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4 Zoll-Halb-isolierender Indium-Phosphid InP-Wafer für LD-Laserdiode

Name: 4 Zoll-Halb-isolierender Indium-Phosphid InP-Wafer für LD-Laserdiode
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: InP-3inch
Price: 50,002.00 USD
Availability: InStock

Produkt-Details

Herkunftsort: China

Markenname: zmkj

Modellnummer: InP-3inch

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Min Bestellmenge: 10pcs

Preis: by case

Verpackung Informationen: einzelner Oblatenkasten

Lieferzeit: 3-4Wochen

Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000pcs/month

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Produkt-Beschreibung

Hervorheben: 
                                                                                                                                                                                                                                                inp-Oblate, MgO-Substrat
                              

Materialien:	Einzelner Kristall InP	Industrie:	Halbleitersubstrate, Gerät,
Farbe:	Schwarz	Art:	halb- Art
Durchmesser:	100mm 4inch	Stärke:	625um oder 350um

Materialien:	Einzelner Kristall InP
Industrie:	Halbleitersubstrate, Gerät,
Farbe:	Schwarz
Art:	halb- Art
Durchmesser:	100mm 4inch
Stärke:	625um oder 350um

4 Zoll-Halb-isolierender Indium-Phosphid InP-Wafer für LD-Laserdiode

Halb-isolierende Phosphid InP-Oblate des Indium-4inch für LD-Laserdiode, Halbleiterwafer, Oblate InP-3inch, einzelne Kristall-wafer2inch 3inch 4inch InP-Substrate für LD-Anwendung, Halbleiterwafer, InP-Oblate, einzelne Kristallscheibe

InP führen ein

Einzelner Kristall InP

Wachstum (geänderte Czochralski-Methode) wird verwendet, um ein einzelnes zu ziehen

Kristall durch ein encapsulant Abfahren der Boroxidflüssigkeit von einem Samen.

Der Dopant (F.E., S, Sn oder Zn) wird dem Tiegel zusammen mit dem polycrystal hinzugefügt. Hochdruck wird innerhalb der Kammer angewendet, um Aufspaltung der Firma des Indiums Phosphide.he zu verhindern hat entwickelt einen Prozess, um völlig stöchiometrischen, hohen Reinheitsgrad und niedrigen einzelnen Kristall Versetzungsdichte inP zu erbringen.

Die tCZ Technik verbessert nach dem LEC-Methodendank

zu einer thermischen Leitblechtechnologie in Zusammenhang mit einem numerischen

Modellieren von thermischen Wachstumszuständen. tCZ ist ein kosteneffektives

reife Technologie mit Reproduzierbarkeit der hohen Qualität von Boule zu Boule

Spezifikation

F.E. lackierte InP

Halb-isolierende InP-Spezifikationen

Wachstums-Methode	VGF
Dopant	Eisen (F.E.)
Oblaten-Form	Runde (Durchmesser: 2", 3" UND 4")
Oberflächenorientierung	(100) ±0.5°

*Other Orientierungen möglicherweise verfügbar auf Anfrage

Widerstandskraft (Ω.cm)	≥0.5 × 107
Mobilität (cm2/V.S)	≥ 1.000
Ätzungs-Neigungs-Dichte (cm2)	1,500-5,000

Oblaten-Durchmesser (Millimeter)	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.3
Stärke (µm)	350±25	625±25	625±25
TTV [P/P] (µm)	≤ 10	≤ 10	≤ 10
TTV [P/E] (µm)	≤ 10	≤ 15	≤ 15
VERZERRUNG (µm)	≤ 15	≤ 15	≤ 15
VON (Millimeter)	17±1	22±1	32.5±1
VON/, WENN (Millimeter)	7±1	12±1	18±1
Polish*	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished

Anmerkung: Andere Spezifikationen möglicherweise verfügbar auf Anfrage

n- und p-artiger InP

Halbleiterinp-Spezifikationen

Wachstums-Methode	VGF
Dopant	n-artig: S, Sn UND Undoped; p-artig: Zn
Oblaten-Form	Runde (Durchmesser: 2", 3" UND 4")
Oberflächenorientierung	(100) ±0.5°

*Other Orientierungen möglicherweise verfügbar auf Anfrage

Dopant	S u. Sn (n-artig)	Undoped (n-artig)	Zn (p-artig)
Ladungsträgerdichte (cm-3)	(0.8-8) × 1018	(1-10) × 1015	(0.8-8) ×1018
Mobilität (cm2/V.S.)	(1-2.5) × 103	(3-5) × 103	50-100
Ätzungs-Neigungs-Dichte (cm2)	100-5,000	≤ 5000	≤ 500

Oblaten-Durchmesser (Millimeter)	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.3
Stärke (µm)	350±25	625±25	625±25
TTV [P/P] (µm)	≤ 10	≤ 10	≤ 10
TTV [P/E] (µm)	≤ 10	≤ 15	≤ 15
VERZERRUNG (µm)	≤ 15	≤ 15	≤ 15
VON (Millimeter)	17±1	22±1	32.5±1
VON/, WENN (Millimeter)	7±1	12±1	18±1
Polish*	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished

Anmerkung: Andere Spezifikationen möglicherweise verfügbar auf Anfrage

InP-Oblatenverarbeitung

Jeder Barren wird in Oblaten, die eingehüllt werden, poliert und in die Oberfläche, die für Epitaxie vorbereitet wird geschnitten. Der Gesamtprozeß wird nachstehend einzeln aufgeführt.

