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kaufen SiC-Samenwafer 4H N Typ Dia 153 155 2 Zoll-12 Zoll für die Herstellung von MOSFETs Online-Herstellung

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2" InSb-Te EPI Substrate Schmalband Halbleiter Substrate Hall-Komponenten

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kaufen 2 Zoll SIC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ für MOS-Gerät Dia 0.4mm Online-Herstellung

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kaufen Kundengebundene Größen-Silikon-Karbid-Substrat-Härte 9,4 sic Teile für Ausrüstung Online-Herstellung

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kaufen CVD SiC Epitaxy Wafer 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Epitaxy Dicke 2,5-120 um für elektronische Energie Online-Herstellung

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kaufen Kundengebundene Größe 5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N bricht SIC Platten ab Online-Herstellung

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kaufen 12 Zoll 300 mm SiC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ Dummy Prime Forschungsgrad Mehrere Anwendungen Online-Herstellung

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kaufen SiC Ceramic Optical Path Board for Wafer Inspection Equipment Parallelism ≤0.02mm​​ Online-Herstellung

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kaufen SiC-Kristallwachstumsöfen PVT LPE HT-CVD hochwertige SiC-Kristallwachstumsmethode Online-Herstellung

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kaufen SiC Ceramic Vacuum Chuck ​​Flip-Chip Bonding Mirror Polishing High-Stiffness​​ Online-Herstellung

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kaufen 4 Stärke H-N As-Cut Silicon Carbide-Oblaten-0.5mm für Leistungselektronik Online-Herstellung

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kaufen 2 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H Niedrigfestigkeit Hohe P-Doped Typ Durchmesser 50,8 mm Online-Herstellung

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8-Zoll SiC Epitaxiesubstrat MOS-Güte Prime Grade 4H-N Typ Großer Durchmesser

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kaufen 2 Zoll/4 Zoll/6 Zoll/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Siliziumkarbid Substrat Typ 3C-N Auf der Achse: < 111 > ± 0,5° Produktionsgrad Dummy-Grad Online-Herstellung

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kaufen 12 Zoll Sic Wafer Siliziumkarbid 4H-N Typ Produktionsgrad Dummy Grade Große Größe Online-Herstellung

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kaufen 6 Zoll Silikonkarbid Halbisolierendes SiC-Verbundsubstrat P-Typ N-Typ Einzelpolnisch Doppelpolnisch Produktionsgrad Online-Herstellung

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kaufen 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H High P-Doped Typ Off Axis 4,0° nach vorne Prime Grade Dummy Grade Online-Herstellung

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kaufen 6 Zoll Sic Siliziumkarbid Substrat 6H-P Typ für Kommunikations- und Radarsysteme Durchmesser 150 mm Online-Herstellung

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kaufen Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic Online-Herstellung

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kaufen SiC Ingot 6 Zoll Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot Hohe Härte Ingot Online-Herstellung

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kaufen 12 Zoll Sic Einzelkristall Siliziumkarbid Substrat Große Größe Hohe Reinheit Durchmesser 300 mm Produktqualität Für 5G-Kommunikation Online-Herstellung

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kaufen Gallium-Nitrid-Oblaten-GaN-AUF-SICs EPI 4inch 6inch Oblaten Online-Herstellung

Gallium-Nitrid-Oblaten-GaN-AUF-SICs EPI 4inch 6inch Oblaten

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kaufen Halbisolierendes SiC auf Si-Verbundwafer 4H-SEMI-Substrat P-Typ N-Typ Dicke 500 mm Online-Herstellung

Halbisolierendes SiC auf Si-Verbundwafer 4H-SEMI-Substrat P-Typ N-Typ Dicke 500 mm

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