4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 4H-SiCOI-Wafer Komposit SiC auf Isolatorsubstraten

4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 4H-SiCOI-Wafer Komposit SiC auf Isolatorsubstraten

SICOI (Silicon Carbide on Insulator) -Wafer stellen eine fortschrittliche Komposit-Substrattechnologie dar, die entweder durch Smart CutTM- oder Bonding & Thinning-Prozesse hergestellt wird. ZMSH supply 4-6 inch 4H-SICOI wafers by integrating high-quality SiC thin films with insulating layers (SiO₂/AlN) on silicon or SiC substrates via hydrophilic bonding or plasma-activated bonding techniques. Smart CutTM-Prozess: Verwendet Wasserstoff-Ionen-Implantation, Niedertemperaturbindung und Präzisionspeeling, um ultradünne SiC-Schichten (50nm-20μm) mit einer Dicken-Einheitlichkeit von ±20nm zu erzielen,Ideal für Hochfrequenz, geringe Verluste. Schleifen+CMP-Verfahren: Geeignet für dickere Filmbedürfnisse (200 nm bis zu kundenspezifischen Dicken) mit einer Einheitlichkeit von ±100 nm und bietet Kosteneffizienz für Leistungselektronik-Anwendungen. ZMSH bietet anpassbare leitfähige oder halbisolierende SiC-Folien,mit Optionen für die Optimierung der Ionenimplantationsglühen oder die direkte Ausdünnung/Polierung, um unterschiedliche Leistungs- und Kostenanforderungen zu erfüllen.

Schlüsselmerkmale derSiCOI-Wafer

Hauptanwendungen vonSiCOI-Wafer

1. Leistungselektronik

EV-Inverter: SiC-MOSFETs auf SICOI-Substraten arbeiten bei 1200 V mit 30% geringeren Schaltverlusten, kompatibel mit 800-Volt-Schnellladesystemen.

Industrielle Motorantriebe: SICOI-Wafer mit AlN-Anschlussschichten erhöhen die Wärmeabgabe um 50% und unterstützen > 10 kW-Modulverpackungen.

2. HF- und 5G-Kommunikation

mmWave-Leistungsverstärker: GaN-HEMT auf halbisolierenden SICOI erreichen eine Leistung von 8 W/mm bei 28 GHz mit einer Effizienz von > 65%.

Phased Array Antennen: Niedriger dielektrischer Verlust (tanδ<0,001) minimiert die Signaldämpfung für Satellitenkommunikation.

3. Quantencomputing und Sensing

Spin-Qubit-Träger: Ultrathin SiC-Filme (<100 nm) bieten geräuscharme Umgebungen und verlängern die Kohärenzzeiten über 1 ms hinaus.

High-Temp MEMS-Sensoren: Stabiler Betrieb bei 300 °C für die Überwachung von Luftfahrtmotoren.

4. Verbraucherelektronik

Schnelllade-ICs: SICOI-basierte GaN-Geräte ermöglichen ein >200W-Ladevorgang mit einem um 40% geringeren Aufwand.

1. F: Was ist SICOI Wafer?
A: SICOI (Silicon Carbide on Insulator) -Wafer ist ein fortschrittliches Verbundwerkstoffsubstrat, das einen Einzelkristall 4H-SiC-Film mit einer SiO2-Isolierschicht auf Silizium-/Saphirbasis integriert.die Hochleistungs- und HF-Geräte mit überlegener thermischer/elektrischer Leistung ermöglichen.

2F: Wie verhält sich SICOI im Vergleich zu SOI?
A: SICOI bietet eine 5-mal höhere Wärmeleitfähigkeit (> 300 W/m·K) und eine 3-mal höhere Abbruchspannung (> 8 MV/cm) als SOI, was es ideal für Leistungselektronik von 800 V+ und 5G mmWave-Anwendungen macht.

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