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55mm/1010mm Siliziumkarbid Wafer Dicke 350μm Sic 3C-N Typ Hohe mechanische Festigkeit Produktionsgrad

Name: 5*5mm/10*10mm Siliziumkarbid Wafer Dicke 350μm Sic 3C-N Typ Hohe mechanische Festigkeit Produktionsgrad
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 3C-N SiC
Price: Verhandelbar USD
Availability: InStock

Produkt-Details

Herkunftsort: China

Markenname: ZMSH

Zertifizierung: rohs

Modellnummer: 3C-N SiC

Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke

Min Bestellmenge: 10 Prozent

Preis: by case

Verpackung Informationen: Kunststoffschachtel nach Maß

Lieferzeit: in 30days

Zahlungsbedingungen: T/T

Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000pc/month

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Produkt-Details

Produkt-Beschreibung

Hervorheben: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                350 μm Siliziumkarbidwafer, Silikonkarbidwafer des Typs Sic 3C-N, Silikonkarbidwafer mit hoher mechanischer Festigkeit
                              

Größe:	55mm/1010mm	Dielektrische Konstante:	9,7
Oberflächenhärte:	HV0,3>2500	Dichte:	3.21 G/cm3
Koeffizient der thermischen Ausdehnung:	4,5 X 10-6/K	Abbruchspannung:	5,5 MV/cm
Anwendungen:	Kommunikation, Radarsysteme

Größe:	55mm/1010mm
Dielektrische Konstante:	9,7
Oberflächenhärte:	HV0,3>2500
Dichte:	3.21 G/cm3
Koeffizient der thermischen Ausdehnung:	4,5 X 10-6/K
Abbruchspannung:	5,5 MV/cm
Anwendungen:	Kommunikation, Radarsysteme

5*5mm/10*10mm Siliziumkarbid Wafer Dicke 350μm Sic 3C-N Typ Hohe mechanische Festigkeit Produktionsgrad

Beschreibung des Produkts:

55mm/1010mm Siliziumkarbid Wafer Dicke 350μm Sic 3C-N Typ Hohe mechanische Festigkeit Produktionsgrad

3C-SiC (Cubic Silicon Carbide) ist ein breites Halbleitermaterial mit guten elektrischen und thermischen Eigenschaften, besonders geeignet für Hochfrequenz-Anwendungen für Hochleistungs- und elektronische GeräteN-Doping wird in der Regel durch Einführung von Elementen wie Stickstoff (N) und Phosphor (P) erreicht, wodurch das Material elektronenegativ wird und für eine Vielzahl von elektronischen Geräten geeignet ist.Die Bandlücke beträgt etwa 3Das N-Doping ermöglicht weiterhin eine hohe Elektronenmobilität, was die Leistung des Geräts verbessert.Eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit trägt dazu bei, die Wärmeabsorptionsfähigkeit von Stromgeräten zu verbessern. Es hat eine gute mechanische Festigkeit und eignet sich für den Einsatz in rauen Umgebungen. Es hat eine gute Beständigkeit gegen eine Vielzahl von Chemikalien und eignet sich für industrielle Anwendungen.es wird in hocheffizienten Leistungsumwandlern und Antrieben verwendet, geeignet für Elektrofahrzeuge und Systeme für erneuerbare Energien.

Eigenschaften:

· Breite Bandbreite: Bandbreite von etwa 3,0 eV für Anwendungen mit hoher Temperatur und hoher Spannung.

· Hohe Elektronenmobilität: N-Doping sorgt für eine gute Elektronenmobilität und verbessert die Gesamtleistung des Geräts.

• Ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit: Sie hat eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit und verbessert effektiv die Wärmeableitungsleistung und eignet sich für Anwendungen mit hoher Leistung.

· Gute mechanische Festigkeit: Es weist eine hohe Zähigkeit und Druckfestigkeit auf und eignet sich für den Einsatz in rauen Umgebungen.

· Chemikalienbeständigkeit: Gute Beständigkeit gegen eine Vielzahl von Chemikalien, was die Stabilität des Materials erhöht.

· Einstellbare elektrische Eigenschaften: Durch Anpassung der Dopingkonzentration können unterschiedliche elektrische Eigenschaften erreicht werden, um den Anforderungen verschiedener Anwendungen gerecht zu werden.

Technische Parameter:

5*5mm/10*10mm Siliziumkarbid Wafer Dicke 350μm Sic 3C-N Typ Hohe mechanische Festigkeit Produktionsgrad 4

Anwendungen:

1Leistungselektronik: für hocheffiziente Leistungsumwandler, Wechselrichter und Antriebe, weit verbreitet in Elektrofahrzeugen und erneuerbaren Energiesystemen.

2. HF- und Mikrowellengeräte: HF-Verstärker, Mikrowellengeräte, besonders geeignet für Kommunikations- und Radarsysteme.

3Optoelektronik: Es kann als Baustein für LEDs und Lichtdetektoren verwendet werden, insbesondere in blauen und ultravioletten Anwendungen.

