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Haupt2" 3" 4" 6" Oblate des 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic Substrat Silikon-Karbids sic

Markenbezeichnung:	zmkj
Modellnummer:	hoher Reinheitsgrad UNO-lackiertes 4h-semi
MOQ:	3PCS
Preis:	by required
Lieferzeit:	10-20days

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Produkt-Beschreibung

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Herkunftsort:

CHINA

Material:

Silikonkarbidkristall

Größe:

3inch oder 4inch

Anwendung:

optisch

Widerstandskraft:

>1E7

Art:

4H-SEMI

Stärke:

0.5mm

Oberfläche:

DSP

Orientierung:

0° weg von der Cachse

Verpackung Informationen:

Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den Kassetten einzelnen Oblatenbehältern

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

100pcs/months

Hervorheben:

0.5mm

die halb sic isolieren

Sechseckiges Xsemi

Produkt-Beschreibung

Haupt2" 3" 4" 6" Oblate des 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic Substrat Silikon-Karbids sic

SUBSTRAToblatenkarborundum des Silikon-Karbids sic Kristall

SILIKON-KARBID-MATERIALEIGENSCHAFTEN

Produkt-Name:

Kristallsubstrat des Silikonkarbids (sic)

Produkt-Beschreibung:

2-6inch

Technische Parameter:

Zellstruktur	Sechseckig
Vergittern Sie konstantes	ein = 3,08 Å c = 15,08 Å
Prioritäten	ABCACB (6H)
Wachstumsmethode	MOCVD
Richtung	Entwicklungsachse oder teilweises (° 0001) 3,5
Polnisch	Sioberflächenpolieren
Bandlücke	eV 2,93 (indirekt)
Leitfähigkeitsart	N oder seimi, hoher Reinheitsgrad
Widerstandskraft	0,076 Ohmcm
Genehmigung	e (11) = e (22) = 9,66 e (33) = 10,33
Wärmeleitfähigkeit @ 300K	5 mit cm. K
Härte	9,2 Mohs

Spezifikationen:

6H N-artiges 4H N-artiges halb-isolierendes dia2 „x0.33mm, dia2“ x0.43mm, dia2 ' x1mmt, 10x10mm, 10x5mm einzelner Wurf oder doppelter Wurf, Ra <10a>

Standardverpacken:

saubere Tasche 1000 Reinraum, 100 oder einzelnes Kastenverpacken

Anwendung des Silikonkarbids in der Starkstromgerätindustrie

Leistungs-Einheits-Silikon-Si-Silikon-Karbid-sic Gallium-Nitrid GaN
Bandlücke eV 1,12 3,26 3,41
Elektrisches Feld MV/cm des Zusammenbruches 0,23 2,2 3,3
Elektronenbeweglichkeit cm^2/Vs 1400 950 1500
Treiben Sie Geschwindigkeit 10^7 cm/s 1 2,7 2,5
Wärmeleitfähigkeit W/cmK 1,5 3,8 1,3

Verglichen mit Geräten des Silikons (Si), können Starkstromgeräte des Silikonkarbids (sic) hohe Leistungsfähigkeit, Miniaturisierung und Leichtgewichtler von elektronischen Systemen der Energie effektiv erzielen. Der Energieverlust von Silikonkarbid-Starkstromgeräten ist nur 50% von dem von Sigeräten, ist die Hitzegeneration nur 50% von der von Silikongeräten, und es hat eine höhere spezifische Stromdichte. Auf dem gleichen Leistungspegel ist das Volumen von Silikonkarbid-Energiemodulen erheblich kleiner als das von Silikonenergiemodulen. Dem intelligenten Energiemodul IPM, unter Verwendung der Silikonkarbid-Starkstromgeräte, das Modulvolumen als Beispiel nehmen kann bis 1/3 bis 2/3 von Silikonenergiemodulen verringert werden.

Es gibt 3 Arten Silikonkarbidleistungsdioden: Schottky-Dioden (SBD), PIN-Dioden und Kreuzungssperrensteuer-Schottky-Dioden (JBS). Wegen der Schottky-Sperre, SBD hat eine niedrigere Kreuzungssperrenhöhe, also hat SBD den Vorteil der niedrigen Vorwärtsspannung. Das Auftauchen von Silikonkarbid SBD erhöhte den Einsatzbereich von SBD von 250V zu 1200V. Gleichzeitig sind seine Eigenschaften der hohen Temperatur, von Raumtemperatur zu 175°C begrenzten durch das Oberteil, die gegenwärtigen kaum Zunahmen des Rückdurchsickerns gut. Im Einsatzbereich von Gleichrichtern über 3kV, haben Silikonkarbid PiN und Dioden des Silikonkarbids JBS die Aufmerksamkeit wegen ihrer höheren Durchbruchsspannung, schnelleren Schaltverzögerung, kleineren Volumens und helleren Gewichts als Silikongleichrichter erregt.

