Produkt-Details
Herkunftsort: China
Markenname: ZMSH
Zertifizierung: rohs
Modellnummer: SiC 6H-P
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Preis: by case
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000pc/month
Polytype: |
6H-P |
Dichte: |
30,0 g/cm3 |
Widerstand: |
≤ 0,1 Ω.cm |
Oberflächenorientierung: |
Abseits der Achse: 2,0° in Richtung [110] ± 0,5° |
Grobheit: |
Polnische Ra≤1 nm |
LTV/TTV/Bow/Warp: |
Bei der Verwendung von Zylindersäulen ist die Zylindersäule zu verwenden. |
Verpackung: |
Mehrfachwafer-Kassette oder Einfachwaferbehälter |
Anwendung: |
Mikrowellenverstärker, Antenne |
Polytype: |
6H-P |
Dichte: |
30,0 g/cm3 |
Widerstand: |
≤ 0,1 Ω.cm |
Oberflächenorientierung: |
Abseits der Achse: 2,0° in Richtung [110] ± 0,5° |
Grobheit: |
Polnische Ra≤1 nm |
LTV/TTV/Bow/Warp: |
Bei der Verwendung von Zylindersäulen ist die Zylindersäule zu verwenden. |
Verpackung: |
Mehrfachwafer-Kassette oder Einfachwaferbehälter |
Anwendung: |
Mikrowellenverstärker, Antenne |
Siliziumcarbid (SiC) ist ein aus Silizium (Si) und Kohlenstoff (C) bestehendes Halbleitermaterial mit einzigartigen physikalischen und chemischen Eigenschaften.6H-SiC ist ein Polytyp von Siliziumcarbid mit einer sechsseckigen Struktur und einer Bandbreite von 3.02 eV, die spezifische elektrische und thermische Eigenschaften aufweist. Das 6H-P-Stickstoffsubstrat, insbesondere das 6H-SiC-Substrat mit P-Leitfähigkeit, hat einen Winkel außerhalb der Achse von 4,0°,die zur Optimierung der elektrischen Leistung und thermischen Stabilität des Geräts beiträgt.
1. Breitbandlücke:6H-SiC hat eine Bandbreite von 3,02 eV, die deutlich breiter ist als die 1,1 eV von Silizium (Si).Diese Eigenschaft macht 6H-SiC in hohen Temperaturen mit geringer Leckrate extrem stabil, die für Hochtemperatur-Leistungselektronik geeignet ist.
2. hohe Wärmeleitfähigkeit:Die hohe Wärmeleitfähigkeit von 6H-SiC trägt zur besseren Wärmeableitung bei Hochleistungsanwendungen bei, reduziert die Wärmeauflagerung und verbessert die Arbeitseffizienz und Zuverlässigkeit des Geräts.
3. Hochentzündungsfeld:6H-SiC weist eine hohe Abbruchstärke auf und kann ohne Abbruch höheren Spannungen standhalten, was für Anwendungen im Bereich der Hochspannungselektronik geeignet ist.
4. elektrische Leitfähigkeit des Typs P:P-Sic-Substrat hat spezifische elektrische Eigenschaften, seine Elektronen haben eine höhere Mobilität gegenüber Löchern und können einen geringeren Spannungsabfall erzielen.mit einer Leistung von mehr als 100 W und einer Leistung von mehr als 100 W,.
5. Außerhalb der Achse Winkeloptimierung:Die Gestaltung der Abgrenzung auf 4,0° trägt zur Optimierung der elektrischen Leistungsfähigkeit und der thermischen Stabilität des Geräts und zur Verbesserung der Gesamtleistung des Geräts bei.
