4 Zoll-Halb-isolierender Indium-Phosphid InP-Wafer für LD-Laserdiode
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Markieren
inp-Oblate
,MgO-Substrat
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MaterialienEinzelner Kristall InP
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IndustrieHalbleitersubstrate, Gerät,
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FarbeSchwarz
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Arthalb- Art
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Durchmesser100mm 4inch
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Stärke625um oder 350um
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HerkunftsortChina
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Markennamezmkj
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ModellnummerInP-3inch
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Min Bestellmenge10pcs
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Preisby case
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Verpackung Informationeneinzelner Oblatenkasten
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Lieferzeit3-4Wochen
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Versorgungsmaterial-Fähigkeit1000pcs/month
4 Zoll-Halb-isolierender Indium-Phosphid InP-Wafer für LD-Laserdiode
Halb-isolierende Phosphid InP-Oblate des Indium-4inch für LD-Laserdiode, Halbleiterwafer, Oblate InP-3inch, einzelne Kristall-wafer2inch 3inch 4inch InP-Substrate für LD-Anwendung, Halbleiterwafer, InP-Oblate, einzelne Kristallscheibe
InP führen ein
| Einzelner Kristall InP | |
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Wachstum (geänderte Czochralski-Methode) wird verwendet, um ein einzelnes zu ziehen Kristall durch ein encapsulant Abfahren der Boroxidflüssigkeit von einem Samen. Der Dopant (F.E., S, Sn oder Zn) wird dem Tiegel zusammen mit dem polycrystal hinzugefügt. Hochdruck wird innerhalb der Kammer angewendet, um Aufspaltung der Firma des Indiums Phosphide.he zu verhindern hat entwickelt einen Prozess, um völlig stöchiometrischen, hohen Reinheitsgrad und niedrigen einzelnen Kristall Versetzungsdichte inP zu erbringen. zu einer thermischen Leitblechtechnologie in Zusammenhang mit einem numerischen Modellieren von thermischen Wachstumszuständen. tCZ ist ein kosteneffektives reife Technologie mit Reproduzierbarkeit der hohen Qualität von Boule zu Boule |
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Spezifikation
F.E. lackierte InP
Halb-isolierende InP-Spezifikationen
| Wachstums-Methode | VGF |
| Dopant | Eisen (F.E.) |
| Oblaten-Form | Runde (Durchmesser: 2", 3" UND 4") |
| Oberflächenorientierung | (100) ±0.5° |
*Other Orientierungen möglicherweise verfügbar auf Anfrage
| Widerstandskraft (Ω.cm) | ≥0.5 × 107 |
| Mobilität (cm2/V.S) | ≥ 1.000 |
| Ätzungs-Neigungs-Dichte (cm2) | 1,500-5,000 |
| Oblaten-Durchmesser (Millimeter) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 |
| Stärke (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| VERZERRUNG (µm) | ≤ 15 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| VON (Millimeter) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 |
| VON/, WENN (Millimeter) | 7±1 | 12±1 | 18±1 |
| Polish* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
*E=Etched, P=Polished
Anmerkung: Andere Spezifikationen möglicherweise verfügbar auf Anfrage
n- und p-artiger InP
Halbleiterinp-Spezifikationen
| Wachstums-Methode | VGF |
| Dopant | n-artig: S, Sn UND Undoped; p-artig: Zn |
| Oblaten-Form | Runde (Durchmesser: 2", 3" UND 4") |
| Oberflächenorientierung | (100) ±0.5° |
*Other Orientierungen möglicherweise verfügbar auf Anfrage
| Dopant | S u. Sn (n-artig) | Undoped (n-artig) | Zn (p-artig) |
| Ladungsträgerdichte (cm-3) | (0.8-8) × 1018 | (1-10) × 1015 | (0.8-8) ×1018 |
| Mobilität (cm2/V.S.) | (1-2.5) × 103 | (3-5) × 103 | 50-100 |
| Ätzungs-Neigungs-Dichte (cm2) | 100-5,000 | ≤ 5000 | ≤ 500 |
| Oblaten-Durchmesser (Millimeter) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 |
| Stärke (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| VERZERRUNG (µm) | ≤ 15 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| VON (Millimeter) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 |
| VON/, WENN (Millimeter) | 7±1 | 12±1 | 18±1 |
| Polish* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
*E=Etched, P=Polished
Anmerkung: Andere Spezifikationen möglicherweise verfügbar auf Anfrage
| InP-Oblatenverarbeitung | |
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| Jeder Barren wird in Oblaten, die eingehüllt werden, poliert und in die Oberfläche, die für Epitaxie vorbereitet wird geschnitten. Der Gesamtprozeß wird nachstehend einzeln aufgeführt. | |
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| Flache Spezifikation und Identifizierung | Die Orientierung wird auf den Oblaten durch zwei Ebenen angezeigt (lang flach für Orientierung, kleine Ebene für Identifizierung). Normalerweise wird der E.J.-Standard (europäisch-japanisch) verwendet. Die abwechselnde flache Konfiguration (US) wird größtenteils für Ø 4" Oblaten verwendet. |
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| Orientierung des Boule | Entweder genaue (100) oder misoriented Oblaten werden angeboten. |
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| Genauigkeit der Orientierung von | In Erwiderung auf den Bedarf der optoelektronischen Industrie, wir Angebotoblaten mit ausgezeichneter Genauigkeit von der Orientierung: < 0=""> |
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| Randprofil | Es gibt zwei allgemeine Spezifikt.: chemischer verarbeitender oder mechanisches Randverarbeitender Rand (mit einem Randschleifer). |
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| Polnisch | Oblaten werden mittels eines Chemikalie-mechanischen Prozesses mit dem Ergebnis einer flachen, Schaden-freien Oberfläche poliert. wir stellen beide doppel-seitigen Polier- und Simplex polierten (mit eingehüllter und geätzter Rückseite) Oblaten zur Verfügung. |
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| Abschließendes Vorbereiten der Oberfläche und Verpacken | Oblaten laufen viele chemischen Schritte, das Oxid zu entfernen durch, das während des Polierens und eine saubere Oberfläche mit stabiler und einheitlicher Oxidschicht zu schaffen produziert wird, die zur Epitaxie - epiready Oberfläche und die verringert Spurenelemente auf extrem - niedrige Stände bereit ist. Nach Endprüfung werden die Oblaten auf eine Art verpackt, die die Oberflächensauberkeit beibehält. Spezifische Anweisungen für Oxidabbau sind für alle Arten Epitaxial- Technologien (MOCVD, MBE) verfügbar. |
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| Datenbank | Als Teil unseres statistischen prozesskontrollierten/des umfassenden Qualitätsmanagements Programms sind die umfangreiche Datenbank, welche die elektrischen und mechanischen Eigenschaften für jeden Barren sowie Kristallqualitäts- und Oberflächenanalyse von Oblaten notiert, verfügbar. An jedem Verarbeitungsgrad, wird das Produkt kontrolliert, bevor man zum folgenden Stadium, zum einer hohen Stufe der Qualitätsübereinstimmung von Oblate zu Oblate und von Boule zu Boule beizubehalten überschreitet. |
Paket u. Lieferung
FAQ:
Q: Was ist Ihr MOQ und Lieferfrist?
: (1) für Inventar, ist das MOQ 5 PC.
(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 10-30 PC oben.
(3) für kundengebundene Produkte, die Lieferfrist in 10days, custiomzed Größe für 2-3weeks
Unsere Produkte werden auf der ganzen Welt verkauft. Sie können sich auf den gesamten Prozess unserer Produkte verlassen.