Produkt-Details
Herkunftsort: CHINA
Markenname: zmsh
Zertifizierung: ROHS
Modellnummer: Oblate 6INCH GaAs
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Min Bestellmenge: 10pcs
Preis: by case
Verpackung Informationen: HAUSTIER-Film im Reinigungsraum mit 100 Graden
Lieferzeit: 1-4weeks
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 500PCS/Month
Material: |
Monokristall GaAs |
Industrie: |
semicondutor Oblate für ld oder geführt |
Anwendung: |
Halbleitersubstrat, führte Chip, optisches Glasfenster, Gerätsubstrate |
Methode: |
CZ |
Größe: |
2inch~6inch |
Stärke: |
0.425mm |
Oberfläche: |
cmp/geätzt |
lackiert: |
Si-lackiert |
MOQ: |
10PCS |
Grad: |
Forschungsgrad/blinder Grad |
Material: |
Monokristall GaAs |
Industrie: |
semicondutor Oblate für ld oder geführt |
Anwendung: |
Halbleitersubstrat, führte Chip, optisches Glasfenster, Gerätsubstrate |
Methode: |
CZ |
Größe: |
2inch~6inch |
Stärke: |
0.425mm |
Oberfläche: |
cmp/geätzt |
lackiert: |
Si-lackiert |
MOQ: |
10PCS |
Grad: |
Forschungsgrad/blinder Grad |
Oblaten-Galliumarsenid-Substrate DSP 4Inch GaAs
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GaAs-Oblate
Galliumarsenid (GaAs) ist eins von den wichtigen und das reifⅢ - Ⅴ Verbindungshalbleitermaterialien, die auf dem Gebiet von Optoelektronik und von Mikroelektronik weitverbreitet ist. Galliumarsenidmaterialien werden hauptsächlich in zwei Kategorien unterteilt: halb-Isoliergalliumarsenidmaterialien und HalbleiterGalliumarsenidmaterialien. Halb-Isoliergalliumarsenidmaterialien werden hauptsächlich benutzt, um integrierte Schaltungen mit MESFET-, HEMT- und HBT-Strukturen zu produzieren. Hauptsächlich verwendet im Radar, Mikrowellen- und Millimeterwellenkommunikation, Ultrahochgeschwindigkeitscomputer und Kommunikation aus optischen Fasern und andere Felder. HalbleiterGalliumarsenidmaterialien werden hauptsächlich in den Halbleiter-Lasern (LD), in den Halbleiterleuchtdioden (LED), in den fast-Infrarotlasern, in den starken Lasern des Quantentopfs und in den Solarzellen der Hochleistungsfähigkeit benutzt.
| Art/Dopant 导电类型/掺杂元素 | Halb-isoliert | P-Type/Zn | N-Type/Si | N-Type/Si |
| Anwendung 应用 | Mikro-Eletronic | LED | Laserdiode | |
| Wachstums-Methode 长晶方式 | VGF | |||
| Durchmesser 直径 | 2", 3", 4", 6" | |||
| Orientierung 晶向 | (100) ±0.5° | |||
| Stärke 厚度 (µm) | 350-625um±25um | |||
| OF-/IF参考边 | US EJ oder Kerbe | |||
| Ladungsträgerdichte 载流子浓度 | - | (0.5-5) *1019 | (0.4-4) *1018 | (0.4-0.25) *1018 |
| Widerstandskraft 电阻率 (Ohmcm) | >107 | (1.2-9.9) *10-3 | (1.2-9.9) *10-3 | (1.2-9.9) *10-3 |
| Mobilität 电子迁移率 (cm2/V.S.) | >4000 | 50-120 | >1000 | >1500 |
| Ätzungs-Neigungs-Dichte 位错密度 (/cm2) | <5000> | <5000> | <5000> | <500> |
| TTV-平整度 [P/P] (µm) | <5> | |||
| TTV-平整度 [P/E] (µm) | <10> | |||
| Verzerrung 翘曲度 (µm) | <10> | |||
| Fertiges Oberflächen表面加工 | P/P, P/E, E/E | |||
ÜBER UNSER ZMKJ
Q: Was ist das MOQ?
(1) für Inventar, ist das MOQ 5pcs.
(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 10pcs-30pcs.
Q: Haben Sie Abnahmeprüfprotokoll für Material?
Wir können Detailbericht für unsere Produkte liefern.
