GaP Halbisolierte Wafer P Typ N Typ 400um 500um Grüne LED Rot Grüne Lichtemission

GaP Halbisolierte Wafer P Typ N Typ 400um 500um Grüne LED Rot Grüne Lichtemission

Beschreibung:

Galliumphosphid ist ein häufig verwendetes Halbleitermaterial mit hoher Leitfähigkeit und hoher photoelektrischer Umwandlungseffizienz.Galliumphosphid kann bei der Herstellung von Solarzellen verwendet werdenGalliumphosphid (GaP) ist ein wichtiges photonisches Material, das seit langem als Wirkstoff in grünen Leuchtdioden verwendet wird.GaP ist eine indirekte Bandlücke (2.26 eV) Halbleiter mit hohem Brechungsindex (n> 3) und nichtlinearer dritter Ordnung und transparent im Wellenlängenbereich von 450 nm bis 11 μm.als nichtzentrosymmetrischer Kristall mit einem großen nichtlinearen und nicht-nullenden piezoelektrischen Koeffizienten zweiter Ordnung, ist für zukünftige integrierte Photonik-Anwendungen in sichtbarem, nahen Infrarot, Telekommunikation und mittlerem Infrarot-Band geeignet.

Eigenschaften:
Galliumphosphat GaP, ein wichtiger Halbleiter mit einzigartigen elektrischen Eigenschaften wie andere III-V-Verbindungsmaterialien, kristallisiert in der thermodynamisch stabilen kubischen ZB-Struktur,ist ein orange-gelbes halbtransparentes Kristallmaterial mit einer indirekten Bandlücke von 2.26 eV (300K), das aus 6N 7N hochreinem Gallium und Phosphor synthetisiert und mittels der Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) -Technik zu einem einzigen Kristall gewachsen ist.Der Galliumphosphatkristall wird mit Schwefel oder Tellurium doppiert, um einen Halbleiter des Typs n zu erhalten, und Zink doped als p-Typ-Leitfähigkeit für die weitere Herstellung in gewünschte Wafer, die Anwendungen in optischen Systemen, elektronischen und anderen optoelektronischen Geräten hat.Single Crystal GaP Wafer kann Epi-Ready für Ihre LPE vorbereitet werden, MOCVD und MBE-Epitaksialanwendung.n-Typ oder undoped Leitfähigkeit bei Western Minmetals (SC) Corporation in Größe 2′′ und 3′′ (50mm) angeboten werden kann, 75 mm Durchmesser), Orientierung <100>,<11> mit Oberflächenveredelung aus geschnittenem, poliertem oder epi-bereitem Verfahren.

Technische Parameter:

Anwendungen:

LED-Beleuchtungseinrichtungen: GaP dient als LED-Material, das in Beleuchtungs- und Anzeigegeräten verwendet wird. 

Solarzellen: Bei der Herstellung von Solarzellen zur Umwandlung von Solarenergie in elektrische Energie verwendet. 

Spektralanalytikgeräte: Im Labor und in der wissenschaftlichen Forschung zur optischen Spektralanalyse verwendet.

Halbleiterverstärker: In Verstärkern und integrierten Schaltungen für HF- und Mikrowellenanwendungen verwendet.

Fotodetektoren: In optischen Sensoren und Detektoren für optische Messungen und Sensoren verwendet.

Mikrowellen-HF-Geräte: In Hochfrequenz- und Mikrowellenkreisen als Hochleistungskomponenten verwendet.

Hochtemperaturelektronische Geräte: In elektronischen Geräten verwendet, die in hochtemperaturartigen Umgebungen arbeiten.

Hochfrequente elektronische Geräte: In Hochfrequenz-elektronischen Systemen wie HF-Leistungsverstärkern verwendet.

Andere Erzeugnisse:

GaN-Wafer:

Häufige Fragen:

F: Welcher Markenname trägt dieGaP-halbisolierte Wafer?

A: Der Markenname desGaP-halbisolierte Waferist ZMSH.

F: Was ist die Zertifizierung derGaP-halbisolierte Wafer?

A: Die Zertifizierung derGaP-halbisolierte Waferist ROHS.

F: Wo ist der Ursprungsort derGaP-halbisolierte Wafer?

A: Herkunftsort derGaP-halbisolierte Waferist China.

F: Welches ist das MOQ derGaP-halbisolierte Wafer auf einmal?

A: Die MOQ derGaP-halbisolierte Waferist 25 Stück auf einmal.