Produkt-Details
Herkunftsort: China
Markenname: ZMSH
Zertifizierung: rohs
Modellnummer: SiC 6H-P
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Preis: by case
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000pc/month
Polytype: |
6H-P |
Mohs-Härte: |
- 9 Jahre.2 |
Dichte: |
30,0 g/cm3 |
Widerstand: |
≤ 0,1 Ω.cm |
Oberflächenorientierung: |
auf der Achse 0° |
Grobheit: |
Polnische Ra≤1 nm |
Verpackung: |
Mehrfachwafer-Kassette oder Einfachwaferbehälter |
Anwendung: |
Mikrowellenverstärker, Antenne |
Polytype: |
6H-P |
Mohs-Härte: |
- 9 Jahre.2 |
Dichte: |
30,0 g/cm3 |
Widerstand: |
≤ 0,1 Ω.cm |
Oberflächenorientierung: |
auf der Achse 0° |
Grobheit: |
Polnische Ra≤1 nm |
Verpackung: |
Mehrfachwafer-Kassette oder Einfachwaferbehälter |
Anwendung: |
Mikrowellenverstärker, Antenne |
6H-P-Siliziumkarbid-Substrat ist ein Halbleitermaterial, das durch ein spezielles Verfahren angebaut wird.und jede Zelle enthält eine Stapelfolge von sechs Siliziumatomen und sechs KohlenstoffatomenDer P-Typ zeigt an, daß das Substrat so doppiert wurde, daß seine Leitfähigkeit durch Löcher dominiert wird.Eine Achse von 0° bezieht sich auf die Tatsache, dass die Kristallorientierung des Substrats in einer bestimmten Richtung 0° beträgt (z. B. die C-Achse des Kristalls), was in der Regel mit dem Wachstum und der Verarbeitung des Kristalls zusammenhängt.
4 Zoll Durchmesser SiliziumSubstrat aus Carbid (SiC) Spezifikation
| Wie hoch?Zulassung |
精选级 (()Z级) Null MPD-Produktion Grade (Z) Grade) |
工业级P级) Standardproduktion Grade (P) Grade) |
测试级(D级) Schwachstelle (D) Grade) |
||
| Durchmesser | 99.5 mm bis 100 mm | ||||
| 厚度 Dicke | 350 μm ± 25 μm | ||||
| 晶片方向 Waferorientierung | Abseits der Achse: 2,0° bis 4,0° nach vorne [1120] ± 0,5° für 4H/6H- |
||||
| 微管密度 ※ Mikropipe Dichte | 0 cm bis 2 | ||||
| 电 阻 率 ※ Widerstand | P-Typ 4H/6H-P | ≤ 0,1 Ω·cm | ≤ 0,3 Ω·cm | ||
| n-Typ 3C-N | ≤ 0,8 mΩ·cm | ≤ 1 m Ω ̊cm | |||
| 主定位边方向 Primärflächenorientierung | 4H/6H-P |
- {1010} ± 5,0° |
|||
| 3C-N |
- {110} ± 5,0° |
||||
| 主定位边长度 Primär Flachlänge | 32.5 mm ± 2,0 mm | ||||
| 次定位边长度 Sekundär Flachlänge | 18.0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Sekundäre flache Ausrichtung | Silikon nach oben: 90° CW. von Prime flat ± 5,0° | ||||
| 边缘去除 Edge Ausschluss | 3 mm | 6 mm | |||
| 局部厚度变化/总厚度变化/?? 曲度/?? 曲度 LTV/TTV/Bow/Warp | Bei der Verwendung von Zylindersäulen ist die Zylindersäule zu verwenden. | Bei der Verwendung von Folien mit einem Durchmesser von ≤ 10 μm/≤ 15 μm/≤ 25 μm/≤ 40 μm | |||
| Oberflächenrauheit ※ Rauheit | Polnische Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
| 边缘裂纹 (强光灯观测) Rand Risse durch hohe Intensität Licht | Keine | Gesamtlänge ≤ 10 mm, Einzellänge ≤ 2 mm | |||
| 六方空洞 ((强光灯测)) ※ Hexplatten durch hochintensives Licht | Kumulative Fläche ≤ 0,05% | Kumulative Fläche ≤ 0,1% | |||
| Mehrfache (Stronglight) ※ Polytypische Bereiche durch hochintensives Licht | Keine | Kumulative Fläche ≤ 3% | |||
| Sichtbarer Kohlenstoff-Einschlüsse | Kumulative Fläche ≤ 0,05% | Kumulative Fläche ≤ 3% | |||
| # Silikon-Oberflächenkratzer durch hochintensives Licht | Keine | Kumulative Länge ≤ 1 × Waferdurchmesser | |||
| 崩边 ((强光灯观测) Edge Chips High By Intensity Light (Schnittstücke mit hoher Lichtintensität) | Keine zulässig Breite und Tiefe ≥ 0,2 mm | 5 zulässig, jeweils ≤ 1 mm | |||
| 面污染物 ((强光灯观测) Silikon Oberflächenverschmutzung durch hohe Intensität | Keine | ||||
| 包装 Verpackung | Mehrfachwafer-Kassette oder Einfachwaferbehälter | ||||
Anmerkungen:
※Die Defektgrenzwerte gelten für die gesamte Waferoberfläche mit Ausnahme des Rand-Ausschließungsbereichs. # Die Kratzer sollten nur auf der Si-Seite überprüft werden.
- Ich weiß.
1F: Welche Leistungsunterschiede gibt es zwischen der 6H-P-SIC-Substrat-Achse 0° und der 4H-Typ?
A: Bei Siliziumcarbid des Typs 6H ist die Kristallstruktur im Vergleich zu Siliziumcarbid des Typs 4H unterschiedlich, was zu Unterschieden in elektrischen, thermischen und mechanischen Eigenschaften führen kann.Die 6H-P-Achse von 0° hat im Allgemeinen stabilere elektrische Eigenschaften und eine höhere Wärmeleitfähigkeit, geeignet für spezifische Hochtemperatur- und Hochfrequenzanwendungen.
2F: Was ist der Unterschied zwischen 4H und 6H SiC?
A: Der Hauptunterschied zwischen 4H und 6H Siliziumkarbid ist ihre Kristallstruktur, 4H ist ein tetragonaler hexagonaler Mischkristall und 6H ist ein reiner hexagonaler Kristall.
Tag: #Sic Wafer, #Siliciumcarbid Substrat, #Sic 6H-P Typ, #auf Achse 0°, #Mohs Härte 9.2
