Produkt-Details
Herkunftsort: China
Markenname: ZMSH
Modellnummer: SI-OBLATE
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Lieferzeit: 4-6 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T
Material: |
Si Einzelkristall |
Größe: |
4 Zoll |
Stärke: |
350 um |
Kristallrichtung: |
< 100> |
Dichte: |
2,4 g/cm3 |
Dopingart: |
P- oder N-Typ |
Material: |
Si Einzelkristall |
Größe: |
4 Zoll |
Stärke: |
350 um |
Kristallrichtung: |
< 100> |
Dichte: |
2,4 g/cm3 |
Dopingart: |
P- oder N-Typ |
Si-Wafer, Si-Wafer, Si-Substrat, Si-Substrat, <100>, <110>, <111>, 1 Zoll Si-Wafer, 2 Zoll Si-Wafer, 3 Zoll Si-Wafer, 4 Zoll Si-Wafer, Si-monokristallines Substrat,mit einer Breite von nicht mehr als 20 mm
Charakter der Si-Wafer
- VerwendungSiliziummonokristallemit einer hohen Reinheit von 99,999%
- Unterstützung von maßgeschneiderten Modellen mit Design-Artwork
- der Widerstand ist je nach Dopingart sehr unterschiedlich
- kann entweder P-typ (mit Bor) oder N-typ (mit Phosphor oder Arsen) sein
- weit verbreitet in Hightech-Bereichen, wie z. B. ICs, Photovoltaik und MEMS-Geräte
Beschreibung der Si-Wafer
Siliziumwafer sind dünne, flache Scheiben aus hochreinigtem Einzelkristallsilizium und werden in der Halbleiterindustrie weit verbreitet.
Diese Wafer sind das Grundmaterial für die Herstellung von integrierten Schaltungen und einer Vielzahl von elektronischen Geräten.
Silikonwafer haben in der Regel einen Durchmesser von 50 mm bis 300 mm und variieren je nach Größe in ihrer Dicke zwischen 200 μm und 775 μm.
Silikonwafer werden mit Hilfe der Czochralski- oder Float-Zone-Methoden hergestellt und sorgfältig poliert, um eine Spiegeloberfläche mit minimaler Rauheit zu erhalten.Sie können mit Elementen wie Bor (P-Typ) oder Phosphor (N-Typ) doppiert werden, um ihre elektrischen Eigenschaften zu ändern.
Zu den wichtigsten Eigenschaften gehören hohe Wärmeleitfähigkeit, geringer Wärmeausdehnungskoeffizient und eine ausgezeichnete mechanische Festigkeit.
Wafer können auch epitaxiale Schichten oder dünne Siliziumdioxid-Schichten haben, um die elektrischen Eigenschaften und die Isolierung zu verbessern.
Sie werden in einer Reinraumumgebung verarbeitet und gehandhabt, um die Reinheit aufrechtzuerhalten und eine hohe Ausbeute und Zuverlässigkeit bei der Halbleiterherstellung zu gewährleisten.
Mehr über die Si-Wafer
| Wachstumsmethode | Czochralski(CZ), schwimmende Zone ((FZ) | ||
| Kristallstruktur | Kübel | ||
| Bandlücke | 1.12 eV | ||
| Dichte | 2.4 g/cm3 | ||
| Schmelzpunkt | 1420°C | ||
| Typ des Dopants | Nicht doppelt | mit einem Gehalt an Kohlenwasserstoffen von mehr als 0,5% | Phos- oder As-Doped |
| Leitungstyp | Inneres | P-Typ | N-Typ |
| Widerstand | > 1000 Ωcm | 0.001 ~ 100 Ωcm | 0.001 ~ 100 Ωcm |
| EPD | < 100 /cm2 | < 100/cm2 | < 100/cm2 |
| Sauerstoffgehalt | ≤1x1018 /cm3 | ||
| Kohlenstoffgehalt | ≤ 5x1016 /cm3 | ||
| Stärke | 150 mm, 200 mm, 350 mm, 500 mm oder andere | ||
| Polstern | mit einem Durchmesser von mehr als 50 cm3 | ||
| Kristallorientierung | <100>, <110>, <111> ±0,5o oder andere Abwinkelungen | ||
| Oberflächenrauheit | Ra≤5Å ((5μmx5μm) | ||
Proben der Si-Wafer
*Wenn Sie andere Anforderungen haben, wenden Sie sich bitte an uns, um eine anzupassen.
1F: Was ist der Unterschied zwischen Si-Wafer des Typs P und des Typs N?
A: P-Typen-Siliziumwafer haben Löcher als Hauptladungsträger, während N-Typen-Wafer Elektronen haben, mit minimalen Unterschieden in anderen physikalischen Eigenschaften wie Widerstandsfähigkeit.
2. F: Si-Wafer, SiO2-Wafer und SiC-Wafer, was sind die Hauptunterschiede zwischen ihnen?
A: Silizium (Si) -Wafer sind reine Siliziumsubstrate, die hauptsächlich in Halbleitergeräten verwendet werden.
SiO2-Wafer haben eine Siliziumdioxid-Schicht auf der Oberfläche, die oft als Isolationsschicht verwendet wird.
Siliziumkarbid (SiC) -Wafer bestehen aus einer Verbindung aus Silizium und Kohlenstoff und bieten eine höhere Wärmeleitfähigkeit und Langlebigkeit.mit einer Breite von mehr als 20 mm,.
