SiC Ingot 6 Zoll Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot Hohe Härte Ingot

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Über 4H-N SiC-Ingot

- Unterstützung von maßgeschneiderten Modellen mit Design-Artwork

- ein hexagonaler Kristall (4H SiC), hergestellt aus SiC-Monokristall

- Hohe Härte, Mohs-Härte erreicht 9.2, nur hinter Diamanten.

- eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, geeignet für Hochtemperaturumgebungen.

- eine breite Bandbreite, geeignet für Hochfrequenz- und Hochleistungsgeräte.

Beschreibung des SiC-Ingots

SiC-Ingot (Silicon Carbide Ingot) ist ein hochreiner Kristall aus Siliziumkarbidmaterial, der in Hochleistungs-elektronischen Geräten und der Halbleiterindustrie weit verbreitet ist.

SiC-Ingots werden in der Regel mit Methoden wie physikalischem Dampftransport (PVT) oder chemischer Dampfdeposition (CVD) angebaut und haben eine extrem hohe Wärmeleitfähigkeit.breite Bandbreite und ausgezeichnete chemische Stabilität.

Diese Eigenschaften machen SiC-Ingots besonders geeignet für die Herstellung von elektronischen Geräten, für die ein schneller Schaltvorgang, ein hoher Temperatur- und Hochspannungsbetrieb erforderlich sind.

Der Wachstumsprozess von SiC-Ingots ist komplex und streng kontrolliert, um die hohe Qualität und die geringe Defektquote des Kristalls zu gewährleisten.

Aufgrund seiner hervorragenden thermischen und elektrischen Eigenschaften haben SiC-Ingots ein breites Anwendungspotenzial in den Bereichen Energieeinsparung, Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energien und Luftfahrt.

Darüber hinaus ist die Härte von SiC-Ingots extrem hoch, nahe der von Diamanten, was spezielle Geräte und Technologien beim Schneiden und Verarbeiten erfordert.

Insgesamt stellen SiC-Ingots eine wichtige Richtung für die künftige Entwicklung von Hochleistungsmaterialien für elektronische Geräte dar.

SiC-Ingot zum SiC-Substrat

Der Ingot wird zunächst durch ein Hochtemperatur-Schmelz- und Kühlverfahren angebaut und anschließend durch Verfahren wie Schneiden und Polieren zu einem Substrat verarbeitet.

Substrate sind die Grundmaterialien bei der Herstellung von Halbleitergeräten und werden zur Herstellung verschiedener elektronischer Komponenten verwendet.

Daher sind Siliziumcarbid-Ingots die wichtigsten Rohstoffe für die Herstellung von Siliziumcarbid-Substraten.

Einzelheiten zum SiC-Ingot