SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD 86-1580-1942596 eric_wang@zmsh-materials.com
4 Inch Semi-Insulating Indium Phosphide InP Wafer For LD Laser Diode

4 Zoll-Halb-isolierender Indium-Phosphid InP-Wafer für LD-Laserdiode

  • Markieren

    inp-Oblate

    ,

    MgO-Substrat

  • Materialien
    Einzelner Kristall InP
  • Industrie
    Halbleitersubstrate, Gerät,
  • Farbe
    Schwarz
  • Art
    halb- Art
  • Durchmesser
    100mm 4inch
  • Stärke
    625um oder 350um
  • Herkunftsort
    China
  • Markenname
    zmkj
  • Modellnummer
    InP-3inch
  • Min Bestellmenge
    10pcs
  • Preis
    by case
  • Verpackung Informationen
    einzelner Oblatenkasten
  • Lieferzeit
    3-4Wochen
  • Versorgungsmaterial-Fähigkeit
    1000pcs/month

4 Zoll-Halb-isolierender Indium-Phosphid InP-Wafer für LD-Laserdiode

Halb-isolierende Phosphid InP-Oblate des Indium-4inch für LD-Laserdiode, Halbleiterwafer, Oblate InP-3inch, einzelne Kristall-wafer2inch 3inch 4inch InP-Substrate für LD-Anwendung, Halbleiterwafer, InP-Oblate, einzelne Kristallscheibe

 

InP führen ein

                                                                                                         
Einzelner Kristall InP
4 Zoll-Halb-isolierender Indium-Phosphid InP-Wafer für LD-Laserdiode 0

4 Zoll-Halb-isolierender Indium-Phosphid InP-Wafer für LD-Laserdiode 1

 Wachstum (geänderte Czochralski-Methode) wird verwendet, um ein einzelnes zu ziehen

 

Kristall durch ein encapsulant Abfahren der Boroxidflüssigkeit von einem Samen.

Der Dopant (F.E., S, Sn oder Zn) wird dem Tiegel zusammen mit dem polycrystal hinzugefügt. Hochdruck wird innerhalb der Kammer angewendet, um Aufspaltung der Firma des Indiums Phosphide.he zu verhindern hat entwickelt einen Prozess, um völlig stöchiometrischen, hohen Reinheitsgrad und niedrigen einzelnen Kristall Versetzungsdichte inP zu erbringen.

Die tCZ Technik verbessert nach dem LEC-Methodendank

zu einer thermischen Leitblechtechnologie in Zusammenhang mit einem numerischen

Modellieren von thermischen Wachstumszuständen. tCZ ist ein kosteneffektives

reife Technologie mit Reproduzierbarkeit der hohen Qualität von Boule zu Boule

 

Spezifikation

                                                                                                   

 

F.E. lackierte InP

Halb-isolierende InP-Spezifikationen

Wachstums-Methode VGF
Dopant Eisen (F.E.)
Oblaten-Form Runde (Durchmesser: 2", 3" UND 4")
Oberflächenorientierung (100) ±0.5°

*Other Orientierungen möglicherweise verfügbar auf Anfrage

Widerstandskraft (Ω.cm) ≥0.5 × 107
Mobilität (cm2/V.S) ≥ 1.000
Ätzungs-Neigungs-Dichte (cm2) 1,500-5,000

 

Oblaten-Durchmesser (Millimeter) 50.8±0.3 76.2±0.3 100±0.3
Stärke (µm) 350±25 625±25 625±25
TTV [P/P] (µm) ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10
TTV [P/E] (µm) ≤ 10 ≤ 15 ≤ 15
VERZERRUNG (µm) ≤ 15 ≤ 15 ≤ 15
VON (Millimeter) 17±1 22±1 32.5±1
VON/, WENN (Millimeter) 7±1 12±1 18±1
Polish* E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished

Anmerkung: Andere Spezifikationen möglicherweise verfügbar auf Anfrage

 

n- und p-artiger InP

Halbleiterinp-Spezifikationen

Wachstums-Methode VGF
Dopant n-artig: S, Sn UND Undoped; p-artig: Zn
Oblaten-Form Runde (Durchmesser: 2", 3" UND 4")
Oberflächenorientierung (100) ±0.5°

*Other Orientierungen möglicherweise verfügbar auf Anfrage

Dopant S u. Sn (n-artig) Undoped (n-artig) Zn (p-artig)
Ladungsträgerdichte (cm-3) (0.8-8) × 1018 (1-10) × 1015 (0.8-8) ×1018
Mobilität (cm2/V.S.) (1-2.5) × 103 (3-5) × 103 50-100
Ätzungs-Neigungs-Dichte (cm2) 100-5,000 ≤ 5000 ≤ 500
Oblaten-Durchmesser (Millimeter) 50.8±0.3 76.2±0.3 100±0.3
Stärke (µm) 350±25 625±25 625±25
TTV [P/P] (µm) ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10
TTV [P/E] (µm) ≤ 10 ≤ 15 ≤ 15
VERZERRUNG (µm) ≤ 15 ≤ 15 ≤ 15
VON (Millimeter) 17±1 22±1 32.5±1
VON/, WENN (Millimeter) 7±1 12±1 18±1
Polish* E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished

