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Guter Preis 6 Zoll SiC Epitaxial Wafer Durchmesser 150mm 4H-N Typ 4H-P Typ Für 5G Kommunikation Online
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4" 4H-Semi-Hochreine SIC-Wafer erstklassige Halbleiter EPI-Substrate AR-Gläser optische Qualität

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4H 6inch SiC Epitaxial Wafer 100μm/200μm/300μm für MOS-Geräte mit Ultraschallspannung (UHV)

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Hochreines Siliziumcarbid (SiC) Pulver 99,9999% (6N) HPSI Typ 100μm Partikelgröße SIC Kristallwachstum

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6H-N-SiC-Wafer: 2-Zoll-Substrat, Dicke 350 μm oder 650 μm

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​​SiC-Keramik-Kugellager G5-Gütegrad hohe Härte​​

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Sic besonders angefertigt GaN-auf-GaN Durchmesser 100mm Silikon-Sapphire Substrate Epitaxial Wafer-4inch

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