2 Zoll Durchmesser 50,8 mm 4H-N Typ SiC Epitaxie-Wafer für Hochtemperatursensoren

2-Zoll Durchmesser 50,8 mm 4H-N Typ SiC Epitaxie-Wafer für Hochtemperatursensoren

ZMSH ist ein weltweit führender Anbieter von Siliziumkarbid-Halbleitermateriallösungen mit über 10 Jahren Erfahrung in Forschung und Entwicklung sowie Produktion von SiC-Substraten und Epitaxie-Wafern. Wir haben eine vollständig integrierte vertikale Lieferkette aufgebaut, vom Kristallwachstum über die Waferbearbeitung bis hin zur Epitaxieabscheidung, wodurch wir eine vollständige Prozessautonomie erreichen. Unser Produktportfolio umfasst Spezifikationen in voller Größe von 2 Zoll bis 12 Zoll, einschließlich verschiedener Polytypen wie 4H/6H-N-Typ, 4H/6H-P-Typ und 3C-N-Typ SiC sowie HPSI (High Purity Semi-Insulating) und SEMI-Standard-Wafer für verschiedene Anwendungsszenarien. Durch den Einsatz fortschrittlicher Kristallwachstumstechnologien und strenger Qualitätskontrollsysteme liefern wir hochwertige SiC-Materiallösungen an über 200 globale Kunden, wobei die Produkte in strategischen Zukunftstechnologien wie neue Energien, 5G-Kommunikation und Schienenverkehr weit verbreitet sind.

Schlüsselparameter des 2-Zoll SiC Epitaxie-Wafers 4H

(Hinweis: Alle Parameter können gemäß den Kundenanforderungen angepasst werden, mit vollständigen Testberichten und Qualitätszertifikaten.)

Hauptmerkmale von 1. F: Was sind die wichtigsten Vorteile von 2-Zoll 4H-SiC Epitaxie-Wafern?

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1. Hervorragende elektrische Eigenschaften

· 4H-SiC zeichnet sich durch eine große Bandlücke von 3,2 eV und eine Durchbruchfeldstärke von über 2 MV/cm aus, zehnmal höher als bei Siliziummaterialien. Diese Eigenschaften machen es besonders geeignet für die Herstellung von Hochspannungs- und Hochleistungselektronikbauteilen, wodurch die Verlustleistung deutlich reduziert und der Wirkungsgrad des Systems verbessert wird.

· Die Elektronensättigungsdriftgeschwindigkeit erreicht 2×10^7 cm/s, was ihm deutliche Vorteile in Hochfrequenzanwendungen verschafft.

2. Ausgezeichnete Wärmemanagementfähigkeiten

· Wärmeleitfähigkeit von bis zu 4,9 W/cm·K, dreimal höher als bei Siliziummaterialien, wodurch Wärmeableitungsprobleme in Bauteilen mit hoher Leistungsdichte effektiv gelöst werden.

· Ein niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient von 4×10^-6/K sorgt für eine ausgezeichnete Dimensionsstabilität in Hochtemperaturbetriebsumgebungen.

3. Überlegene Materialqualität

· Fortschrittliche stufenkontrollierte Epitaxietechnologie erreicht eine branchenführende Versetzungsdichte der Epitaxieschicht von unter 1×10^3 cm^-2.

· Präzises chemisch-mechanisches Polieren gewährleistet eine Oberflächenrauheit von unter 0,2 nm (Ra) und erfüllt damit die strengsten Anforderungen der Bauteilherstellung.

4. Außergewöhnliche Prozesskonsistenz

· Dickenuniformität innerhalb von ±2 % und Dotierungskonzentrationsabweichung von weniger als 5 %, was eine stabile und zuverlässige Massenproduktion gewährleistet.

· Fortschrittliche Online-Überwachungssysteme ermöglichen eine Echtzeit-Prozesskontrolle und präzise Regulierung.

Hauptanwendungen von 1. F: Was sind die wichtigsten Vorteile von 2-Zoll 4H-SiC Epitaxie-Wafern?

1. Sektor für neue Energiefahrzeuge

· Als Kernmaterial für EV-Wechselrichter, wodurch der Systemwirkungsgrad um über 15 % verbessert und die Reichweite deutlich verlängert wird.

· Anwendung in Onboard-Ladesystemen zur Unterstützung von Hochleistungs-Schnellladeanforderungen.

2. Industrielle Leistungselektronik

· Einsatz in intelligenten Stromnetzen, industriellen Frequenzumrichtern usw., wodurch der Energieumwandlungswirkungsgrad drastisch verbessert wird.· Besonders geeignet für anspruchsvolle Umgebungen wie Schienenverkehr und Marine-Stromversorgungssysteme.

3. 5G-Kommunikationsinfrastruktur

· Ideales Substratmaterial für 5G-Basisstations-Leistungsverstärker, das eine höhere Frequenz und eine größere Leistung der HF-Signalverarbeitung unterstützt.

· Zeigt hervorragende Leistung in Satellitenkommunikationssystemen.

4. Luft- und Raumfahrt und Verteidigung

· Entscheidendes Material für Radarsysteme und elektronische Kriegsführungsgeräte.

· Erfüllt Zuverlässigkeits- und Stabilitätsanforderungen in extremen Umgebungen.

5. Erzeugung erneuerbarer Energien

· Optimale Wahl für Photovoltaik-Wechselrichter zur Verbesserung des Stromerzeugungswirkungsgrads.

· Schlüsselkomponentenmaterial für Windkraftanlagen.

ZMSH-Service für SiC-Epitaxie-Wafer

Als Komplettlösungsanbieter im Bereich SiC-Materialien bietet ZMSH Komplettlösungen für SiC-Substrate und Epitaxie-Wafer von 2 Zoll bis 12 Zoll, die verschiedene Polytypen umfassen, darunter 4H/6H-N-Typ, 4H/6H-P-Typ, 3C-N-Typ und HPSI-Wafer, mit Anpassungsoptionen für Kristallorientierung, Dotierungskonzentration und Epitaxieschichtdicke.

Mit unserer autarken, kompletten Industriekette sind wir mit international führenden CVD-Epitaxieanlagen und Präzisionsbearbeitungslinien ausgestattet und bieten umfassende Dienstleistungen vom Kristallwachstum über das Wafer-Dicing, das doppelseitige Polieren bis hin zum Laserschreiben, ergänzt durch professionelle Tests und Zertifizierungen, einschließlich XRD-, AFM- und Hall-Messungen. Mit einer monatlichen Produktionskapazität von über 5.000 Wafern können wir schnell auf Kundenbedürfnisse von F&E-Mustern bis hin zu Großserienaufträgen reagieren. Unser engagiertes technisches Support-Team bietet Mehrwertdienste wie Produktberatung, Anwendungsentwicklung und After-Sales-Support und ist bestrebt, globale Kunden mit hochwertigen, hochkonsistenten Siliziumkarbid-Materiallösungen zu beliefern. FAQ