4 Zoll Saphir Wafer DSP Durchmesser 100 mm Dicke 500μm Ra ≤ 0.2nm Für Mikro-LED
DieEin 4-Zoll-Saphir-Waferis a high-quality optical-grade substrate fabricated from single-crystal aluminum oxide (α-Al2O3) via Edge-defined Film-fed Growth (EFG) or Kyropoulos (KY) Methoden,mit Standard-Dimensionen von 100mm±0.2mm Durchmesser und anpassbare Dicke (0.3-1.0mm).Ein 4-Zoll-Saphir-WaferOffers greater cost efficiency for R&D and small-batch production, particularly suited for applications requiring high crystalline quality but not large-area formats, such as UV LEDs, RF devices,und spezialisierte SensorenSeine ausgewogene Leistung und Erschwinglichkeit machen es ideal für Forschungseinrichtungen, Startups und kleine bis mittlere Chiphersteller.
Wesentliche Merkmale
1. 4inch Sapphire Wafer of High Purity: 99,999% pure mit überlegenem Oberflächen-Finish und Flachheit, die strengen Anwendungsanforderungen erfüllen.
2. 4inch Sapphire wafer of exceptional Mechanical Properties: Hohe Härte, Stärke und Einschlagfestigkeit, geeignet für hohe Temperatur Wachstumsumgebungen und mechanische Verarbeitung.
3. 4inch sapphire wafer of outstanding Optical Performance: High transmittance (>85%) with broad-band transparency (UV to mid-IR), ideal for diverse optische Anwendungen.
4. 4inch Sapphire wafer of strong Chemical Stability: Korrosion-resistent und abnutzungsbeständig, was eine langfristige Leistung in harten Umgebungen gewährleistet.
5. 4inch Sapphire wafer of excellent Electrical Insulation: Superior insulating properties make it an ideal substrate for large-scale integrated circuits (ICs) and SOI thin-film fabrication. Die Oberfläche von 4 Zoll Sapphire wafer ist sehr gut ausgestattet.
Technische Parameter
| Eigentum |
4 Zoll |
| Durchmesser |
100 ± 0,1 mm
|
| Stärke |
200 ± 15 um
|
|
500 ± 15 um
|
|
650 ± 15 um
|
| Grobheit |
Ra ≤ 0,2 nm
|
| Warpgeschwindigkeit |
≤ 10um
|
| TTV |
≤ 10um
|
| Abkratzen/Gräben |
20/10
|
| Polnisch |
DSP (doppelseitig poliert); SSP ((einseitig poliert) |
| Form |
Rund, flach 16 mm;Länge 22 mm;Länge 30/32,5 mm;Länge 47,5 mm; |
| Grenzform |
45°,C Form |
| Material |
Saphirkristall, geschmolzener Quarz JGS1/JGS2; BF33, D263; EXG-Glas. |
| Anmerkungen |
Alle oben genannten Spezifikationen können auf Anfrage angepasst werden |
Hauptanwendungen
1.4inch Sapphire Wafer von LED Industrie: Verwendet als Substrat für LED-Chips (blaue/grüne LEDs), die Anforderungen in Licht- und Displaytechnologien erfüllen.
2.4inch Sapphire Wafer von Semiconductor Fertigung: Essential for GaN/AlGaN LEDs and power devices, serving as an optimal substrate for SOCs and superconducting thin-film structures (Essentiell für GaN/AlGaN-LEDs und Stromgeräte, die als optimaler Substrat für SOCs und supraleitende Dünnfilmstrukturen dienen).
3.4inch Sapphire Wafer von Optical Components: Applied in optische Fenster, Laser-Elemente, und thermoluminescent Detektoren aufgrund der hohen Übertragbarkeit und Stabilität.
4.4inch Sapphire Wafer von medical Devices: Verwendet in medizinischen optischen Linsen für High-End-Equipment, mit seiner hohen Temperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit und Präzision.
5.4inch Sapphire Wafer von Forschung & Industrie Nutzung: Kritisch für wissenschaftliche Experimente und industrielle Komponenten (z.B. Cutting/Polishing Wafers).
Ihre Nachricht muss zwischen 20 und 3.000 Zeichen enthalten!
