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4 Zoll Sic Siliziumkarbid Wafer 6H-P Typ Dicke 350μm Null / Prime Grade Dummy Grade

Produkt-Details

Herkunftsort: China

Markenname: ZMSH

Zertifizierung: rohs

Modellnummer: 6H-P SiC

Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke

Min Bestellmenge: 10 Prozent

Preis: by case

Verpackung Informationen: Kunststoffschachtel nach Maß

Lieferzeit: in 30days

Zahlungsbedingungen: T/T

Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000pc/month

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:

350 μm Sic Siliziumkarbid Wafer

,

6H-P Sic Siliziumkarbid Wafer

,

4 Zoll Sic Siliziumkarbid Wafer

Oberflächenhärte:
HV0,3>2500
Dichte:
3.21 G/cm3
Koeffizient der thermischen Ausdehnung:
4,5 X 10-6/K
Dielektrische Konstante:
9,7
Zugfestigkeit:
>400MPa
Material:
SiC-Einkristall
Größe:
4inch
Abbruchspannung:
5,5 MV/cm
Oberflächenhärte:
HV0,3>2500
Dichte:
3.21 G/cm3
Koeffizient der thermischen Ausdehnung:
4,5 X 10-6/K
Dielektrische Konstante:
9,7
Zugfestigkeit:
>400MPa
Material:
SiC-Einkristall
Größe:
4inch
Abbruchspannung:
5,5 MV/cm
4 Zoll Sic Siliziumkarbid Wafer 6H-P Typ Dicke 350μm Null / Prime Grade Dummy Grade

Beschreibung des Produkts:

4 Zoll Sic Siliziumkarbid Wafer 6H-P Typ Dicke 350μm Null-Grad Prime-Grad Dummy-Grad
6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) ist ein breites Halbleitermaterial mit guter Wärmeleitfähigkeit und hoher Temperaturbeständigkeit,mit einer Breite von mehr als 30 mm,P-Doping wird durch Einführung von Elementen wie Aluminium (Al) erreicht, wodurch das Material elektropositiv und für spezifische elektronische Geräte geeignet wird.mit einer Breite von mehr als 20 mm,. Die Wärmeleitfähigkeit ist vielen herkömmlichen Halbleitermaterialien überlegen und trägt zur Verbesserung der Geräteeffizienz bei..
Im Bereich der Leistungselektronik kann es zur Herstellung hocheffizienter Leistungseinrichtungen wie MOSFETs und IGBTs verwendet werden.Es hat eine ausgezeichnete Leistung in Hochfrequenzanwendungen und wird weitgehend in Kommunikationsgeräten verwendetIm Bereich der LED-Technologie kann es als Grundmaterial für blaue und ultraviolette LED-Geräte verwendet werden.

4 Zoll Sic Siliziumkarbid Wafer 6H-P Typ Dicke 350μm Null / Prime Grade Dummy Grade 04 Zoll Sic Siliziumkarbid Wafer 6H-P Typ Dicke 350μm Null / Prime Grade Dummy Grade 1

Eigenschaften:

·Breitbandlücke: Die Bandlücke beträgt etwa 3,0 eV und eignet sich somit für Anwendungen mit hoher Temperatur, hoher Spannung und hoher Frequenz.
·Ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit: Mit guter Wärmeleitfähigkeit hilft die Wärmeableitung, verbessert die Leistung und Zuverlässigkeit des Geräts.
·Hohe Festigkeit und Härte: hohe mechanische Festigkeit, Antifragmentierung und Antiverschleiß, geeignet für den Einsatz in rauen Umgebungen.
·Elektronenmobilität: P-Doping unterhält eine relativ hohe Trägermobilität und unterstützt effiziente elektronische Geräte.
·Optische Eigenschaften: Mit einzigartigen optischen Eigenschaften, geeignet für den Bereich der Optoelektronik, wie LEDs und Laser.
·Chemische Stabilität: Gute Beständigkeit gegen chemische Korrosion, geeignet für harte Arbeitsumgebungen.
·Starke Anpassungsfähigkeit: kann mit einer Vielzahl von Substratmaterialien kombiniert werden, geeignet für verschiedene Anwendungsszenarien.
4 Zoll Sic Siliziumkarbid Wafer 6H-P Typ Dicke 350μm Null / Prime Grade Dummy Grade 24 Zoll Sic Siliziumkarbid Wafer 6H-P Typ Dicke 350μm Null / Prime Grade Dummy Grade 3

