Zusammengestellte 4-Zoll- (100 mm) Siliziumwafer: 350 μm Dicke, <100> Orientierung, DSP/SSP, N-Typ/P-Typ Doping

Siliziumwafer sind dünne, flache Scheiben aus hoch gereinigtem Einzelkristallsilikon, die in der Halbleiterindustrie weit verbreitet sind.Diese Wafer dienen als grundlegendes Substrat für die Herstellung von integrierten Schaltungen und einer Vielzahl von elektronischen Geräten.

Silikonwafer haben in der Regel einen Durchmesser von 50 mm bis 300 mm, wobei die Dicke je nach Größe von 200 μm bis 775 μm variiert.Sie werden mit Hilfe der Czochralski- (CZ) oder Float-Zone (FZ) -Methoden hergestellt und poliert, um eine spiegelähnliche Oberfläche mit minimalem Rauheitsgrad zu erhaltenDoping mit Elementen wie Bor (für den P-Typ) oder Phosphor (für den N-Typ) verändert ihre elektrischen Eigenschaften.

Zu den wichtigsten Eigenschaften von Siliziumwafern gehören eine hohe Wärmeleitfähigkeit, ein geringer Wärmeausdehnungskoeffizient und eine hervorragende mechanische Festigkeit.Sie können auch epitaxiale Schichten oder dünne Siliziumdioxid-Schichten aufweisen, um elektrische Eigenschaften und Isolierung zu verbessernDiese Wafer werden in Reinräumen verarbeitet und gehandhabt, um ihre Reinheit zu gewährleisten, wodurch ein hoher Ertrag und eine hohe Zuverlässigkeit bei der Herstellung von Halbleitern gewährleistet werden.

Produktübersicht

Si-Wafer, auch als Siliziumsubstrate bezeichnet, sind in verschiedenen Kristallorientierungen (einschließlich <100>, <110> und <111>) und Standardgrößen von 1 bis 4 Zoll erhältlich.Diese monokristallinen Siliziumsubstrate werden mit hoher Reinheit hergestellt und können nach spezifischen Konstruktionsanforderungen angepasst werden.

Wesentliche Merkmale

• Hergestellt aus hochreinem monokristallinem Silizium (99,999%)
• Unterstützt benutzerdefinierte Designs und Grafiken
• Die Resistivität variiert je nach Dopingart
• Erhältlich in P-Typ (Bor-doped) oder N-Typ (Phosphor/Arsen-doped)
• Weit verbreitet in integrierten Schaltungen (ICs), Photovoltaik und MEMS-Geräten

Ausführliche Beschreibung

Siliziumwafer sind ultradünne, flache Scheiben, die aus hoch raffiniertem Einkristallsilikon hergestellt werden.Sie dienen als grundlegende Substrate in der Halbleiterherstellung zur Herstellung von integrierten Schaltungen und elektronischen KomponentenStandarddurchmesser reichen von 2 Zoll (50 mm) bis 12 Zoll (300 mm), wobei die Dicke zwischen 200 μm und 775 μm variiert.die Wafer werden mit einem präzisen Polieren ausgerichtet, um eine spiegelähnliche Oberfläche mit minimalem Rauheitsgrad zu erzielen. Doping mit Elementen wie Bor (P-Typ) oder Phosphor (N-Typ) ermöglicht maßgeschneiderte elektrische Eigenschaften.und robuste mechanische FestigkeitAlle Verarbeitungen erfolgen in kontrollierten Reinräumen, um Reinheit und Zuverlässigkeit sicherzustellen.

Technische Spezifikation

Proben der Si-Wafer

4-Zoll-Si-Wafer mit einem Durchmesser von 100 mm, einer Dicke von 350 μm, Orientierung <100>, DSP/SSP-Optionen und kundenspezifischen N- oder P-Typ-Varianten.

Wenn Sie andere Anforderungen haben, können Sie uns für die Anpassung kontaktieren.

Unsere Firma, ZMSH, ist spezialisiert auf Forschung, Produktion, Verarbeitung und Verkauf von Halbleiter-Substraten und optischen Kristallmaterialien.,Wir haben eine starke Fähigkeit zur Verarbeitung nicht-standardisierter Produkte.und entwerfen verschiedene neue Produkte nach Kundenbedarf. Nach dem Prinzip "kundenorientiert, qualitätsorientiert" streben wir danach, ein erstklassiges Hightech-Unternehmen auf dem Gebiet der optoelektronischen Materialien zu werden.

1. F: Was ist der Unterschied zwischen Si-Wafer des Typs P und N?
   A: P-Typen-Silizium-Wafer haben Löcher als Hauptladungsträger, während N-Typen-Wafer Elektronen haben.
2. F: Was sind die Hauptunterschiede zwischen Si-Wafer, SiO2-Wafer und SiC-Wafer?
   A: Silikon (Si) -Wafer sind reine Siliziumsubstrate, die hauptsächlich in Halbleitergeräten verwendet werden.Siliziumkarbid (SiC) -Wafer bestehen aus einer Verbindung aus Silizium und Kohlenstoff, die eine höhere Wärmeleitfähigkeit und Haltbarkeit bieten und somit für Hochleistungs- und Hochtemperaturanwendungen geeignet sind.