| Markenbezeichnung: | ZMSH |
| Modellnummer: | InSb-Te-Substrate |
| MOQ: | 25pcs |
| Preis: | Verhandelbar |
| Lieferzeit: | in 30 Tage |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Hohe Trägerkonzentration | Es hat eine höhere elektrische Leitfähigkeit und einen geringen Widerstand in elektronischen Geräten. |
| Hohe Mobilität der Träger | Es beschreibt die Träger in einem Material, die sich unter einem elektrischen Feld bewegen. |
| Bestimmung der Art | Tellurium-Doping kann die Hitze von InSb-Kristallmaterialien erhöhen. |
| Lichtabsorption | Tellurium-Doping kann die Bandverbindungen der InSb-Kristalle verändern. |
| Lichtemission | Te-doppiertes InSb kann stimuliert werden, um eine Lichtemission zu erzeugen, indem externe Erregung oder Elektroneninjektion. |
| Vereinbarkeit | Das TE-doppierte InSb-Substrat hat eine gute Gitterverknüpfung mit anderen Halbleitern. |
| Wärmestabilität | Die Thermostabilität von InSb-Materialien kann durch Tellurium-Doping verbessert werden. |
| Optische Eigenschaft | Der Tellurium-Doping wirkt sich auch auf die optischen Eigenschaften von InSb-Materialien |
|
Parameter |
InSb-Te-2in-510um-PP |
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Wachstumsmethode |
CZ |
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Dopant |
Die |
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Orientierung |
(111) +/- 0,5° |
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Orientierungswinkel |
N/A |
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Runden der Kanten |
0.25 |
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Durchmesser |
50.5+/-0.5 |
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Stärke |
510+/-25 |
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Ausrichtung |
EJ[01-1]+/-0,5° |
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Längen |
16+/-2 |
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IF-Orientierung |
EJ[01-1]+/-0,5° |
|
IF Länge |
8+/-1 |
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CC |
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Mobilität |
>100000@77K |
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EPD-AVE |
≤ 50 |
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TTV |
≤ 10 |
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TIR |
≤ 10 |
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Bogen |
≤ 10 |
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Warpgeschwindigkeit |
≤ 15 |
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Vorderfläche |
Polstert |
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Rückseitenfläche |
Polstert |
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Pachaging |
Einfach auf dem Teller |
1• Hochgeschwindigkeitsgeräte: InSb-Kristalle mit Tellurium haben auch Potenzial für Hochgeschwindigkeitsgeräte.
2. Quantenstrukturgeräte: InSb-Kristalle, die mit Te bestückt sind, können zur Herstellung von Quantenstrukturgeräten verwendet werden, z. B.
Quantenbrunnen und Quantenpunktgeräte.
3Optoelektronische Geräte: InSb-Kristalle, die mit Te bestückt sind, können zur Herstellung verschiedener optoelektronischer Geräte verwendet werden, z. B.
mit einer Leistung von mehr als 100 W und einer Leistung von mehr als 100 W
4- Infrarotdetektor: InSb-Kristalle, die mit Te bestückt sind, können zur Herstellung von Hochleistungs-Infrarotdetektoren verwendet werden.
Die Doppelung mit Tellurium kann die Trägerkonzentration und die Trägermobilität erhöhen.
5Infrarotlaser: InSb-Kristalle, die mit Te bestückt sind, haben auch Anwendungsmöglichkeiten im Bereich der Infrarotlaser.
In den meisten Fällen wird die Anlage von InSb-Kristallen durch die Verarbeitung von Tellurium in InSb-Kristalle, die Bandstruktur von INSB-Kristallen, die Arbeit von Infrarotlasern realisieren.
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F: Was ist der Markenname vonTe-InSb?
A: Der Markenname vonTe-InSbist ZMSH.
F: Was ist die Zertifizierung vonTe-InSb?
A: Die Zertifizierung vonTe-InSbist ROHS.
F: Wo ist der Ursprungsort vonTe-InSb?
A: Herkunftsort vonTe-InSbist China.
F: Welches ist das MOQ vonTe-InSb gleichzeitig?
A: Die MOQ vonTe-InSbist 25 Stück auf einmal.