Hochwertige 4H-N-Siliziumkarbid-Substrate (12 Zoll/300 mm) für Hochleistungsgeräte

Das 12-Zoll (300 mm) Siliziumkarbid (SiC)-Substrat stellt die aktuelle Spitze der Wide-Bandgap (WBG)-Halbleitertechnologie dar. Während die globale Industrie in Richtung höherer Effizienz und höherer Leistungsdichte übergeht, bietet diese großformatige kristalline Plattform die wesentliche Grundlage für Leistungselektronik und HF-Systeme der nächsten Generation.

Wichtige strategische Vorteile:

• Massiver Durchsatz: Im Vergleich zu herkömmlichen 150-mm- (6-Zoll-) und 200-mm- (8-Zoll-) Wafern bietet das 300-mm-Format mehr als das 2,2-fache bzw. 1,5-fache der nutzbaren Oberfläche.
• Kostenoptimierung: Reduziert die "Kosten pro Chip" drastisch, indem die Anzahl der Chips maximiert wird, die pro einzelnem Fertigungszyklus produziert werden.
• Erweiterte Kompatibilität: Vollständig kompatibel mit modernen, vollautomatisierten 300-mm-Halbleiterfertigungslinien (Fabs), wodurch die Gesamtbetriebseffizienz verbessert wird.

Produktqualitätsangebote:

1. 4H SiC N-Typ Produktionsqualität: Entwickelt für die Herstellung von Power-Geräten in Produktionsqualität mit hoher Ausbeute.
2. 4H SiC N-Typ Dummy-Qualität: Eine kostengünstige Lösung für mechanische Tests, Gerätekalibrierung und Validierung thermischer Prozesse.
3. 4H SiC Semi-Isolierend (SI) Produktionsqualität: Speziell für HF-, Radar- und Mikrowellenanwendungen konzipiert, die extreme Resistivität erfordern.

4H-N Siliziumkarbid (Leitfähiger Typ)

Der 4H-N-Polytyp ist eine stickstoffdotierte, hexagonale Kristallstruktur, die für ihre robusten physikalischen Eigenschaften bekannt ist. Mit einer großen Bandlücke von etwa 3,26 eV bietet er:

• Hohe Durchbruchfeldstärke: Ermöglicht die Entwicklung dünnerer, effizienterer Hochspannungsgeräte.
• Überlegene Wärmeleitfähigkeit: Ermöglicht den Betrieb von Hochleistungsmodulen mit vereinfachten Kühlsystemen.
• Extreme thermische Stabilität: Behält stabile elektrische Parameter auch in rauen Umgebungen über 200 °C bei.
• Geringer Einschaltwiderstand: Optimiert für vertikale Leistungsstrukturen wie SiC-MOSFETs und SBDs.

4H-SI Siliziumkarbid (Semi-Isolierender Typ)

Unsere SI-Substrate zeichnen sich durch außergewöhnlich hohe Resistivität und minimale Kristallfehler aus. Diese Substrate sind die bevorzugte Plattform für GaN-on-SiC-HF-Geräte und bieten:

• Hervorragende elektrische Isolation: Eliminiert parasitäre Substratleitung.
• Signalintegrität: Ideal für Hochfrequenz-Mikrowellenanwendungen, bei denen geringe Signalverluste entscheidend sind.

Unser Herstellungsprozess ist vertikal integriert, um eine vollständige Qualitätskontrolle vom Rohmaterial bis zum fertigen Wafer zu gewährleisten.

• Sublimationswachstum (PVT-Verfahren): Die 12-Zoll-Kristalle werden mit dem Physical Vapor Transport (PVT)-Verfahren gezüchtet. Hochreines SiC-Pulver wird bei Temperaturen über 2000 °C unter präzise kontrolliertem Vakuum und Temperaturgradienten sublimiert und auf einem hochwertigen Impfkristall rekristallisiert.
• Präzises Schneiden & Kantenprofilierung: Nach dem Wachstum werden die Kristallbarren mit fortschrittlichem Mehrdraht-Diamantsägen in Wafer geschnitten. Die Kantenbearbeitung umfasst präzises Anfasen, um Absplittern zu verhindern und die mechanische Robustheit während der Handhabung zu verbessern.
• Oberflächentechnik (CMP): Abhängig von der Anwendung setzen wir Chemical Mechanical Polishing (CMP) auf der Si-Seite ein. Dieser Prozess erzielt eine "Epi-Ready"-Oberfläche mit atomarer Glätte und entfernt alle Unterschäden, um ein hochwertiges Epitaxialwachstum zu ermöglichen.

Wir verwenden ein mehrstufiges Inspektionsprotokoll, um eine konsistente Leistung in Ihrer Produktionslinie zu gewährleisten:

1. Optische Messtechnik: Automatisierte Oberflächengeometriemessung für TTV, Bow und Warp.
2. Kristalline Auswertung: Inspektion mit polarisiertem Licht auf Polytypeinschlüsse und Spannungsanalyse.
3. Oberflächendefekt-Scanning: Hochintensives Licht und Laserstreuung zur Erkennung von Kratzern, Grübchen und Kantensplittern.
4. Elektrische Charakterisierung: Berührungslose Widerstandsmessung über die zentralen 8-Zoll- und vollen 12-Zoll-Zonen.

• Elektrofahrzeuge (EV): Entscheidend für Traktionswechselrichter, 800-V-Schnellladesäulen und Onboard-Ladegeräte (OBC).
• Erneuerbare Energien: Hocheffiziente PV-Wechselrichter, Windkraftumrichter und Energiespeichersysteme (ESS).
• Smart Grid: Hochspannungs-Gleichstromübertragung (HGÜ) und industrielle Motorantriebe.
• Telekommunikation: 5G/6G-Makrostationen, HF-Leistungsverstärker und Satellitenverbindungen.
• Luft- und Raumfahrt & Verteidigung: Hochzuverlässige Stromversorgungen für extreme Luft- und Raumfahrtumgebungen.