4Sensoren: Für eine Vielzahl von Sensoren in Umgebungen mit hoher Temperatur und hoher Leistung, die eine zuverlässige Leistung bieten.

5Wireless Charging and Battery Management: Wird in drahtlosen Ladesystemen und Batterieverwaltungsgeräten verwendet, um die Effizienz und Leistung zu verbessern.

6Industrieelektrische Ausrüstung: In industriellen Automatisierungs- und Steuerungssystemen zur Verbesserung der Energieeffizienz und der Systemstabilität verwendet.

Anpassung:

Unser SiC-Substrat ist in 3C-N-Typ erhältlich und ist RoHS-zertifiziert. Die Mindestbestellmenge beträgt 10pc und der Preis ist pro Fall. Die Verpackungsdetails sind kundenspezifische Plastikkartons.Die Lieferzeit ist innerhalb von 30 Tagen und wir akzeptieren T / T Zahlungsbedingungen. Unsere Versorgungsfähigkeit beträgt 1000 Stück/Monat. Die SiC-Substratgröße beträgt 55mm/1010mm. Herkunftsort ist China.

Unsere Dienstleistungen:

1- Fabrik-Direktfertigung und Verkauf.

2Schnelle, genaue Zitate.

3Wir antworten Ihnen innerhalb von 24 Arbeitsstunden.

4. ODM: kundenspezifisches Design ist erhältlich.

5Schnelligkeit und kostbare Lieferung.

Häufige Fragen:

F: Arbeitet Ihre Firma nur mit SIC-Geschäft?
A: Ja, aber wir bauen den SIC-Kristall nicht alleine an.

F: Kann ich die Produkte anhand meiner Bedürfnisse anpassen?
A: Ja, wir können das Material, die Spezifikationen und Form, die Größe basierend auf Ihren Bedürfnissen anpassen.

F: Wo hat Ihr Unternehmen seinen Sitz?
A: Unsere Firma befindet sich in Shanghai, China.

F: Wie lange dauert die Lieferung der Produkte?
A: Im Allgemeinen dauert es 3~4 Wochen, um zu verarbeiten.

Tags:

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2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll Siliziumkarbid Wafer SiC 4H-N Dummy Grade Rrime Grade Hochhärte Halbleitermaterialien

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2 Zoll/4 Zoll/6 Zoll/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Siliziumkarbid Substrat Typ 3C-N Auf der Achse: < 111 > ± 0,5° Produktionsgrad Dummy-Grad

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5*5mm/10*10mm Siliziumkarbid Wafer Dicke 350μm Sic 3C-N Typ Hohe mechanische Festigkeit Produktionsgrad

350 μm Siliziumkarbidwafer

Silikonkarbidwafer des Typs Sic 3C-N

Silikonkarbidwafer mit hoher mechanischer Festigkeit

Beschreibung des Produkts:

5*5mm/10*10mm Siliziumkarbid Wafer Dicke 350μm Sic 3C-N Typ Hohe mechanische Festigkeit Produktionsgrad

Eigenschaften:

Technische Parameter:

Anwendungen:

Anpassung:

Unsere Dienstleistungen:

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3Wir antworten Ihnen innerhalb von 24 Arbeitsstunden.

4. ODM: kundenspezifisches Design ist erhältlich.

5Schnelligkeit und kostbare Lieferung.

Häufige Fragen:

F: Arbeitet Ihre Firma nur mit SIC-Geschäft?A: Ja, aber wir bauen den SIC-Kristall nicht alleine an.

F: Kann ich die Produkte anhand meiner Bedürfnisse anpassen?A: Ja, wir können das Material, die Spezifikationen und Form, die Größe basierend auf Ihren Bedürfnissen anpassen.

F: Wo hat Ihr Unternehmen seinen Sitz?A: Unsere Firma befindet sich in Shanghai, China.

F: Wie lange dauert die Lieferung der Produkte?A: Im Allgemeinen dauert es 3~4 Wochen, um zu verarbeiten.

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55mm/1010mm Siliziumkarbid Wafer Dicke 350μm Sic 3C-N Typ Hohe mechanische Festigkeit Produktionsgrad

55mm/1010mm Siliziumkarbid Wafer Dicke 350μm Sic 3C-N Typ Hohe mechanische Festigkeit Produktionsgrad

F: Arbeitet Ihre Firma nur mit SIC-Geschäft?
A: Ja, aber wir bauen den SIC-Kristall nicht alleine an.

F: Kann ich die Produkte anhand meiner Bedürfnisse anpassen?
A: Ja, wir können das Material, die Spezifikationen und Form, die Größe basierend auf Ihren Bedürfnissen anpassen.

F: Wo hat Ihr Unternehmen seinen Sitz?
A: Unsere Firma befindet sich in Shanghai, China.

F: Wie lange dauert die Lieferung der Produkte?
A: Im Allgemeinen dauert es 3~4 Wochen, um zu verarbeiten.