Anmerkung: Andere Spezifikationen möglicherweise verfügbar auf Anfrage

 

InP-Oblatenverarbeitung
4 Zoll-Halb-isolierender Indium-Phosphid InP-Wafer für LD-Laserdiode 0
Jeder Barren wird in Oblaten, die eingehüllt werden, poliert und in die Oberfläche, die für Epitaxie vorbereitet wird geschnitten. Der Gesamtprozeß wird nachstehend einzeln aufgeführt.

4 Zoll-Halb-isolierender Indium-Phosphid InP-Wafer für LD-Laserdiode 3
Flache Spezifikation und Identifizierung Die Orientierung wird auf den Oblaten durch zwei Ebenen angezeigt (lang flach für Orientierung, kleine Ebene für Identifizierung). Normalerweise wird der E.J.-Standard (europäisch-japanisch) verwendet. Die abwechselnde flache Konfiguration (US) wird größtenteils für Ø 4" Oblaten verwendet.
4 Zoll-Halb-isolierender Indium-Phosphid InP-Wafer für LD-Laserdiode 3
Orientierung des Boule Entweder genaue (100) oder misoriented Oblaten werden angeboten.
4 Zoll-Halb-isolierender Indium-Phosphid InP-Wafer für LD-Laserdiode 3
Genauigkeit der Orientierung von In Erwiderung auf den Bedarf der optoelektronischen Industrie, wir Angebotoblaten mit ausgezeichneter Genauigkeit von der Orientierung: < 0="">
4 Zoll-Halb-isolierender Indium-Phosphid InP-Wafer für LD-Laserdiode 3
Randprofil Es gibt zwei allgemeine Spezifikt.: chemischer verarbeitender oder mechanisches Randverarbeitender Rand (mit einem Randschleifer).
4 Zoll-Halb-isolierender Indium-Phosphid InP-Wafer für LD-Laserdiode 3
Polnisch Oblaten werden mittels eines Chemikalie-mechanischen Prozesses mit dem Ergebnis einer flachen, Schaden-freien Oberfläche poliert. wir stellen beide doppel-seitigen Polier- und Simplex polierten (mit eingehüllter und geätzter Rückseite) Oblaten zur Verfügung.
4 Zoll-Halb-isolierender Indium-Phosphid InP-Wafer für LD-Laserdiode 3
Abschließendes Vorbereiten der Oberfläche und Verpacken Oblaten laufen viele chemischen Schritte, das Oxid zu entfernen durch, das während des Polierens und eine saubere Oberfläche mit stabiler und einheitlicher Oxidschicht zu schaffen produziert wird, die zur Epitaxie - epiready Oberfläche und die verringert Spurenelemente auf extrem - niedrige Stände bereit ist. Nach Endprüfung werden die Oblaten auf eine Art verpackt, die die Oberflächensauberkeit beibehält.
Spezifische Anweisungen für Oxidabbau sind für alle Arten Epitaxial- Technologien (MOCVD, MBE) verfügbar.
4 Zoll-Halb-isolierender Indium-Phosphid InP-Wafer für LD-Laserdiode 3
Datenbank Als Teil unseres statistischen prozesskontrollierten/des umfassenden Qualitätsmanagements Programms sind die umfangreiche Datenbank, welche die elektrischen und mechanischen Eigenschaften für jeden Barren sowie Kristallqualitäts- und Oberflächenanalyse von Oblaten notiert, verfügbar. An jedem Verarbeitungsgrad, wird das Produkt kontrolliert, bevor man zum folgenden Stadium, zum einer hohen Stufe der Qualitätsübereinstimmung von Oblate zu Oblate und von Boule zu Boule beizubehalten überschreitet.

 

4 Zoll-Halb-isolierender Indium-Phosphid InP-Wafer für LD-Laserdiode 104 Zoll-Halb-isolierender Indium-Phosphid InP-Wafer für LD-Laserdiode 11

4 Zoll-Halb-isolierender Indium-Phosphid InP-Wafer für LD-Laserdiode 12

Paket u. Lieferung

 

4 Zoll-Halb-isolierender Indium-Phosphid InP-Wafer für LD-Laserdiode 13

4 Zoll-Halb-isolierender Indium-Phosphid InP-Wafer für LD-Laserdiode 14

FAQ:

Q: Was ist Ihr MOQ und Lieferfrist?

: (1) für Inventar, ist das MOQ 5 PC.

(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 10-30 PC oben.

  (3) für kundengebundene Produkte, die Lieferfrist in 10days, custiomzed Größe für 2-3weeks