HPSI SiC Wafer 2-12 Zoll optischer Grad für AI/AR-Brille

​​HPSI SiC Wafer 2-12 Zoll Optical Grade für AI/AR-Brillen​​

HPSI-Typ SiC-Wafer (High-Purity Semi-Insulating Silicon Carbide) dienen als optische Kernmaterialien in AI- und AR-Brillen. Mit ihrem ​​hohen Brechungsindex (2,6–2,7 @ 400–800 nm)​​ und ​​niedrigen optischen Absorptionseigenschaften​​ adressieren sie Probleme wie "Regenbogeneffekte" und unzureichende Lichtdurchlässigkeit in herkömmlichen Glas- oder Harzmaterialien für AR-Wellenleiter. Beispielsweise verwenden Meta’s Orion AR-Brillen HPSI SiC-Wellenleiterlinsen und erreichen ein ​​ultra-weites Sichtfeld (FOV) von 70°–80°​​ mit einer Einzelschichtlinsendicke von nur ​​0,55 mm​​ und einem Gewicht von ​​2,7 g​​, was den Tragekomfort und das Eintauchen erheblich verbessert.

HPSI SiC Wafer Kernmerkmale & Vorteile

Materialeigenschaften, optische Leistung und Anwendungswert​​

​​1. Brechungsindex: 2,6–2,7​​

• Dieser hohe Brechungsindex ermöglicht den Ersatz von Mehrschicht-Optikstrukturen durch eine Einzelschichtlinse, wodurch der Lichtverlust reduziert und die Helligkeit und Farbgenauigkeit verbessert werden. Folglich ermöglicht er reinere visuelle Darstellungen, eliminiert Regenbogeneffekte und unterstützt die nahtlose Integration mit hochauflösenden Micro-LEDs.

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2. Wärmeleitfähigkeit: 490 W/m·K​​

• Das Material leitet die von Hochleistungs-Micro-LEDs erzeugte Wärme schnell ab, wodurch eine Linsenverformung verhindert und die Lebensdauer des Geräts verlängert wird. Dies gewährleistet eine stabile Leistung auch in Hochtemperaturumgebungen, wie z. B. bei der Verwendung im Freien.

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3. Mohs-Härte: 9,5​​

• Mit außergewöhnlicher Kratzfestigkeit widersteht das Material dem täglichen Verschleiß. Dies reduziert den Wartungsaufwand und verlängert die Lebensdauer der Linse, was die langfristige Benutzerfreundlichkeit verbessert.

4. ​​Breitband-Halbleiter​​

• Seine Kompatibilität mit CMOS-Prozessen ermöglicht die Nanomaßstab-Lithographie und das Ätzen für die präzise Herstellung optischer Gitter. Dies erleichtert die Wafer-basierte Produktion fortschrittlicher optischer Komponenten wie diffraktive Wellenleiter und Mikroresonatoren.

