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SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

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6 Zoll 8 Zoll Wafer-Kassette

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SiC-Samenwafer 4H N Typ Dia 153 155 2 Zoll-12 Zoll für die Herstellung von MOSFETs

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Zusammengestellte 4-Zoll- (100 mm) Siliziumwafer: 350 μm Dicke, <100> Orientierung, DSP/SSP, N-Typ/P-Typ Doping

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4 Zoll Si-Wafer Dia 100mm Dicke 350um Ausrichtung <100> DSP SSP kundenspezifische Silizium-Wafer N-Typ P-Typ

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SiC-Kristall-Samenwaffen Dia 205 203 208 Produktionsgrad PVT/HTCVD-Wachstum

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2 Zoll Quarz-Wafer Hochreiner Quarzglas-Wafer Ultrahohe Transmission

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4 Zoll Quarz Wafer Stärke Bereich 0,5 mm bis 1,5 mm Ra ≤ 0,5 nm

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2 Zoll-Gallium-Nitrid-Wafer Sapphire Template Epi Wafers

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Transparente orangefarbene GaP-Wafer ohne Doppelung P-Typ N-Typ 200um 350um 5G Licht emittierend

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SiC-Mehrscheiben-Trägerplatte Druckloses gesintertes Siliziumkarbid für die Waferstütze

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Durchmesser-Schwarz-Farbe der Laserdiode InP-Indium-Phosphid-Oblaten-100mm

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einzelne Crystal Gallium Arsenide Substrates Semiconductor N Art 2inch

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der Wachstums-Methode P 6Inch VGF Art GaAs-Oblaten GaAs-Substrate

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