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eric_wang@zmsh-materials.com

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[semiconductor wafer ]

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574

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Saphir Wafer 4" Durchmesser 100mm±0,1mm Dicke 650um C-Fläche maßgeschneiderte Polierung

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4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 4H-SiCOI-Wafer Komposit SiC auf Isolatorsubstraten

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4H 6inch SiC Epitaxial Wafer 100μm/200μm/300μm für MOS-Geräte mit Ultraschallspannung (UHV)

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Oblaten des piezoelektrischen Kristall-LiTaO3 LiNbO3, schwarze LT And LN Oblate für Säge

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4 Zoll-Durchmesser 100 Millimeter-Lithium Tantalate-Wafers LiTaO3 LiNbO3 sechseckiger Crystal Structure

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Indium-Arsenmetall-Wafer InAs der Stärke-500um Zoll Durchmesser 50.8mm Kristallscheiben-2

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2 Zoll Saphir Substrat Wafer Hohe Reinheit Al2O3 99,999% DSP Durchmesser 50,8 mm

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Fe+ lackierte Tantalate-Oblaten LiTaO3 einzelner Crystal Materials Lithium 6INCH lINbO3

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Doppelte Seite polierte Kristallsubstrat-Chips Semicondutor-Oblaten-1sp 2sp 10X10mm GGG

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Y- Wafers 42°LiTaO3 LiNbO3 4 Zoll-Durchmesser 100 Millimeter mit Stärke 46mm

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300mm Gallium-Nitrid-Oblaten-GaN-AUF-Silikon für Energie Mikro-LED

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GaN-auf-Si-GaN-auf-SICs Epi 4Inch 6INCH Oblaten für Rf-Anwendung

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Silikonkarbid Wafer 4H P-Typ Null MPD Produktionsgrad Dummy Grade 4 Zoll 6 Zoll

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Si-Siliziumwafer 8 Zoll Durchmesser 200 mm <111>Dicke 700um P Typ N Typ Einfachpolieren Doppelpolieren

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12 Zoll 300 mm SiC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ Dummy Prime Forschungsgrad Mehrere Anwendungen

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2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

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4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll SICOI Wafer 4H-SiC auf Isolator 100 bis 150 mm SiC-Film AUF Silizium

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Gallium-Nitrid-Oblaten-GaN-AUF-SICs EPI 4inch 6inch Oblaten

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Oblaten LN LiTaO3 LiNbO3 LT Thin Films Wafers 42°Y

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12 Zoll C-aixs Al2O3 Saphir Wafer DSP Durchmesser 304,8 mm

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2 Zoll DSP einzelner Crystal Gallium Nitride Wafer Free, der GaN Substrates steht

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