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6inch Art sic Substrat Durchmessers 150mm 350um Stärke-4H N für SBD MOS Application

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kaufen sic besonders angefertigt 4 Silikon-Karbid-Oblaten H-N Type Semi-Insulatings Substrat-4inch 6inch Online-Herstellung

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kaufen 10x10mm 5x5mm sic Substrat-Widerstandskraft 0.015-0.028ohm. Cm oder >1E7ohm.Cm bricht sic ab Online-Herstellung

10x10mm 5x5mm sic Substrat-Widerstandskraft 0.015-0.028ohm. Cm oder >1E7ohm.Cm bricht sic ab

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kaufen 10 Millimeter X 10 6H Halb-isolierender Millimeter Art-sic Substrat-Forschungs-Grad sic Crystal Substrate Online-Herstellung Video

10 Millimeter X 10 6H Halb-isolierender Millimeter Art-sic Substrat-Forschungs-Grad sic Crystal Substrate

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kaufen Industriequalität 6H SiC Substrate für Hochtemperatur-, UV- und Präzisionselektronik Online-Herstellung Video

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Silikon-Karbid-sic Substrat-blinder Hauptgrad Oblate 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC

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kaufen 6H-N 4H-N sic Silikon-Karbid-Oblate Substrat-2inch 0.33mm 0.43mm Online-Herstellung Video

6H-N 4H-N sic Silikon-Karbid-Oblate Substrat-2inch 0.33mm 0.43mm

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kaufen Blinde des Grad-6Inch sic Stärke Substrat-der Oblaten-Dia150mm 4H-N 500mm Online-Herstellung

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kaufen 12-Zoll 300 mm 4H-N SiC-Substrat für die Herstellung von Leistungshalbleitern Online-Herstellung

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kaufen Premium 12-Zoll (300 mm) Siliziumkarbid (SiC) Substrat-Lösungen Online-Herstellung

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kaufen Silikonkarbid Wafer Sic Substrat 4H-P Typ Off Achse 4,0° auf Null Online-Herstellung

Silikonkarbid Wafer Sic Substrat 4H-P Typ Off Achse 4,0° auf Null

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kaufen Widerstandskraft >1E7ohm.cm sic Substrat durch customzied Form Online-Herstellung

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kaufen Silikon-Nitrid-sic Substrat-Attrappe ordnen das 4 Zoll-4H-N sic Substrat für Geräte der hohen Leistung Online-Herstellung

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kaufen 330um der Stärke-4 H-N Types Substrat-Produktions-Grad Dia50.8mm 2inch sic Online-Herstellung

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kaufen 2inch Forschungs-Grad-einzelner Kristall Durchmessers 50.8mm sic Substrat-4H-Semi Online-Herstellung

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kaufen 4 H-N Type Semi-Insulatings Silikon-Karbid-Oblaten sic Substrat-2inch 3inch 4inch Online-Herstellung

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kaufen 12 Zoll Durchmesser 300 mm SIC Substrat Epitaxial Polierte Wafer Siliziumkarbid Ingot Prime Grade 4H-N Typ Leitung Solar Photovoltaik Online-Herstellung

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kaufen 6inch Art sic Substrat Durchmessers 150mm 350um Stärke-4H N für SBD MOS Application Online-Herstellung

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kaufen Sic Substrat MIT 9,7 Wärmeleitfähigkeit der Dielektrizitätskonstante-4,9 W/mK Online-Herstellung

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kaufen Waferherstellungs-Grad 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate für Hochfrequenz-Geräte Online-Herstellung

Waferherstellungs-Grad 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate für Hochfrequenz-Geräte

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