Ist ein wichtiges Halbleiter mit großer Bandlücke-Material sic Kristall. Wegen seiner hohen Wärmeleitfähigkeit hohe Elektrondrift, hohe Zusammenbruchfeldstärke und stabile körperliche und chemische Eigenschaften, ist es in der hohen Temperatur, in den Hochfrequenz- und der hohen Leistungelektronischen geräten weitverbreitet. Es gibt mehr als 200 Arten sic Kristalle, die bis jetzt entdeckt worden sind. Unter ihnen sind Kristalle 4H- und 6H-SiC Handels- geliefert worden. Alle sie gehören der 6mm Punktgruppe und einen zweitrangigen nichtlinearen optischen Effekt zu haben. Kristalle sic Halb-isolierend, seien Sie sichtbar und mittlere. Das Infrarotband hat eine höhere Beförderung. Deshalb sind die optoelektronischen Geräte, die auf sic Kristallen basieren, für Anwendungen in der extremen Umwelt wie hoher Temperatur und Hochdruck sehr passend. Halb-isolierender Kristall 4H-SiC ist ein neuer Typ mittel-Infrarotnichtlinearer optischer Kristall gewesen worden. Verglichen mit allgemein verwendeten mittel-Infrarotnichtlinearen optischen Kristallen, sic hat Kristall eine große Bandlücke (3.2eV) wegen des Kristalles. , Hohe Wärmeleitfähigkeit (490W/m·K) und große Bindungsenergie (5eV) zwischen dem Si-c, machend sic Kristall haben eine hohe Laser-Schadenschwelle. Deshalb hat halb-isolierender Kristall 4H-SiC als nichtlinearer Frequenzumsetzungskristall offensichtliche Vorteile, wenn er starken mittel-Infrarotlaser ausgibt. So auf dem Gebiet von starken Lasern, sic Kristall ist ein nichtlinearer optischer Kristall mit breiten Anwendungsaussichten. Jedoch ist die gegenwärtige Forschung, die sic auf den nichtlinearen Eigenschaften von Kristallen und von bezogenen Anwendungen basiert, nicht noch komplett. Diese Arbeit nimmt die nichtlinearen optischen Eigenschaften von Kristallen 4H- und 6H-SiC als der Hauptforschungsinhalt und zielt darauf ab, einige grundlegende Probleme der Kristalle im Hinblick auf nichtlineare optische Eigenschaften sic zu lösen, um die Anwendung von Kristallen auf dem Gebiet der nichtlinearen Optik sic zu fördern. Eine Reihe in Verbindung stehende Arbeit ist theoretisch und experimentell ausgeführt worden. Die Hauptforschungsresultate sind, wie folgt: 　　 Zuerst werden die grundlegenden nichtlinearen optischen Eigenschaften von sic Kristallen studiert. Die variable Temperaturbrechung von Kristallen 4H- und 6H-SiC in den sichtbaren und mittel-Infrarotbändern (404.7nm~2325.4nm) wurde und die Sellmier-Gleichung variablen Temperaturbrechungskoeffizienten wurde gepasst geprüft. Die vorbildliche Theorie des einzelnen Oszillators wurde verwendet, um die Streuung des Thermo-optischen Koeffizienten zu berechnen. Eine theoretische Erklärung wird gegeben; der Einfluss des Thermo-Optikeffektes auf die Phasenanpassung von Kristallen 4H- und 6H-SiC wird studiert. Die Ergebnisse zeigen, dass die Phasenanpassung von Kristallen 4H-SiC nicht durch Temperatur beeinflußt wird, während Kristalle 6H-SiC die TemperaturPhasenanpassung noch nicht erzielen können. Bedingung. Darüber hinaus wurde der Verdoppelungsfaktor der Frequenz des halb-Isolierens des Kristalles 4H-SiC durch die Herstellerfransenmethode geprüft.　　 Zweitens wird die optische Parametergeneration der Femtosekunde und die Verstärkungsleistung des Kristalles 4H-SiC studiert. Die Phasenanpassung, die Gruppengeschwindigkeit, die zusammenpassen, der beste nicht-collinear Winkel und beste Kristalldie länge des Kristalles 4H-SiC gepumpt durch Laser der Femtosekunde 800nm werden theoretisch analysiert. Unter Verwendung des Femtosekundelasers mit einer Wellenlänge des Ertrages 800nm durch das Ti: Saphirlaser als die Pumpenquelle, unter Verwendung der zweistufigen optischen parametrischen Verstärkungstechnologie, unter Verwendung eines 3.1mm starken halb-isolierenden Kristalles 4H-SiC als nichtlinearer optischer Kristall, unter der 90° Phasenanpassung zum ersten Mal ein mittel-Infrarotlaser mit einer Mittelwellenlänge von 3750nm, eine Einzelimpulsenergie bis zu 17μJ und eine Impulsbreite von 70fs wurde experimentell erhalten. Der Laser der Femtosekunde 532nm wird als das Pumpenlicht benutzt, und das sic Kristall ist 90° Phase-zusammengebracht, um Signallicht mit einer Ertragmittewellenlänge von 603nm durch optische Parameter zu erzeugen. Drittens wird die Spektralerweiterungsleistung des halb-Isolierens von 4H-SiC, das als nichtlineares optisches Medium Kristall ist, studiert. Die Versuchsergebnisse zeigen dass die Halbmaximumbreite der erweiterten Spektrumzunahmen mit der Kristalllänge und dem Laser-Energiedichtevorfall auf dem Kristall. Die lineare Zunahme kann durch das Prinzip der Selbstphasenmodulation erklärt werden, die hauptsächlich durch den Unterschied des Brechungskoeffizienten des Kristalles mit der Intensität des Vorfalllichtes verursacht wird. Gleichzeitig wird es analysiert, dass in der Femtosekundezeitskala, der nichtlineare Brechungskoeffizient möglicherweise sic des Kristalles wird hauptsächlich zugeschrieben den gebunden Elektronen im Kristall und den freien Elektronen im Leitungsband; und die Zscan-Technologie wird eingesetzt, um das sic Kristall unter Laser 532nm einleitend zu studieren. Nichtlineare Absorption und nichtlineare Brechungskoeffizient-Leistung.

2. Substrate sortieren vom Standard

4 Zoll Durchmesser Silikon-Karbid-(sic) Substrat-Spezifikation
Grad		Nullmpd-Grad	Produktions-Grad	Forschungs-Grad	Blinder Grad
Durchmesser		76,2 mm±0.3 Millimeter oder 100±0.5mm;
Stärke		500±25um
Oblaten-Orientierung		0° weg (0001) von der Achse
Micropipe-Dichte		cm2 ≤1	cm2 ≤5	cm2 ≤15	cm2 ≤50
Widerstandskraft	4H-N	0.015~0.028 Ω•cm
	6H-N	0.02~0.1 Ω•cm
	4/6H-SI	≥1E7 Ω·cm
Primärebene und Länge		{10-10} ±5.0°, 32,5 mm±2.0 Millimeter
Flache zweitenslänge		18.0mm±2.0 Millimeter
Flache zweitensorientierung		Silikon nach oben: 90° CW. von flachem Haupt±5.0°
Randausschluß		3 Millimeter
TTV/Bow /Warp		≤15μm/≤25μm/≤40μm
Rauheit		Polnisches Ra≤1 Nanometer, CMP Ra≤0.5 Nanometer
Sprünge durch Licht der hohen Intensität		Kein		1 gewährt, ≤2 Millimeter	Kumulatives Länge ≤ 10mm, einzelnes length≤2mm

Hexen-Platten durch Licht der hohen Intensität		Kumulativer Bereich ≤1%		Kumulativer Bereich ≤1%	Kumulativer Bereich ≤3%
Polytype-Bereiche durch Licht der hohen Intensität		Kein		Kumulativer Bereich ≤2%	Kumulativer Bereich ≤5%

Sic Oblate u. Barren 2-6inch und andere kundengebundene Größe kann auch zur Verfügung gestellt werden.

Anzeige des Details 3.Products

Haupt2" 3" 4" 6" Oblate des 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic Substrat Silikon-Karbids sic 0

Haupt2" 3" 4" 6" Oblate des 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic Substrat Silikon-Karbids sic 1

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Haupt2" 3" 4" 6" Oblate des 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic Substrat Silikon-Karbids sic 3

FAQ

Q1. Ist Ihre Firma eine Fabrik oder eine Geschäftsfirma?
Wir sind die Fabrik und wir können Export auch tun.
Q2.Is Sie Firmeneinzige Arbeit mit sic Geschäft?
ja; jedoch wachsen wir das sic Kristall nicht durch Selbst.
Q3. Konnten Sie Probe liefern?
Ja können wir Saphirprobe entsprechend der Anforderung des Kunden liefern
Q4. Haben Sie irgendeinen Vorrat an sic Oblaten?
wir halten normalerweise einige Oblaten der Standardgröße sic von den Oblaten 2-6inch auf Lager
Q5.Where ist Ihre gelegene Firma.
Unsere Firma gelegen in Shanghai, China.
Q6. Wie lang nimmt, um die Produkte zu erhalten.
Im Allgemeinen dauert es 3~4 Wochen, um zu verarbeiten. Es ist, von der und Größe der Produkte abzuhängen.

Umbauten:

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

GaAs-Oblate

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

GaAs-Oblate

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

Einzelheiten zu den Produkten

Haupt2" 3" 4" 6" Oblate des 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic Substrat Silikon-Karbids sic

0.5mm

die halb sic isolieren

Sechseckiges Xsemi

sic Oblate

sic Substrat

Silikonkarbidsubstrat

HPSI SiC Wafer 2-12 Zoll optischer Grad für AI/AR-Brille

Doppelseitig polierte SiC-Spiegel mit hoher Reinheit, optische Komponente für MEMS-Mikrospiegel