte.Seine Vielseitigkeit trägt dazu bei, daß er in verschiedenen technologischen Bereichen weit verbreitet ist..

• Fortschritte in Forschung und Entwicklung:

Die kontinuierlichen Forschungs- und Entwicklungsanstrengungen auf dem Gebiet der SiC-Technologie führen zu Fortschritten bei den wichtigsten Eigenschaften von 4H-n-SiC-Substraten.Die laufenden Innovationen zielen darauf ab, die Leistung weiter zu verbessern, Zuverlässigkeit und dem Anwendungsbereich dieser Substrate.

Abschließend kann gesagt werden, dass das 4H-SiC-Substrat des Typ n als Eckpfeiler der Entwicklung der Halbleitertechnologie dient.bietet ein Spektrum an Schlüsselmerkmalen, die es für leistungsstarke elektronische Geräte unverzichtbar machenSeine hexagonale Kristallstruktur, hohe Elektronenmobilität, breite Bandbreite und andere charakteristische Eigenschaften positionieren es als ein führendes Material für die Weiterentwicklung von Technologien in der Leistungselektronik, HF-Geräten und,und darüber hinaus.