Flache Spezifikation und Identifizierung	Die Orientierung wird auf den Oblaten durch zwei Ebenen angezeigt (lang flach für Orientierung, kleine Ebene für Identifizierung). Normalerweise wird der E.J.-Standard (europäisch-japanisch) verwendet. Die abwechselnde flache Konfiguration (US) wird größtenteils für Ø 4" Oblaten verwendet.

Orientierung des Boule	Entweder genaue (100) oder misoriented Oblaten werden angeboten.

Genauigkeit der Orientierung von	In Erwiderung auf den Bedarf der optoelektronischen Industrie, wir Angebotoblaten mit ausgezeichneter Genauigkeit von der Orientierung: < 0="">

Randprofil	Es gibt zwei allgemeine Spezifikt.: chemischer verarbeitender oder mechanisches Randverarbeitender Rand (mit einem Randschleifer).

Polnisch	Oblaten werden mittels eines Chemikalie-mechanischen Prozesses mit dem Ergebnis einer flachen, Schaden-freien Oberfläche poliert. wir stellen beide doppel-seitigen Polier- und Simplex polierten (mit eingehüllter und geätzter Rückseite) Oblaten zur Verfügung.

Abschließendes Vorbereiten der Oberfläche und Verpacken	Oblaten laufen viele chemischen Schritte, das Oxid zu entfernen durch, das während des Polierens und eine saubere Oberfläche mit stabiler und einheitlicher Oxidschicht zu schaffen produziert wird, die zur Epitaxie - epiready Oberfläche und die verringert Spurenelemente auf extrem - niedrige Stände bereit ist. Nach Endprüfung werden die Oblaten auf eine Art verpackt, die die Oberflächensauberkeit beibehält. Spezifische Anweisungen für Oxidabbau sind für alle Arten Epitaxial- Technologien (MOCVD, MBE) verfügbar.

Datenbank	Als Teil unseres statistischen prozesskontrollierten/des umfassenden Qualitätsmanagements Programms sind die umfangreiche Datenbank, welche die elektrischen und mechanischen Eigenschaften für jeden Barren sowie Kristallqualitäts- und Oberflächenanalyse von Oblaten notiert, verfügbar. An jedem Verarbeitungsgrad, wird das Produkt kontrolliert, bevor man zum folgenden Stadium, zum einer hohen Stufe der Qualitätsübereinstimmung von Oblate zu Oblate und von Boule zu Boule beizubehalten überschreitet.

4 Zoll-Halb-isolierender Indium-Phosphid InP-Wafer für LD-Laserdiode 10

4 Zoll-Halb-isolierender Indium-Phosphid InP-Wafer für LD-Laserdiode 12

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FAQ:

Q: Was ist Ihr MOQ und Lieferfrist?

: (1) für Inventar, ist das MOQ 5 PC.

(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 10-30 PC oben.

(3) für kundengebundene Produkte, die Lieferfrist in 10days, custiomzed Größe für 2-3weeks

Tags:

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

Indium-Phosphid-Oblate

Saphir-Teile

Saphirabdeckungsglas

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

GaAs-Oblate

Synthetischer Saphir Rod

IC-Siliziumscheibe

Fixierter Quarz-Platte

keramisches Substrat

Laborverpackung

4 Zoll-Halb-isolierender Indium-Phosphid InP-Wafer für LD-Laserdiode

inp-Oblate

MgO-Substrat

MgO-Substrat,

Gap-Oblate,

inp-Oblate

InAs Indium Arsenid2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Einzelkristall Substrat N/P Typ Halbleiter Wafer Dicke 300-800um

Germaniumsubstrat GE Flachfensteroptische Linsen Wärmebildgebung Anwendungen und Infrarotspektroskopie Hohe Härte

Ge-Germanium Wafer Halbleiter Substrate <111> Konzentrierende Photovoltaik CPV

Magnesiumoxid Reinheit 95% MgO Film Substrat 5x5 10x10 20x20 Dicke 0,5 mm 1,0 mm Ausrichtung <001> <110> <111>

InP Laser Epitaxial Wafer Indium Phosphid Wafer DFB/EML Expitaxial Wafer für intelligente Sensorik

InAs Wafer Doped Zn 2 Zoll Indium-Arsenid Wafer Dia 50mm Dicke 500um <100> angepasst

DFB Wafer N-InP Substrat Epiwafer aktive Schicht InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 Zoll für Gassensor

DFB Epiwafer InP Substrat MOCVD Methode 2 4 6 Zoll Betriebswellenlänge 1,3 μm, 1,55 μm

FP Epiwafer InP Substrat Kontaktschicht InGaAsP Dia 2 3 4 Zoll für OCT 1,3um Wellenlänge Band

InP FP Epiwafer InP-Substrat n/p Typ 2 3 4 Zoll mit einer Dicke von 350-650um für optische Netze

2 Zoll MgO Waferdicke 500um Orientierung<100> Kristall Magnesiumoxid Kristall individuell

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