6 Zentimeter Durchmesser Siliziumkarbid (SiC) Substrat Spezifikation
| Wie hoch?Zulassung |
精选级 (()Z 级) Null MPD-Produktion Grade (Z) Grade) |
工业级P级) Standardproduktion Grade (P) Grade) |
测试级(D级) Schwachstelle (D) Grade) |
||
| Durchmesser | 145.5 mm bis 150,0 mm | ||||
| 厚度 Dicke | 350 μm ± 25 μm | ||||
| 晶片方向 Waferorientierung |
- OffAchse: 2,0° bis 4,0° nach [1120] ± 0,5° für 4H/6H-P, auf Achse: 111° ± 0,5° für 3C-N |
||||
| 微管密度 ※ Mikropipe Dichte | 0 cm bis 2 | ||||
| 电 阻 率 ※ Widerstand | P-Typ 4H/6H-P | ≤ 0,1 Ω·cm | ≤ 0,3 Ω·cm | ||
| n-Typ 3C-N | ≤ 0,8 mΩ·cm | ≤ 1 m Ω ̊cm | |||
| 主定位边方向 Primärflächenorientierung | 4H/6H-P |
- {1010} ± 5,0° |
|||
| 3C-N |
- {110} ± 5,0° |
||||
| 主定位边长度 Primär Flachlänge | 32.5 mm ± 2,0 mm | ||||
| 次定位边长度 Sekundär Flachlänge | 18.0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Sekundäre flache Ausrichtung | Silikon nach oben: 90° CW. von Prime flat ± 5,0° | ||||
| 边缘去除 Edge Ausschluss | 3 mm | 6 mm | |||
| 局部厚度变化/总厚度变化/?? 曲度/?? 曲度 LTV/TTV/Bow/Warp | Bei der Verwendung von Zylindersäulen ist die Zylindersäule zu verwenden. | Bei der Verwendung von Folien mit einem Durchmesser von ≤ 10 μm/≤ 15 μm/≤ 25 μm/≤ 40 μm | |||
| Oberflächenrauheit ※ Rauheit | Polnische Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
| 边缘裂纹 (强光灯观测) Rand Risse durch hohe Intensität Licht | Keine | Gesamtlänge ≤ 10 mm, Einzellänge ≤ 2 mm | |||
| 六方空洞 ((强光灯测)) ※ Hexplatten durch hochintensives Licht | Kumulative Fläche ≤ 0,05% | Kumulative Fläche ≤ 0,1% | |||
| Mehrfache (Stronglight) ※ Polytypische Bereiche durch hochintensives Licht | Keine | Kumulative Fläche ≤ 3% | |||
| Sichtbarer Kohlenstoff-Einschlüsse | Kumulative Fläche ≤ 0,05% | Kumulative Fläche ≤ 3% | |||
| # Silikon-Oberflächenkratzer durch hochintensives Licht | Keine | Kumulative Länge ≤ 1 × Waferdurchmesser | |||
| 崩边 ((强光灯观测) Edge Chips High By Intensity Light (Schnittstücke mit hoher Lichtintensität) | Keine zulässig Breite und Tiefe ≥ 0,2 mm | 5 zulässig, jeweils ≤ 1 mm | |||
| 面污染物 ((强光灯观测) Silikon Oberflächenverschmutzung durch hohe Intensität | Keine | ||||
| 包装 Verpackung | Mehrfachwafer-Kassette oder Einfachwaferbehälter | ||||
Anmerkungen:
※ Die Defektgrenzwerte gelten für die gesamte Waferoberfläche mit Ausnahme des Rand-Ausschließungsbereichs.
1. Stromversorgung:
3C-N-Siliziumkarbid-Substrat wird weit verbreitet in Hochstrom-Metalloxid-Halbleiterfeldwirkungstransistoren (MOSFETs) und anderen Leistungseinrichtungen verwendet.wegen seiner hervorragenden Leitfähigkeit und hohen Temperaturbeständigkeit, so daß es das Kernmaterial von Hochspannungs- und Hochfrequenz-Leistungselektronik ist.
2. Hochfrequenzkommunikationsgeräte:
Im Bereich der HF- und Mikrowellenkommunikation3C-N-Siliziumkarbid-Substrat wird wegen seiner hohen Frequenz- und geringen Verlusteigenschaften zur Herstellung von Hochleistungs-HF-Geräten verwendet.
3. Optoelektronische Ausrüstung:
Aufgrund ihrer hohen Wärmeleitfähigkeit und optischen Eigenschaften können SIC-Substrate des Typs 3C-N in optoelektronischen LEDs und anderen optoelektronischen Geräten verwendet werden.
4. Neue Energiefahrzeuge:
Neue Energiefahrzeuge haben eine zunehmende Nachfrage nach hocheffizienten und verlustarmen Leistungseinrichtungen, und 3C-N-Siliziumkarbid-Substrate haben in diesem Bereich breite Anwendungsmöglichkeiten.
1. F: Was ist Siliziumkarbid-Substrat 6H-P abseits der Achse auf 4,0°?
A: Silikoncarbid-Substrat 6H-P abseits der Achse auf 4,0° bezieht sich auf das Silikoncarbid-Material mit 6H-Kristallstruktur, dessen leitfähiger Typ P-Typ ist und die Schneidrichtung 4 ist.0° von der Kristallspindel entferntDiese Konstruktion soll die elektrischen Eigenschaften und die thermische Stabilität von Siliziumcarbidmaterialien optimieren, um den Herstellungsbedarf von Hochleistungs-Halbleitergeräten zu decken.
2. F: Was ist P-Typ Siliziumkarbid?
A: P-Siliziumcarbid ist ein positiv geladenes Halbleitermaterial, das durch die Einbeziehung von dreivalenten Elementen (wie Aluminium oder Bor) gebildet wird, wobei Löcher als Hauptträger dienen.
Tag: #Sic Wafer, #Silicon Carbide Substrat, #Sic 6H-P-Typ, #Off-Achse: 4,0° Richtung, #6H High-P-doped Typ
