SiC-Kristall-Samenwaffen Dia 205 203 208 Produktionsgrad PVT/HTCVD-Wachstum

SiC-Kristall-Samenwaffen Dia 205 203 208 Produktionsgrad PVT/HTCVD-Wachstum

Siliconcarbide (SiC) Seed Crystal Wafers sind die Grundmaterialien für das Wachstum von SiC-Einkristallen und die Herstellung von Geräten, die durch Schneiden, Schleifen,und Polieren von hochreinen SiC-KristallenDiese Wafer weisen eine sehr hohe Wärmeleitfähigkeit (4,9 W/cm·K), eine außergewöhnliche Abbruchfeldstärke (2,4 MV/cm), einen breiten Bandbruch (3,2 eV) und eine chemische Trägheit auf.Sie werden für Anwendungen in extremen Umgebungen wie der Luft- und Raumfahrt kritisch.Sie dienen als "Samen" für das Kristallwachstum, ihre kristallographische Ausrichtung (z. B. 4H-SiC-Polytyp), Oberflächenflachheit,und Mikrorußdichte haben direkten Einfluss auf die Qualität der nachgelagerten Ingots und die Leistung des GerätsZMSH stellt 2 ′′12-Zoll-SiC-Samen-Kristallwafer mit Durchmessern von 153 mm, 155 mm, 203 mm, 205 mm und 208 mm zur Verfügung, die für Halbleiter-, erneuerbare Energien- und Industriezweige geeignet sind.

Haupteigenschaften von SiC-Samenwafer

1Physikalische und chemische Überlegenheit.
- Extreme Haltbarkeit: SiC-Kristallwaffen mit Sied-Kristallwaffen sind bei Temperaturen von über 1700°C und Strahlenexposition beständig und eignen sich hervorragend für Luft- und Raumfahrt- und Kernanwendungen.
- Elektrische Leistungsfähigkeit: Die hohe Elektronsättigungsgeschwindigkeit (2,7 × 107 cm/s) ermöglicht Hochfrequenzgeräte (z. B. 5G-HF-Verstärker).
- Defektkontrolle: Mikropipendichte < 1 cm­2 und minimale Polytypfehler sorgen für ein gleichmäßiges Ingotwachstum.

2. Fortgeschrittene Fertigungsprozesse
- Kristallwachstum:SiC Seed Crystal Wafers nutzen den physikalischen Dampftransport (PVT) oder die hochtemperature chemische Dampfdeposition (HTCVD), um Temperaturgradienten und den Transport von Vorläufern präzise zu steuern.
- Verarbeitungstechniken: Bei SiC Seed Crystal Wafers wird mit Hilfe von Mehrdrahtsägen, Diamantschleifen und Laserstealth-Schleifen eine Oberflächenrauheit von ≤ Rz0,1 μm und eine Dimensionsgenauigkeit von ±0,1 mm erreicht.

3. Flexible Spezifikationen
- Größenvielfalt: SiC Seed Crystal Wafers unterstützen 2 ′′12-Zoll-Wafer (153 ′′208 mm Durchmesser), die sich an Stromgeräte, HF-Module und Sensoranwendungen anpassen lassen.

Technische Spezifikationen für SiC-Samenwaffen

Hauptanwendungen vonSiC-Samenwafer

1Die Halbleiterindustrie.

· Stromgeräte: SiC-MOSFETs und Dioden für EV-Wechselrichter aktivieren, wodurch die Effizienz um 10­15% und das Volumen um 50% reduziert werden.
· HF-Geräte: SiC-Samen-Kristallwafer unterstützen 5G-Basisstation-PAs und LNAs für Millimeterwellenkommunikation.

2, Erneuerbare Energien und Industrie

· Solar/Speicher: Kritisch für hocheffiziente PV-Wechselrichter, die Verluste bei der Energieumwandlung minimieren.
• Industrieantriebe: Die hohe Temperaturverträglichkeit verringert die Kühlbedürfnisse bei Hochleistungsantrieben.

3Aufstrebende Technologien

· Luft­ und Raumfahrt: Die Strahlungsbeständigkeit sorgt für die Zuverlässigkeit der Raumfahrttechnik.
· Quantenrechner: Hochreine Wafer unterstützen niedrigtemperaturhalbleitende Quantenbits.

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Wettbewerbsvorteil von ZMSH bei SiC-Kristallwafern

1. Integrierte technische Fähigkeiten
Wachstumsbeherrschung: Beherrscht PVT- und HTCVD-Prozesse und erzielt eine 8-Zoll-Wafer-Kleinserienproduktion mit branchenführender Ausbeute.
Anpassung: Bietet Durchmesserflexibilität (153 ∼ 208 mm) und spezialisierte Verarbeitung (z. B. Gräben, Beschichtung).

2. Strategische Fahrplan
Technologieinnovation: Entwicklung der Flüssigphasen-Epitaxie (LPE) zur Verringerung von Defekten und Förderung der Massenproduktion von 12-Zoll-Wafern (Kostenreduzierung um 30% bis 2025).
Markterweiterung: Zusammenarbeit mit den Sektoren Elektrofahrzeuge und erneuerbare Energien, Integration von GaN-on-SiC-Heterostrukturen für Systeme der nächsten Generation.

SiC-Kristallwachstöfen PVT/HTCVD-Methode:

Der SiC-Kristallwachstums-Ofen PVT/HTCVD von ZMSH: