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SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

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SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

Großes Bild : SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

Produktdetails:

Herkunftsort:	CHINA
Markenname:	zmsh
Zertifizierung:	ISO9001
Modellnummer:	Oblaten des Samens 6inch

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge:	3PCS
Preis:	by case
Verpackung Informationen:	durch kundengebundenen Fall
Lieferzeit:	30days innen
Zahlungsbedingungen:	T/T

Kontakt

Ausführliche Produkt-Beschreibung

Industrie:	Halbleitersubstrat	Materialien:	sic Kristall
Anwendung:	Samenoblaten	Art:	4H-N,
Farbe:	grün, blau, weiß	Hardeness:	9,0 oben
Grad:	Höchste Vollkommenheit/Produktion	Stärke:	153mm
Hervorheben:	SIC Crystal Silicon Carbide Wafer , 6" Silikon-Karbid-Oblate , 0.6mm Silikon-Karbid-Oblate

Produktion 6inch Haupt-Stärke SIC-Kristallsilikon-Karbidsamen Oblaten-0.6mm für sic Wachstum

6inch sic Substrate, sic Halbleitersubstrate 2inch 3inch 4inch 6inch 4h des sic Kristallblockes der barren des Barrens sic Kristallsic keine lackierte Oblate

wir können zur Verfügung stellen Oblate des einzelnen Kristalles der hohen Qualität sic (Silikon-Karbid) zur elektronischen und optoelektronischen Industrie. Sic ist Oblate ein Halbleitermaterial der nächsten Generation, mit einzigartigen elektrischen Eigenschaften und die ausgezeichneten thermischen Eigenschaften, verglichen mit Siliziumscheibe und GaAs-Oblate, sic Oblate ist für Gerätanwendung der hohen Temperatur und der hohen Leistung passender. Sic kann Oblate im Durchmesser 2 -6inch sic geliefert werden, 4H und 6H, N-artiges, der Stickstoff, der lackiert werden, und die halb-isolierende verfügbare Art. Treten Sie mit uns bitte für mehr Produktinformation in Verbindung.

Anwendung 1.material und advantagement

Anwendungen:

• GaN-Epitaxiegerät
• Optoelektronisches Gerät
• Hochfrequenzgerät
• Gerät der hohen Leistung
• Gerät der hohen Temperatur
• Lichtemittierende Dioden

• Niedrige Gitterfehlanpassung
• Hohe Wärmeleitfähigkeit
• Leistungsaufnahme der geringen Energie
• Ausgezeichnete vorübergehende Eigenschaften
• Hohe Bandlücke

SILIKON-KARBID-MATERIALEIGENSCHAFTEN
Polytype	Einzelner Kristall 4H	Einzelner Kristall 6H
Gitter-Parameter	a=3.076 Å	a=3.073 Å
Gitter-Parameter	c=10.053 Å	c=15.117 Å
Stapeln von Reihenfolge	ABCB	ABCACB
Bandlücke	eV 3,26	eV 3,03
Dichte	3,21 · 103 kg/m3	3,21 · 103 kg/m3
Therm. Expansions-Koeffizient	4-5×10-6/K	4-5×10-6/K
Brechungs-Index	keine = 2,719	keine = 2,707
Brechungs-Index	Ne = 2,777	Ne = 2,755
Dielektrizitätskonstante	9,6	9,66
Wärmeleitfähigkeit	490 W/mK	490 W/mK
Zusammenbruch-elektrisches Feld	2 – 4 · 108 V/m	2 – 4 · 108 V/m
Sättigungs-Driftgeschwindigkeit	2,0 · 105 m/s	2,0 · 105 m/s
Elektronenbeweglichkeit	800 cm2/V·S	400 cm2/V·S
Löcherbeweglichkeit	115 cm2/V·S	90 cm2/V·S
Mohs-Härte	~9

2. Materielles Größe describtion

3.productes

SIC Crystal Silicon Carbide Wafer 2

SIC Crystal Silicon Carbide Wafer 3

Q: Was ist Ihr MOQ und Lieferfrist?

: (1) für Inventar, ist das MOQ 3pcs. wenn 5-10pcs es in 10-30days besser ist

(2) für 6inch fertigte Produkte, das MOQ ist 10pcs oben in 30-50days besonders an

Q: Was ist die Weise des Verschiffens und der Kosten?

: (1) nehmen wir DHL, Fedex, EMS etc. an.

(2) ist es fein, wenn Sie Ihr eigenes Eilkonto haben, wenn nicht, wir Ihnen helfen könnten, sie zu versenden und zu befördern mit der tatsächlichen Regelung übereinstimmt.

Q: Wie man zahlt?

: T/T, 100%

Q: Haben Sie Standardprodukte?

: es gibt nicht 6inch unsere Standardprodukte auf Lager.

aber wie wie Stärke 2sp der Substrate 4inch 0.33mm haben Sie einiges auf Lager

Thanks~~~

Größe und Tag:

Ansprechpartner: Mr. Wang

Telefon: +8615801942596