Technische Parameter:

4 Zoll Sic Siliziumkarbid Wafer 6H-P Typ Dicke 350μm Null / Prime Grade Dummy Grade 4

Anwendungen:

·Leistungselektronik: Wird zur Herstellung hocheffizienter Stromgeräte wie MOSFETs und IGBTs verwendet, die häufig in Frequenzumrichter, Strommanagement und Elektrofahrzeugen verwendet werden.
·HF- und Mikrowellengeräte: In Hochfrequenzverstärkern, HF-Leistungsverstärkern verwendet, geeignet für Kommunikations- und Radarsysteme.
·Optoelektronik: Als Substrat in LEDs und Lasern, insbesondere in blauen und ultravioletten Anwendungen verwendet.
·Hochtemperatursensoren: Aufgrund ihrer guten thermischen Stabilität eignen sie sich für Hochtemperatursensoren und Überwachungsausrüstung.
·Solarenergie und Energiesysteme: in Solarumrichter und anderen Anwendungen für erneuerbare Energien zur Verbesserung der Effizienz der Energieumwandlung verwendet.
·Automobilelektronik: Leistungsoptimierung und Energieeinsparung im Energiesystem von Elektro- und Hybridfahrzeugen.
·Industrieelektrische Geräte: Leistungsmodule für eine Vielzahl von Maschinen und Geräten zur industriellen Automatisierung zur Verbesserung der Energieeffizienz und Zuverlässigkeit.
4 Zoll Sic Siliziumkarbid Wafer 6H-P Typ Dicke 350μm Null / Prime Grade Dummy Grade 5

Anpassung:

Unser SiC-Substrat ist in 6H-P-Typen erhältlich und RoHS-zertifiziert. Die Mindestbestellmenge beträgt 10pc und der Preis ist pro Fall. Die Verpackungsdetails sind kundenspezifische Plastikkartons.Die Lieferzeit ist innerhalb von 30 Tagen und wir akzeptieren T / T Zahlungsbedingungen. Unsere Lieferfähigkeit beträgt 1000 Stück/Monat. Die SiC-Substratgröße beträgt 100 mm Durchmesser 350 μm Dicke. Herkunftsort ist China.

4 Zoll Sic Siliziumkarbid Wafer 6H-P Typ Dicke 350μm Null / Prime Grade Dummy Grade 6

Unsere Dienstleistungen:

1- Fabrik-Direktfertigung und Verkauf.
2Schnelle, genaue Zitate.
3Wir antworten Ihnen innerhalb von 24 Arbeitsstunden.
4. ODM: kundenspezifisches Design ist erhältlich.
5Schnelligkeit und kostbare Lieferung.

Häufige Fragen:

F: Was ist der WegDie Versandkosten und die Zahlungsfrist?
A:(1) Wir akzeptieren 50% T/T im Voraus und 50% vor der Lieferung per DHL, Fedex, EMS usw.
(2) Wenn Sie ein eigenes Expresskonto haben, ist das toll. Wenn nicht, können wir Ihnen helfen, sie zu versenden.
Fracht ist in die tatsächliche Abrechnung.

F: Was ist Ihr MOQ?
A: (1) Für Lagerbestände beträgt die MOQ 3 Stück.
(2) Für kundenspezifische Produkte beträgt die MOQ 10 Stück.

F: Kann ich die Produkte anhand meiner Bedürfnisse anpassen?
A: Ja, wir können das Material, die Spezifikationen und Form, die Größe basierend auf Ihren Bedürfnissen anpassen.

F: Wie ist die Lieferzeit?
A: (1) Für die Standardprodukte
Für Bestände: Die Lieferung erfolgt 5 Werktage nach Bestellung.
Für maßgeschneiderte Produkte: Die Lieferung erfolgt 2 oder 3 Wochen nach Bestellung.
(2) Für die speziell geformten Produkte beträgt die Lieferung 4 Werkwochen nach Ihrer Bestellung.