Produkt-Details
Herkunftsort: Shanghai China
Markenname: ZMSH
Zertifizierung: ROHS
Modellnummer: Silikonkarbidoblate
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Lieferzeit: 4-6 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T
Material: |
SiC Einzelkristall 4h-N |
Zulassung: |
P/D/R-Klasse |
Farbe: |
Grün |
Durchmesser: |
12 Zoll |
Material: |
SiC Einzelkristall 4h-N |
Zulassung: |
P/D/R-Klasse |
Farbe: |
Grün |
Durchmesser: |
12 Zoll |
12 Zoll 300 mm SiC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ Dummy Prime Forschungsgrad Mehrere Anwendungen
Einführung des Produktes
SiC, allgemein als Siliziumkarbid bezeichnet, ist eine Verbindung, die durch Kombination von Silizium und Kohlenstoff gebildet wird.KeramikSilikonkarbid ist in der Härte nur hinter dem Diamanten, was es zu einem ausgezeichneten Schleif- und Schneidwerkzeug macht.4H-SiC hat eine hexagonale Kristallstruktur mit vier Schichten wiederholter Sequenzen.größere Bandlücke und höhere ElektronenmobilitätAufgrund dieser Eigenschaften eignet sich 4H-SiC besser für Hochleistungs- und Hochfrequenzgeräte.
Wachstumstechniken
Die Industrieproduktion von Siliziumcarbid-Substraten beruht derzeit hauptsächlich auf der PVT-Methode.Bei dieser Methode muss das Pulver mit hoher Temperatur und Vakuum sublimiert und dann die Bestandteile durch Wärmefeldkontrolle auf der Saatoberfläche wachsen lassen.mit einer Breite von mehr als 20 mm,.
Produktparameter
| Durchmesser | 300.0 mm+0 mm/-0,5 mm |
| Oberflächenorientierung | 4° nach unten <11-20> ± 0,5° |
| Primärflächige Länge | Schnitzel |
| Sekundäre flache Länge | Keine |
| Notch-Orientierung | < 1-100>±1° |
| Notchwinkel | 90°+5/-1° |
| Notch Tiefe | 1 mm + 0,25 mm/-0 mm |
| Orthogonale Fehlorientierung | ± 5,0° |
| Oberflächenbearbeitung | C-Gesicht: Optisches Polish, Si-Gesicht: CMP |
| Waferrand | Bebeln |
| Oberflächenrauheit (10 μm × 10 μm) |
Si-Gesicht:Ra≤0,2 nm C-Gesicht:Ra≤0,5 nm |
| Stärke | 500.0μm±25.0μm |
| LTV ((10mmx10mm) | ≤ 3 μm |
| TTV | ≤ 10 μm |
| Bogen | ≤ 25 μm |
| Warpgeschwindigkeit | ≤ 40 μm |
| Oberflächenparameter | |
| Späne/Eindrücke | Keine zulässig≥0,5 mm Breite und Tiefe |
| Kratzer2 (Si gegenüber CS8520) |
≤ 5 und kumulative Länge ≤ 1 Waferdurchmesser |
| Die Ausrüstung ist mit einer Breite von 20 mm ausgestattet. | ≥ 95% |
| Risse | Keiner erlaubt |
| Fleck | Keiner erlaubt |
| Grenze ausgeschlossen | 3 mm |
Hauptmerkmale des Produkts
- Hohe elektrische Leitfähigkeit: Stickstoffdoping verbessert die elektrische Leitfähigkeit des Materials und eignet sich für Leistungsumrichter mit hoher Leistung.
-Exzellente thermische Leistung: Eine gute Wärmeleitfähigkeit ermöglicht es dem Gerät, eine stabile Leistung bei hohen Temperaturen zu erhalten.
- Hohe Abbruchspannung: in der Lage, höheren Spannungen standzuhalten, geeignet für Hochspannungsanwendungen.
- Anpassungsfähigkeit an die Umwelt: Gute Leistung in rauen Umgebungen für Luft- und Raumfahrt- und militärische Anwendungen.
Produktanwendungen
1Leistungselektronik
- Hochspannungsumrichter: für erneuerbare Energiesysteme wie Solar- und Windenergie.
-Rektifikator: Wird bei der Energieumwandlung und dem Energieverwaltung verwendet.
2. Funkfrequenzgerät
- Funkkommunikation: Funkfrequenzverstärker für Basisstationen und mobile Geräte.
-Radarsysteme: Für die Hochfrequenzsignalverarbeitung in der Luftfahrt und in militärischen Anwendungen verwendet.
3Elektronik für die Automobilindustrie
-Elektrofahrzeuge: in elektrischen Antriebssystemen und Ladegeräten zur Verbesserung der Energieeffizienz und Leistung eingesetzt.
-Smart Cars: Anwendungen im Bereich des autonomen Fahrens und der vernetzten Fahrzeugtechnologien.
4.Fotoelektrische Vorrichtung
-LED: Wird für leuchtende Dioden mit hoher Helligkeit verwendet, um die Lichtwirksamkeit und Haltbarkeit zu verbessern.
- Laser: In der Laserbeleuchtung und in der industriellen Verarbeitung verwendet.
Die überlegene Leistungsfähigkeit der 4H-N SiC-Wafer ermöglicht eine breite Palette von Anwendungsmöglichkeiten in den oben genannten Bereichen und fördert die Entwicklung hocheffizienter und zuverlässiger Geräte.
Weitere Produkte, die wir anbieten können
2 Zoll SIC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ für MOS-Gerät Dia 0.4mm
Über uns
Häufig gestellte Fragen
1F: Was ist der Unterschied zwischen 4H-SiC und 6H-SiC?
A: 4H-SiC wird im Bereich der Mikroelektronik, insbesondere in Hochfrequenz-, Hochtemperatur- und Hochleistungsgeräten, weit verbreitet.Die Wahl der beiden Polymorphen hängt von den spezifischen Anforderungen und der beabsichtigten Anwendung der Halbleitervorrichtung ab..
2F: Welche Eigenschaften besitzt 4H SiC?
A:Hohe elektrische Leitfähigkeit, ausgezeichnete thermische Leistung, hohe Abbruchspannung.
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