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2' 4' InP Wafer Indium Phosphid Wafer Halbleiter Substrate 350um 650um
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2' 4' InP Wafer Indium Phosphid Wafer Halbleiter Substrate 350um 650um

Herkunftsort China
Markenname ZMSH
Zertifizierung ROHS
Modellnummer Indiumphosphatwafer
Produkt-Details
Material:
Indiumphosphat
Orientierung:
100+/-0,05 Grad
Durchmesser:
2inch 3inch 4inch
Bogen:
≤10μm
Oberflächenende:
Polstert
Oberflächenrauigkeit:
Ra < 0,2 nm
TTV:
< 8um
Stärke:
350um 500um 600um
Typ:
Substrate
Markieren: 

Substrate für Halbleiter mit Indiumphosphat

,

2′-Indiumphosphatwafer

,

4' InP Wafer

Produkt-Beschreibung

2' 4' InP Wafer Indium Phosphid Wafer Halbleiter Substrate 350um 650um

 

 

 

BeschreibungInP-Wafer:

 

InP-Chips (Indiumphosphid) sind ein häufig verwendetes Halbleitermaterial für die Herstellung leistungsstarker optoelektronischer Geräte wie Photodioden, Laser und photoelektrische Sensoren.

 

  • Kristallstruktur: InP-Chips haben eine kubische Kristallstruktur mit einer hoch geordneten Gitterstruktur.

 

  • Energielücke: InP-Chips haben eine kleine direkte Energielücke von etwa 1,35 eV, was ein Halbleitermaterial im sichtbaren Lichtbereich ist.

 

  • Brechungsindex: Der Brechungsindex einer InP-Wafer variiert mit der Wellenlänge des Lichts und beträgt im sichtbaren Bereich etwa 3,17.

 

  • Wärmeleitfähigkeit: InP hat eine hohe Wärmeleitfähigkeit von etwa 0,74 W/ ((cm·K).

 

  • Elektronenmobilität: InP-Chips haben eine hohe Elektronenmobilität von etwa 5000 cm^2/(V·s).

 

  • Chipgröße: InP-Chips werden in der Regel in runder Form geliefert und können einen Durchmesser von wenigen Millimetern bis zu mehreren Zoll haben.

 

  • Oberflächenmerkmale: Die Oberfläche des InP-Chips wird in der Regel speziell behandelt, um ihre Flachheit und Sauberkeit zu verbessern.

 

 

 

Merkmale derInP-Wafer:

 

Der InP-Chip (Indiumphosphat) wird im Bereich der optoelektronischen Geräte als Substratmaterial von Halbleitergeräten weit verbreitet.

 

  • Direktenergie-Lücke: InP-Chips haben eine kleine Direktenergie-Lücke (ca. 1,35 eV), so dass sie Lichtsignale im sichtbaren Bereich effizient absorbieren und emittieren können.

 

  • Hohe Elektronenmobilität: InP-Chips weisen eine hohe Elektronenmobilität (ca. 5000 cm^2/(V·s) auf, wodurch sie in schnellen elektronischen Geräten ausgezeichnete elektrische Eigenschaften aufweisen.

 

  • Starke photoelektrische Wirkung: InP-Chips haben eine starke photoelektrische Wirkung, wodurch sie in Geräten wie Photodetektoren und Photodioden eine hervorragende Leistung aufweisen.

 

  • Stabilität und Zuverlässigkeit: InP-Chips verfügen über eine gute thermische Stabilität und elektrische Eigenschaften, so dass sie in Umgebungen mit hoher Temperatur und hohem elektrischem Feld arbeiten können.

 

  • Umfangreiche Vorbereitungsverfahren: InP-Wafer können durch verschiedene Vorbereitungsverfahren wie metallorganische chemische Dampfdeposition (MOCVD) und molekulare Strahl-Epitaxie (MBE) angebaut werden.

 

 

 

Technische Parameter vonInP-Wafer:

 

 

Artikel Parameter UOM
Material InP  
Leitungstyp/Dopant S-C-N/S  
Zulassung Du Dummkopf.  
Durchmesser 100.0+/-0.3 mm
Orientierung (100) +/- 0,5°  
Lamellärzweibundeneinheit nützliche Einzelkristallfläche mit (100) Orientierung > 80%  
Primäre flache Orientierung EJ ((0-1-1) mm
Primärflächige Länge 32.5+/-1  
Sekundäre flache Ausrichtung EJ ((0-11)  
Sekundäre flache Länge 18+/-1  

 

 

 

AnwendungenInP-Wafer:

 

 

Der InP-Chip (Indiumphosphat) als Substratmaterial von Halbleitergeräten weist hervorragende photoelektrische und elektrische Eigenschaften auf.Im Folgenden sind einige der wichtigsten Anwendungsbereiche von InP-Chip-Substratmaterialien aufgeführt.:

 

  • Optische Kommunikation: Es kann zur Herstellung von Lichttransmittern (wie Laser) und Lichtempfängern (wie Photodioden) in Glasfaserkommunikationssystemen verwendet werden.

 

  • Optische Erkennung und Sensing: Auf InP-Chips basierende Photodetektoren können optische Signale effizient in elektrische Signale für die optische Kommunikation, optische Messung,Spektralanalyse und andere Anwendungen.

 

  • Lasertechnologie: INP-basierte Lasers werden in der optischen Kommunikation, optischen Speicherung, LiDAR, medizinischer Diagnose und Materialverarbeitung weit verbreitet.

 

  • Optoelektronische integrierte Schaltungen: InP-Chips können zur Herstellung optoelektronischer integrierter Schaltungen (OEics) verwendet werden.die Integration von optoelektronischen Geräten und elektronischen Geräten auf demselben Chip.

 

  • Solarzellen: InP-Chips haben eine hohe photoelektrische Umwandlungseffizienz, so dass sie zur Herstellung effizienter Solarzellen verwendet werden können.

 

 

 

2' 4' InP Wafer Indium Phosphid Wafer Halbleiter Substrate 350um 650um 0

 

 

 

 

Häufige Fragen:

 

F1: Welcher Markenname ist derInP-Wafer?
A1: Die
Indiumphosphatwird von ZMSH hergestellt.

 

F2: Was ist der Durchmesser derIndiumphosphat?
A2: Der Durchmesser der
Indiumphosphatist 2'', 3'', 4''.

 

F3: Wo ist derIndiumphosphatVon wem?
A3: Die
Indiumphosphatist aus China.

 

F4: Ist dieIndiumphosphatROHS-zertifiziert?
A4: Ja, die
Indiumphosphatist ROHS-zertifiziert.

 

F5: Wie vieleIndiumphosphatKann ich Waffeln gleich kaufen?
A5: Die Mindestbestellmenge der
Indiumphosphatist 5 Stück.

 

 

 

Andere Erzeugnisse:

 

mit einer Breite von nicht mehr als 20 mm

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