6 Zoll Saphir Wafer DSP Durchmesser 150 mm Dicke 350 μm Für Stromelektronik

6 Zoll Saphir Wafer DSP Durchmesser 150 mm Dicke 350 μm Für Stromelektronik

Die 6-Zoll-Saphirwafer ist ein großformatiges optisches Substrat, das aus Einkristall-Aluminiumoxid (α-Al2O3) mit Edge-defined Film-fed Growth (EFG) oder Kyropoulos (KY) Methoden hergestellt wird.mit einem Durchmesser von 150 mm±0Als kritisches Substrat für Halbleiter der dritten6 Zentimeter große Saphirwaferkombiniert eine hohe optische Durchlässigkeit (> 85% im sichtbaren Spektrum), eine geringe Gitterunterstimmung (13% mit GaN) und eine außergewöhnliche mechanische Stabilität, wodurch es sich ideal für die Herstellung von LEDs mit hoher Helligkeit eignet,Mikro-LEDsDas großflächige Format verbessert die Effizienz der epitaxialen Produktion erheblich und senkt gleichzeitig die Kosten pro Chip.Antrieb für Fortschritte in der Optoelektronik und Halbleiterindustrie.

 

Wesentliche Merkmale

 

1.6 Zoll Saphir-Wafer vonüberlegene Kristallqualität:

· Dislokationsdichte <103 cm−2 mit Oberflächenrauheit Ra<0,3 nm (C-Ebene poliert), die den Anforderungen an die Flachheit auf atomarer Ebene für die GaN-Epitaxie entspricht.

· Genauigkeit der Kristallorientierung ±0,1° (verfügbar in C-, R- und A-Flächenorientierungen).

 

 

2.6 Zoll Saphir-Wafer vonOptische Leistung:

• 85% Durchlässigkeit im sichtbaren Spektrum (400-800 nm) und > 80% im UV-Bereich (250-400 nm), geeignet für UV-Photonen.

· Anpassbare doppelseitig polierte (DSP) oder gemusterte Saphirsubstrat (PSS) -Strukturen, um die Effizienz der LED-Lichtentnahme um > 30% zu erhöhen.

 

 

3.6 Zoll Saphir-Wafer vonthermische/mechanische Stabilität:

· Schmelzpunkt 2040°C mit entsprechender CTE (5,3×10−6/°C bis GaN), wodurch thermische Spannungsspaltungen während der Epitaxie minimiert werden.

• Plasmabeständig für MOCVD/PECVD-Ablagerungsverfahren.

 

 

4.6 Zoll Saphir-Wafer vonGroßflächenvorteil:

· 50% mehr nutzbare Chipfläche pro 6-Zoll-Wafer gegenüber 4-Zoll-Äquivalenten, was die Produktionskosten pro Stück erheblich senkt.

 

 

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Technische Parameter

 

 

 

 

Eigentum	6 Zoll.
Durchmesser	150 ± 0,1 mm
Stärke	350 ± 15 μm
	500 ± 15 um
	1000 ± 15 μm
Grobheit	Ra ≤ 0,2 nm
Warpgeschwindigkeit	≤ 15um
TTV	≤ 10um
Abkratzen/Gräben	20/10
Polnisch	DSP (doppelseitig poliert); SSP ((einseitig poliert)
Form	Rund, flach 16 mm;Länge 22 mm;Länge 30/32,5 mm;Länge 47,5 mm;
Grenzform	45°,C Form
Material	Saphirkristall, geschmolzener Quarz JGS1/JGS2; BF33, D263; EXG-Glas.
Anmerkungen	Alle oben genannten Spezifikationen können auf Anfrage angepasst werden

Hauptanwendungen

1. LED-Fertigung
6 Zoll SaphirwaferAls primäres Substrat für GaN-Epitaxie ermöglichen 6-Zoll-Saphirwafer eine leistungsstarke Produktion von LEDs mit hoher Helligkeit und Mini/Micro-LED-Display-Chips, die Ultra-HD-Displays der nächsten Generation unterstützen.

2- Power Electronics:
6 Zoll Saphirwafer istin GaN-on-Sapphire-HEMT-Geräten für 5G-Basisstationen und EV-Leistungsumrichter mit hoher Frequenz/hoher Leistung verwendet.

3.ODie folgenden Komponenten sind erforderlich:
Wenn sie präzise poliert werden,6 Zoll Saphirwaferdienen als Fenster für extreme Umgebungen (Raumfahrzeuge) oder als Strahlungsbeständige UV-Sensorsubstrate.

4.SHalbleitergeräte:
6 Zoll Saphirwaferals korrosionsbeständige, hochisolierte Trägerplatten (Widerstand > 1014 Ω·cm) für Ätzer-/Ionenimplantationssysteme verwendet.