Produkt-Details
Herkunftsort: China
Markenname: ZMSH
Zertifizierung: ROHS
Modellnummer: InSb-Te-Substrate
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Min Bestellmenge: 25pcs
Preis: Verhandelbar
Verpackung Informationen: kundengebundener Kasten
Lieferzeit: in 30 Tage
Zahlungsbedingungen: T/T
Material: |
InSb-Te |
Durchmesser: |
2" |
Dotierstoff: |
TE |
Orientierung: |
(111) +/- 0,5° |
Stärke: |
510+/-25um |
TTV: |
≤10um |
Wachstums-Methode: |
CZ |
Mobilität: |
>100000@77K |
Anwendung: |
Halbleiter-Substrate |
Material: |
InSb-Te |
Durchmesser: |
2" |
Dotierstoff: |
TE |
Orientierung: |
(111) +/- 0,5° |
Stärke: |
510+/-25um |
TTV: |
≤10um |
Wachstums-Methode: |
CZ |
Mobilität: |
>100000@77K |
Anwendung: |
Halbleiter-Substrate |
Hohe Trägerkonzentration | Es hat eine höhere elektrische Leitfähigkeit und einen geringen Widerstand in elektronischen Geräten. |
Hohe Mobilität der Träger | Es beschreibt die Träger in einem Material, die sich unter einem elektrischen Feld bewegen. |
Bestimmung der Art | Tellurium-Doping kann die Hitze von InSb-Kristallmaterialien erhöhen. |
Lichtabsorption | Tellurium-Doping kann die Bandverbindungen der InSb-Kristalle verändern. |
Lichtemission | Te-doppiertes InSb kann stimuliert werden, um eine Lichtemission zu erzeugen, indem externe Erregung oder Elektroneninjektion. |
Vereinbarkeit | Das TE-doppierte InSb-Substrat hat eine gute Gitterverknüpfung mit anderen Halbleitern. |
Wärmestabilität | Die Thermostabilität von InSb-Materialien kann durch Tellurium-Doping verbessert werden. |
Optische Eigenschaft | Der Tellurium-Doping wirkt sich auch auf die optischen Eigenschaften von InSb-Materialien |
Parameter |
InSb-Te-2in-510um-PP |
Wachstumsmethode |
CZ |
Dopant |
Die |
Orientierung |
(111) +/- 0,5° |
Orientierungswinkel |
N/A |
Runden der Kanten |
0.25 |
Durchmesser |
50.5+/-0.5 |
Stärke |
510+/-25 |
Ausrichtung |
EJ[01-1]+/-0,5° |
Längen |
16+/-2 |
IF-Orientierung |
EJ[01-1]+/-0,5° |
IF Länge |
8+/-1 |
CC |
|
Mobilität |
>100000@77K |
EPD-AVE |
≤ 50 |
TTV |
≤ 10 |
TIR |
≤ 10 |
Bogen |
≤ 10 |
Warpgeschwindigkeit |
≤ 15 |
Vorderfläche |
Polstert |
Rückseitenfläche |
Polstert |
Pachaging |
Einfach auf dem Teller |
1• Hochgeschwindigkeitsgeräte: InSb-Kristalle mit Tellurium haben auch Potenzial für Hochgeschwindigkeitsgeräte.
2. Quantenstrukturgeräte: InSb-Kristalle, die mit Te bestückt sind, können zur Herstellung von Quantenstrukturgeräten verwendet werden, z. B.
Quantenbrunnen und Quantenpunktgeräte.
3Optoelektronische Geräte: InSb-Kristalle, die mit Te bestückt sind, können zur Herstellung verschiedener optoelektronischer Geräte verwendet werden, z. B.
mit einer Leistung von mehr als 100 W und einer Leistung von mehr als 100 W
4- Infrarotdetektor: InSb-Kristalle, die mit Te bestückt sind, können zur Herstellung von Hochleistungs-Infrarotdetektoren verwendet werden.
Die Doppelung mit Tellurium kann die Trägerkonzentration und die Trägermobilität erhöhen.
5Infrarotlaser: InSb-Kristalle, die mit Te bestückt sind, haben auch Anwendungsmöglichkeiten im Bereich der Infrarotlaser.
In den meisten Fällen wird die Anlage von InSb-Kristallen durch die Verarbeitung von Tellurium in InSb-Kristalle, die Bandstruktur von INSB-Kristallen, die Arbeit von Infrarotlasern realisieren.
F: Was ist der Markenname vonTe-InSb?
A: Der Markenname vonTe-InSbist ZMSH.
F: Was ist die Zertifizierung vonTe-InSb?
A: Die Zertifizierung vonTe-InSbist ROHS.
F: Wo ist der Ursprungsort vonTe-InSb?
A: Herkunftsort vonTe-InSbist China.
F: Welches ist das MOQ vonTe-InSb gleichzeitig?
A: Die MOQ vonTe-InSbist 25 Stück auf einmal.
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