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SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

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Silikonkarbid-Sic-Wafer

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Guter Preis Hochtemperaturbeständige SiC-Stützplatte/Stützplatte für Waferträger Online
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Gallium-Nitrid-Oblaten-GaN-AUF-SICs EPI 4inch 6inch Oblaten

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Halbisolierendes SiC auf Si-Verbundwafer 4H-SEMI-Substrat P-Typ N-Typ Dicke 500 mm

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Sic Siliziumkarbid-Wafer 4H-P-Typ auf der Achse 0° zur Herstellung von Hochleistungsgeräten

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Sic Siliziumkarbid Wafer 5*5mm/10*10mm 4H-P Typ Produktionsgrad für Leistungselektronik

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Sic Siliziumkarbid Substrat 5.0*5.0mm Quadrat 6H-P Typ Dicke 350μm Nullgrad Dummy Grad

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Silikonkarbid SIC Wafer 10*10 mm 6H-P Dicke 350μm Für Hochleistungsgeräte

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Sic optische Linse 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI Form und Größe angepasst 6SP Dicke 10.05

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8-Zoll SiC Epitaxie-Wafer Durchmesser 200mm Dicke 500µm 4H-N Typ

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2 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 3C-N Typ 50.8 mm Durchmesser Produktionsgrad Forschungsgrad Dummy-Grad

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Siliziumkarbid Substrat 4' Sic 3C-N Durchmesser 100 mm Leitfähiges Typ Null MPD

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2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Produktionsqualität

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6 Zoll SiC Epitaxial Wafer Durchmesser 150mm 4H-N Typ 4H-P Typ Für 5G Kommunikation

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