4-Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Durchmesser 100 mm Dicke 350 µm Prime Grade

4 Zoll SiC Epitaxial Wafer 4H-N Durchmesser 100 mm Dicke 350 μm Prime Grade

Als Kernmaterial für die Herstellung von Kraftgeräten aus Siliziumcarbid (SiC) basiert die 4-Zoll-SiC-Epitaxialwafer auf einer 4H-N-SiC-Wafer,mit chemischer Dampfdeposition (CVD) gezüchtet, um eine hohe Einheitlichkeit zu erzeugen, einkristalliner dünner Film mit geringer Defektdichte. Zu den technischen Vorteilen gehören: - Ich weiß.

· Kristallstruktur: (0001) Silizium-Flächenorientierung mit 4° Abschnitten zur Optimierung der Gitterverknüpfung und zur Verringerung von Mikroruß-/Stapelfehlerfehlern.

· Elektrische Leistungsfähigkeit: N-Dopingkonzentration mit präziser Kontrolle zwischen 2 × 1014 × 2 × 1019 cm−3 (±14% Toleranz) und erreichbarem Widerstand, der von 0,015 ± 0 angepasst werden kann.15 Ω·cm über In-situ-Doping-Technologie.

- Ich weiß.

· Defektkontrolle: Oberflächendefektdichte < 25 cm−2 (TSD/TED), Dreiecksdefektdichte < 0,5 cm−2, gewährleistet durch magnetisch unterstütztes Wachstum und Echtzeitüberwachung.

Durch die Nutzung inländisch entwickelter CVD-Ausrüstungskluster erreicht ZMSH eine vollständige Prozesskontrolle von der Waferverarbeitung bis zum epitaxialen Wachstum.Unterstützung schneller Versuche in kleinen Chargen (mindestens 50 Wafer) und maßgeschneiderter Lösungen für Anwendungen in neuen Energiefahrzeugen, Photovoltaik-Wechselrichter und 5G-Basisstationen.

Schlüsselparameter für 4 Zoll SiC-Epitaxialwafer - Ich weiß.

Kernmerkmale und technische Durchbrüche von 4 Zoll SiC-Epitaxialwafern

1. DieMaterielle Leistung - Ich weiß.

- Wärmeleitfähigkeit: > 350 W/m·K, stabiler Betrieb bei > 200°C, 3x höher als bei Silizium. - Ich weiß.

- Abbruchfeldfestigkeit: > 3 MV/cm, so daß Hochspannungsgeräte mit einer optimierten Dicke von 10 ‰ 100 μm 10 kV+ ermöglicht werden können. - Ich weiß.

- Trägermobilität: Elektronenmobilität > 900 cm2/V·s, verstärkt durch Gradientdoping für eine schnellere Umstellung.

2. Prozessvorteile - Ich weiß.

- Dicken-Einheitlichkeit: < 3% (9-Punkt-Test) über Doppeltemperaturzonenreaktoren, die eine Dickenkontrolle von 5 ‰ 100 μm unterstützen. - Ich weiß.

- Oberflächenqualität: Ra < 0,5 nm (AFM), optimiert durch Wasserstoffätschen und chemisch-mechanisches Polieren (CMP). - Ich weiß.

- Defektdichte: Die Mikropipendichte < 1 cm­2, minimiert durch Rückwärtsschießen. - Ich weiß.

3. Anpassungsmöglichkeiten - Ich weiß.

- Kristallorientierung: Unterstützt (0001) Silizium- und (11-20) Kohlenstoff- und quasi-homoepitaxial Wachstum für Graben-MOSFETs und JBS-Dioden. - Ich weiß.

- Verpackungskompatibilität: bietet zweiseitiges Polieren (Ra < 0,5 nm) und Wafer-Level-Verpackungen (WLP) für TO-247/DFN.

Anwendungsszenarien und technischer Wert von 4-Zoll-SiC-Epitaxialwafern

1. Neue Energiefahrzeuge

- Hauptantriebsinverter: 1200V-Epitaxialwafer für SiC-MOSFET-Module, die die Systemeffizienz auf 98% erhöhen und den EV-Reichweitenverlust um 10-15% reduzieren.
- Schnellladung: 600-Volt-Wafer, die 800-Volt-Plattformen für ein 30-minütiges 80%­Ladevorgang ermöglichen (z. B. Tesla, NIO).
- Ich weiß.

2Industrie und Energie

- Solarumrichter: 1700V-Wafer für die Gleichspannungs­/Wechselströmung, die den Wirkungsgrad auf 99% erhöhen und den LCOE um 5­8% senken.
- Smart Grids: 10 kV-Wafer für Festkörpertransformatoren (SST), die die Übertragungsverluste auf < 0,5% reduzieren.
 

3. Optoelektronik und Sensorik

- UV-Detektoren: Verwendung von 3,2 eV-Bandgap für die Detektion von 200~280 nm bei der Flammenüberwachung und der Detektion biochemischer Bedrohungen.
- GaN-on-SiC-HF-Geräte: HEMTs auf 4-Zoll-Wafern für 5G-Basisstationen, mit einer PA-Effizienz von 70%.
 

4Eisenbahn und Luftfahrt

- Traktionsumrichter: Hochtemperaturwafer (-55°C~200°C) für IGBT-Module in Schnellzügen (AEC-Q101-Zertifizierung).
- Satellitenenergie: Strahlungsgehärteten Wafern (> 100 krad (Si)) für DC­DC­Wandler im Weltraum.

ZMSH-Dienstleistung für SiC-Wafer

1. Kernkompetenzen
· Vollgrößere Abdeckung: SiC-Substrate/epitaxiale Wafer mit einer Breite von 2×12 Zoll, einschließlich 4H/6H-N, HPSI, SEMI und 3C-N-Polytypen.
· Maßgeschneiderte Fertigung: Maßgeschneiderte Schneiden (Durchlöcher, Sektoren), doppelseitiges Polieren und WLP.
· End-to-End-Lösungen: CVD-Epitaxie, Ionimplantation, Glühen und Validierung von Geräten.
- Ich weiß.

2. Produktionskapazität
· 6-Zoll-Wafer: 360.000 jährliche Kapazität; 8-Zoll-F&E-Linie in Betrieb.
· Zertifizierungen: IATF 16949-zertifiziert, > 95% Ertrag für Produkte der Automobilindustrie.
· Kostenführerschaft: 75% inländische CVD-Ausrüstung, 25% geringere Kosten als internationale Wettbewerber.

Der empfohlene 3C-N-Typ für SiC-Substrate ist folgender: