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2' 4' InP Wafer Indium Phosphid Wafer Halbleiter Substrate 350um 650um

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2' 4' InP Wafer Indium Phosphid Wafer Halbleiter Substrate 350um 650um

2'' 4'' InP Wafer Indium Phosphide Wafer Semiconductor Substrates 350um 650um
2'' 4'' InP Wafer Indium Phosphide Wafer Semiconductor Substrates 350um 650um 2'' 4'' InP Wafer Indium Phosphide Wafer Semiconductor Substrates 350um 650um 2'' 4'' InP Wafer Indium Phosphide Wafer Semiconductor Substrates 350um 650um

Großes Bild :  2' 4' InP Wafer Indium Phosphid Wafer Halbleiter Substrate 350um 650um

Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: ZMSH
Zertifizierung: ROHS
Modellnummer: Indiumphosphatwafer
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 5 Stück
Preis: USD
Verpackung Informationen: kundengebundener Kasten
Lieferzeit: in 15 Tagen
Zahlungsbedingungen: T/T
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Material: Indiumphosphat Orientierung: 100+/-0,05 Grad
Durchmesser: 2inch 3inch 4inch Bogen: ≤10μm
Oberflächenende: Polstert Oberflächenrauigkeit: Ra < 0,2 nm
TTV: < 8um Stärke: 350um 500um 600um
Typ: Substrate
Hervorheben:

Substrate für Halbleiter mit Indiumphosphat

,

2′-Indiumphosphatwafer

,

4' InP Wafer

2' 4' InP Wafer Indium Phosphid Wafer Halbleiter Substrate 350um 650um

BeschreibungInP-Wafer:

InP-Chips (Indiumphosphid) sind ein häufig verwendetes Halbleitermaterial für die Herstellung leistungsstarker optoelektronischer Geräte wie Photodioden, Laser und photoelektrische Sensoren.

  • Kristallstruktur: InP-Chips haben eine kubische Kristallstruktur mit einer hoch geordneten Gitterstruktur.

  • Energielücke: InP-Chips haben eine kleine direkte Energielücke von etwa 1,35 eV, was ein Halbleitermaterial im sichtbaren Lichtbereich ist.

  • Brechungsindex: Der Brechungsindex einer InP-Wafer variiert mit der Wellenlänge des Lichts und beträgt im sichtbaren Bereich etwa 3,17.

  • Wärmeleitfähigkeit: InP hat eine hohe Wärmeleitfähigkeit von etwa 0,74 W/ ((cm·K).

  • Elektronenmobilität: InP-Chips haben eine hohe Elektronenmobilität von etwa 5000 cm^2/(V·s).

  • Chipgröße: InP-Chips werden in der Regel in runder Form geliefert und können einen Durchmesser von wenigen Millimetern bis zu mehreren Zoll haben.

  • Oberflächenmerkmale: Die Oberfläche des InP-Chips wird in der Regel speziell behandelt, um ihre Flachheit und Sauberkeit zu verbessern.

Merkmale derInP-Wafer:

Der InP-Chip (Indiumphosphat) wird im Bereich der optoelektronischen Geräte als Substratmaterial von Halbleitergeräten weit verbreitet.

  • Direktenergie-Lücke: InP-Chips haben eine kleine Direktenergie-Lücke (ca. 1,35 eV), so dass sie Lichtsignale im sichtbaren Bereich effizient absorbieren und emittieren können.

  • Hohe Elektronenmobilität: InP-Chips weisen eine hohe Elektronenmobilität (ca. 5000 cm^2/(V·s) auf, wodurch sie in schnellen elektronischen Geräten ausgezeichnete elektrische Eigenschaften aufweisen.

  • Starke photoelektrische Wirkung: InP-Chips haben eine starke photoelektrische Wirkung, wodurch sie in Geräten wie Photodetektoren und Photodioden eine hervorragende Leistung aufweisen.

  • Stabilität und Zuverlässigkeit: InP-Chips verfügen über eine gute thermische Stabilität und elektrische Eigenschaften, so dass sie in Umgebungen mit hoher Temperatur und hohem elektrischem Feld arbeiten können.

  • Umfangreiche Vorbereitungsverfahren: InP-Wafer können durch verschiedene Vorbereitungsverfahren wie metallorganische chemische Dampfdeposition (MOCVD) und molekulare Strahl-Epitaxie (MBE) angebaut werden.

Technische Parameter vonInP-Wafer:

Artikel Parameter UOM
Material InP
Leitungstyp/Dopant S-C-N/S
Zulassung Du Dummkopf.
Durchmesser 100.0+/-0.3 mm
Orientierung (100) +/- 0,5°
Lamellärzweibundeneinheit nützliche Einzelkristallfläche mit (100) Orientierung > 80%
Primäre flache Orientierung EJ ((0-1-1) mm
Primärflächige Länge 32.5+/-1
Sekundäre flache Ausrichtung EJ ((0-11)
Sekundäre flache Länge 18+/-1

AnwendungenInP-Wafer:

Der InP-Chip (Indiumphosphat) als Substratmaterial von Halbleitergeräten weist hervorragende photoelektrische und elektrische Eigenschaften auf.Im Folgenden sind einige der wichtigsten Anwendungsbereiche von InP-Chip-Substratmaterialien aufgeführt.:

  • Optische Kommunikation: Es kann zur Herstellung von Lichttransmittern (wie Laser) und Lichtempfängern (wie Photodioden) in Glasfaserkommunikationssystemen verwendet werden.

  • Optische Erkennung und Sensing: Auf InP-Chips basierende Photodetektoren können optische Signale effizient in elektrische Signale für die optische Kommunikation, optische Messung,Spektralanalyse und andere Anwendungen.

  • Lasertechnologie: INP-basierte Lasers werden in der optischen Kommunikation, optischen Speicherung, LiDAR, medizinischer Diagnose und Materialverarbeitung weit verbreitet.

  • Optoelektronische integrierte Schaltungen: InP-Chips können zur Herstellung optoelektronischer integrierter Schaltungen (OEics) verwendet werden.die Integration von optoelektronischen Geräten und elektronischen Geräten auf demselben Chip.

  • Solarzellen: InP-Chips haben eine hohe photoelektrische Umwandlungseffizienz, so dass sie zur Herstellung effizienter Solarzellen verwendet werden können.

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Häufige Fragen:

F1: Welcher Markenname ist derInP-Wafer?
A1: Die
Indiumphosphatwird von ZMSH hergestellt.

F2: Was ist der Durchmesser derIndiumphosphat?
A2: Der Durchmesser der
Indiumphosphatist 2'', 3'', 4''.

F3: Wo ist derIndiumphosphatVon wem?
A3: Die
Indiumphosphatist aus China.

F4: Ist dieIndiumphosphatROHS-zertifiziert?
A4: Ja, die
Indiumphosphatist ROHS-zertifiziert.

F5: Wie vieleIndiumphosphatKann ich Waffeln gleich kaufen?
A5: Die Mindestbestellmenge der
Indiumphosphatist 5 Stück.

Andere Erzeugnisse:

mit einer Breite von nicht mehr als 20 mm

2' 4' InP Wafer Indium Phosphid Wafer Halbleiter Substrate 350um 650um 1

Größe und Tag:

MgO-Substrat,

Gap-Oblate,

inp-Oblate

Kontaktdaten
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Ansprechpartner: Mr. Wang

Telefon: +8615801942596

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