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Guter Preis Halbisolierendes SiC auf Si-Verbundwafer 4H-SEMI-Substrat P-Typ N-Typ Dicke 500 mm Online
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Halb- isolierendes Silikon-Karbid-Substrat, sic hoher Reinheitsgrad der Oblaten-4H

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Karbid-Oblaten 6H oder 4H des Silikon-2Inch, die Substrate N-artig oder sic Halb-isoliert worden sein würden

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Kundenspezifische leitfähige Art sic Oblate für Hochspannungs-Starkstromgerät-Solarphoto-voltaisches der hohen Temperatur

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8inch DSP 4H sic Art des Oblaten-Silikon-Karbid-Substrat-Produktions-Grad-N für Experiment

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kaufen 4H-Siliziumkarbid-Substrat für Leistungselektronik, HF-Bauelemente & UV-Optoelektronik Online-Herstellung Video

4H-Siliziumkarbid-Substrat für Leistungselektronik, HF-Bauelemente & UV-Optoelektronik

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HPSI-Hochreine SiC-Wafeln mit Halbdämmung von 2 × 3 × 4 × 6 × 8 × Prime/Dummy/Research Grade

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4H-N 8inch Halbleiter-Substrat SIC-Silikon-Karbid-Oblate für Solarphoto-voltaisches

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Kundengebundene Größen-Quadrat-sic Chip-niedrige Gitter-Fehlanpassung mit hoch thermischem

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4" 4H-Semi-Hochreine SIC-Wafer erstklassige Halbleiter EPI-Substrate AR-Gläser optische Qualität

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kaufen kundengebundene Oblatenchips der Größe 4h-n 6h-semi der Größe 5x5 10x10mm sic Online-Herstellung Video

kundengebundene Oblatenchips der Größe 4h-n 6h-semi der Größe 5x5 10x10mm sic

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4H 6inch SiC Epitaxial Wafer 100μm/200μm/300μm für MOS-Geräte mit Ultraschallspannung (UHV)

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kaufen Doppelseitig polierte SiC-Spiegel mit hoher Reinheit, optische Komponente für MEMS-Mikrospiegel Online-Herstellung Video

Doppelseitig polierte SiC-Spiegel mit hoher Reinheit, optische Komponente für MEMS-Mikrospiegel

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