HPSI SiC Wafer Hauptanwendungen​

HPSI SiC WaferSchlüsselparameter

Vergleich der Spezifikationen von 4-Zoll- und 6-Zoll-semiisolierenden SiC-Substraten​​
Parameter	Güteklasse	4-Zoll-Substrat	6-Zoll-Substrat
​​Durchmesser​​	Z-Grade / D-Grade	99,5 mm - 100,0 mm	149,5 mm - 150,0 mm
​​Polytyp​​	Z-Grade / D-Grade	4H	4H
​​Dicke​​	Z-Grade	500 μm ± 15 μm	500 μm ± 15 μm
	D-Grade	500 μm ± 25 μm	500 μm ± 25 μm
​​Wafer-Orientierung​​	Z-Grade / D-Grade	Auf Achse: <0001> ± 0,5°	Auf Achse: <0001> ± 0,5°
​​Mikroporen-Dichte​​	Z-Grade	≤ 1 cm²	≤ 1 cm²
	D-Grade	≤ 15 cm²	≤ 15 cm²
​​Spezifischer Widerstand​​	Z-Grade	≥ 1E10 Ω·cm	≥ 1E10 Ω·cm
	D-Grade	≥ 1E5 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm
​​Primäre Flachorientierung​​	Z-Grade / D-Grade	(10-10) ± 5,0°	(10-10) ± 5,0°
​​Primäre Flachlänge​​	Z-Grade / D-Grade	32,5 mm ± 2,0 mm	Notch
​​Sekundäre Flachlänge​​	Z-Grade / D-Grade	18,0 mm ± 2,0 mm	-
​​Kantenfreistellung​​	Z-Grade / D-Grade	3 mm	3 mm
​​LTV / TTV / Bow / Warp​​	Z-Grade	≤ 2,5 μm / ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 30 μm	≤ 2,5 μm / ≤ 6 μm / ≤ 25 μm / ≤ 35 μm
	D-Grade	≤ 10 μm / ≤ 15 μm / ≤ 25 μm / ≤ 40 μm	≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 40 μm / ≤ 80 μm
​​Rauheit​​	Z-Grade	Polieren Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm	Polieren Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm
	D-Grade	Polieren Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm	Polieren Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,5 nm
​​Kantensprünge​​	D-Grade	Kumulative Fläche ≤ 0,1%	Kumulative Länge ≤ 20 mm, einzeln ≤ 2 mm
​​Polytyp-Bereiche​​	D-Grade	Kumulative Fläche ≤ 0,3%	Kumulative Fläche ≤ 3%
​​Visuelle Kohlenstoffeinschlüsse​​	Z-Grade	Kumulative Fläche ≤ 0,05%	Kumulative Fläche ≤ 0,05%
	D-Grade	Kumulative Fläche ≤ 0,3%	Kumulative Fläche ≤ 3%
​​Oberflächenkratzer auf Silizium​​	D-Grade	5 erlaubt, jeweils ≤1mm	Kumulative Länge ≤ 1 x Durchmesser
​​Kantensplitter​​	Z-Grade	Nicht erlaubt (Breite und Tiefe ≥0,2 mm)	Nicht erlaubt (Breite und Tiefe ≥0,2 mm)
	D-Grade	7 erlaubt, jeweils ≤1mm	7 erlaubt, jeweils ≤1mm
​​Gewindeschraubenversetzung​​	Z-Grade	-	≤ 500 cm²
​​Verpackung​​	Z-Grade / D-Grade	Mehrfach-Wafer-Kassette oder Einzel-Wafer-Behälter	Mehrfach-Wafer-Kassette oder Einzel-Wafer-Behälter

 

 

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ZMSH Services​

 

 

ZMSH liefert als integrierte Fertigungs- und Handelsgesellschaft End-to-End-Lösungen für SiC-Produkte:

 

• ​​Vertikale Integration​​: Eigene Kristallzuchtöfen produzieren 4H-N-, 4H-HPSI-, 6H-P- und 3C-N-Wafer (2–12 Zoll) mit anpassbaren Parametern (z. B. Dotierungskonzentration, Biegefestigkeit).

• ​​Präzisionsbearbeitung​​:

1. ​​Wafer-Level-Schneiden​​: Lasertrennen und chemisch-mechanisches Polieren (CMP) erzielen eine Oberflächenrauheit von <0,3 nm.
2. ​​Kundenspezifische Formen​​: Produziert Prismen, quadratische Wafer und Wellenleiterarrays für die Integration von AR-Optikmodulen.

• ​​Kontaktieren Sie uns​​: Muster und technische Beratung verfügbar. Full-Service-Support von der Designvalidierung bis zur Massenproduktion.

 

 

 

 

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ZMSH's SiC-Produkte

 

 

SiC-Wafer 4H-Semi

 

 

1. 4" 4H-Semi High Purity SIC Wafer Prime Grade Halbleiter EPI Substrate AR Glasses Optical Grade

 

 

 

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SiC-Wafer 4H-N

 

 

2. 4Inch 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat Dia 100mm N-Typ Prime Grade Dummy Grade Dicke 350um Kundenspezifisch

 

 

 

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Andere Arten von SiC-Mustern

 

 

 

Q1: Warum ist HPSI SiC Wafer entscheidend für AR-Brillen?​​

A1: Der ​​hohe Brechungsindex (2,6–2,7)​​ und die ​​niedrige optische Absorption​​ von HPSI SiC Wafer eliminieren Regenbogeneffekte in AR-Displays und ermöglichen gleichzeitig ultradünne Wellenleiter (z. B. 0,55 mm Linsen von Meta Orion).

​​Q2: Wie unterscheidet sich HPSI SiC von herkömmlichem Glas in der AR-Optik?​​

A2: HPSI SiC bietet einen ​​2x höheren Brechungsindex​​ als Glas (~2,0), was ein breiteres FOV und Einzelschicht-Wellenleiter ermöglicht, sowie eine ​​Wärmeleitfähigkeit von 490 W/m·K​​ zur Bewältigung der Wärme von Micro-LEDs.

​​Q3: Ist HPSI SiC mit anderen Halbleitermaterialien kompatibel?​​

A3: Ja, es lässt sich in Hybridsystemen mit ​​GaN​​ und ​​Silizium​​ integrieren, aber seine ​​thermische Stabilität​​ und ​​dielektrischen Eigenschaften​​ machen es für Hochleistungs-AR-Optik überlegen.

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