SiC-Samenwafer 4H N Typ Dia 153 155 2 Zoll-12 Zoll für die Herstellung von MOSFETs

SiC-Samenwafer 4H N Typ Dia 153 155 2 Zoll-12 Zoll angepasst Für die Herstellung von MOSFETs verwendet

SiC-Kristallwafern dienen als Grundmaterialien in der Halbleiterindustrie.Hergestellt aus hochreinen Siliziumcarbid (SiC) -Rohstoffen durch physikalischen Dampftransport (PVT) oder chemische Dampfdeposition (HTCVD), spezialisiert sich unser Unternehmen auf die Lieferung von 2-12 Zoll großen SiC-Kristallwafern mit verschiedenen Durchmesser-Spezifikationen (Dia153, 155, 203, 205, 208) zur Erfüllung verschiedener Kundenanforderungen.

Ausgestattet mit modernsten Produktionsanlagen für SiC-Samen-Kristallwafer verfügt ZMSH über umfassende Fähigkeiten, die Kristallwachstum, Schneiden, Schleifen und Polieren umfassen.Sie ermöglichen uns, hochpräzise Anpassungsdienste anzubieten.Weiter geht's. we will continue to optimize manufacturing processes for large-size (8-12 inch) SiC seed crystal wafers while enhancing crystal quality and yield rates to facilitate their applications in high-end markets including power electronics, HF-Geräte und neue Energiefahrzeuge.

Schlüsselmerkmale derSiC-Samenwafer

• außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit (490 W/m·K):SiC-Kristallwaffen weisen eine überlegene Wärmeablösung auf, was sie ideal für Hochleistungsgeräte macht.

• Weite Bandbreite (3.2 eV):SiC-Samen-Kristallwafer weisen eine hohe Spannungs- und Temperaturbeständigkeit auf und können bei über 600 °C betrieben werden.

• Ausgezeichnete chemische Stabilität:SiC-Samen-Kristallwafer bieten eine bemerkenswerte Korrosionsbeständigkeit für harte Umgebungen.

• Niedrige Defektdichte (EPD < 103/cm2):Die hohe Kristallqualität sorgt für eine stabile Leistung des Geräts.

• Ausgezeichnete mechanische FestigkeitMit einer Härte, die dem Diamanten nahe kommt, bieten die Wafer eine ausgezeichnete Verschleiß- und Stoßbeständigkeit.

Technische Spezifikationen für SiC-Samenwaffen

Hauptanwendungen vonSiC-Samenwafer

• Leistungshalbleiter:SiC-Samen-Kristallwafer werden bei der Herstellung hocheffizienter Stromgeräte wie MOSFETs und SBDs verwendet.

• HF-Geräte:SiC-Samen-Kristallwafer eignen sich für Hochfrequenzanwendungen, einschließlich 5G-Basisstationen und Radarsysteme.

• Neue Energiefahrzeuge:SiC-Samen-Kristallwafer, die in kritischen Komponenten wie elektrischen Antriebssystemen und Bordladegeräten verwendet werden.

• Photovoltaikanlage:SiC-Kristallwaffen erhöhen die Effizienz der Energieumwandlung und reduzieren gleichzeitig den Stromverlust.

• Luft- und RaumfahrtSiC-Samen-Kristallwafer sind in der Lage, extremen Temperaturen und Strahlung für elektronische Geräte in rauen Umgebungen standzuhalten.

Verwandte Produkte

ZMSH nutzt proprietäre Fertigungstechnologien, um umfassende End-to-End-Services vom Kristallwachstum bis zur Präzisionsverarbeitung bereitzustellen, einschließlich kundenspezifischer Wafergrößen (2-12 Zoll),Durchmesser (Dia153/155/203/205/208)Unsere SiC-Kristallwaffen erfüllen internationale Standards in Kristallreinheit, Fehlerkontrolle und Maßgenauigkeit.Erfüllung der Anforderungen an High-End-Anwendungen in der LeistungselektronikMit einer starken Produktionskapazität und flexiblen Lieferkettenlösungen ist dieWir gewährleisten eine zuverlässige Lieferung in großen Mengen und beibehalten gleichzeitig eine strenge Qualitätskontrolle während des gesamten Herstellungsprozesses und der LieferungUnser technisches Team unterstützt Kunden bei der Optimierung ihrer Halbleiterlösungen.

SiC-Substrate des Typs 4H-N/SEMI: