10×10 mm SiC-Substrat vom Typ 4H-N: Technischer Überblick und Anwendungen Hochleistungshalbleiterlösung für fortschrittliche Elektronik 1. Produktübersicht Der10×10 mm großes Siliziumkarbid-Substrat ...Ansicht mehr
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4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik