6 Zoll Silikonkarbid Halbisolierendes SiC-Verbundsubstrat P-Typ N-Typ Einzelpolnisch Doppelpolnisch Produktionsgrad

· Hohe Widerstandsfähigkeit: Halbisolierende SiC-Wafer können einen Widerstand von 10^8-10^10 Ω·cm erreichen.Diese äußerst hohe Widerstandsfähigkeit ermöglicht es, elektronische Geräte effektiv von Störungen zu isolieren.

·Niedriger dielektrischer Verlust: Halbisolierende SiC-Wafer haben einen extrem niedrigen dielektrischen Verlustfaktor, typischerweise weniger als 10^-4.Dies trägt dazu bei, den Energieverlust des Geräts bei hohen Frequenzen zu reduzieren.

·Ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit: SiC-Materialien haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit und können die vom Gerät erzeugte Wärme effektiv leiten.Es hilft, die thermische Leistung des Geräts zu verbessern und die Betriebstabilität zu verbessern.

·Hohe mechanische Festigkeit: Halbisolierende SiC-Wafer haben eine hohe Härte und Biegefestigkeit.Es kann großen mechanischen Spannungen standhalten und eignet sich für die Herstellung von hochzuverlässigen elektronischen Geräten.

·Gute chemische Stabilität: SiC-Materialien weisen eine ausgezeichnete chemische Stabilität in hochtemperaturen, chemisch ätzenden Umgebungen auf.Es ist vorteilhaft, die Lebensdauer des Geräts in rauen Umgebungen zu verbessern.

·Gute Kompatibilität mit Si: Die Gitterkonstante und der Wärmeausdehnungskoeffizient von SiC-Semi-Isolier-Wafern ähneln denen von Silizium.Es hilft, den Herstellungsprozess zu vereinfachen und die Herstellungskosten zu senken.

1.HF- und Mikrowellengeräte: Halbisolierendes SiC ist aufgrund seines geringen Dielektrverlustes und seiner hohen Isolation ideal für die Herstellung von HF- und Mikrowellenintegrierten Schaltungen geeignet.Es kann auf Hochfrequenz-Mikrowellenfelder wie Mobilfunk-Basisstationen angewendet werden, Radarsysteme und Satellitenkommunikation.

2.Leistungselektronik: Das halbisolierende SiC weist eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit und hohe Temperaturcharakteristiken auf, was für die Herstellung von Leistungshalbleitern von Vorteil ist.Es kann zur Herstellung leistungsstarker elektronischer Geräte wie Leistungsverstärker verwendet werden, Wechseln von Stromversorgungen und Energieumwandlung.

3.Optoelektronik: Halbisolierendes SiC ist strahlungsbeständig und kann zur Herstellung von Photodetektorgeräten verwendet werden, die in einer Strahlungsumgebung arbeiten.nationale Verteidigung und andere Bereiche mit strengen Anforderungen an die Strahlungsbeständigkeit.

Unsere Dienstleistungen:

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