Produkt-Details
Herkunftsort: CHINA
Markenname: zmsh
Zertifizierung: ROHS
Modellnummer: Oblate 6INCH GaAs
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Min Bestellmenge: 10pcs
Preis: by case
Verpackung Informationen: HAUSTIER-Film im Reinigungsraum mit 100 Graden
Lieferzeit: 1-4weeks
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 500PCS/Month
Material: |
Monokristall GaAs |
Industrie: |
semicondutor Oblate für ld oder geführt |
Anwendung: |
Halbleitersubstrat, führte Chip, optisches Glasfenster, Gerätsubstrate |
Methode: |
CZ |
Größe: |
2inch~6inch |
Stärke: |
0.425mm |
Oberfläche: |
cmp/geätzt |
gedopt: |
Si-lackiert |
MOQ: |
10pcs |
Grad: |
Forschungsgrad/blinder Grad |
Material: |
Monokristall GaAs |
Industrie: |
semicondutor Oblate für ld oder geführt |
Anwendung: |
Halbleitersubstrat, führte Chip, optisches Glasfenster, Gerätsubstrate |
Methode: |
CZ |
Größe: |
2inch~6inch |
Stärke: |
0.425mm |
Oberfläche: |
cmp/geätzt |
gedopt: |
Si-lackiert |
MOQ: |
10pcs |
Grad: |
Forschungsgrad/blinder Grad |
Dopant GaAs-Oblaten-Galliumarsenid-Substrat-doppelte Seite des Si-2Inch poliert für LED-Anwendung
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GaAs-Oblate
Galliumarsenid ist ein Mittel, das aus metallischem Gallium und halb-metallischem Arsen in Atomverhältnis 1 besteht: 1. Es hat einen grauen metallischen Glanz und seine Kristallstruktur ist Sphaleritart. Galliumarsenid war bereits 1926 synthetisiert worden. Seine Halbleitereigenschaften wurden im Jahre 1952 bestätigt. Die Geräte machten von den Galliumarsenidmaterialien haben guten Frequenzgang, hohe Geschwindigkeit und hohe Betriebstemperatur, die den Bedarf der integrierten Optoelektronik erfüllen können. Es ist z.Z. das wichtigste optoelektronische Material, aber auch das wichtigste Mikroelektronische Material nach Silikonmaterial, ist es für die Fertigung von Hochfrequenz-, Hochgeschwindigkeitsgeräten und von Stromkreisen passend.
| Art/Dopant 导电类型/掺杂元素 | Halb-isoliert | P-Type/Zn | N-Type/Si | N-Type/Si |
| Anwendung 应用 | Mikro-Eletronic | LED | Laserdiode | |
| Wachstums-Methode 长晶方式 | VGF | |||
| Durchmesser 直径 | 2", 3", 4", 6" | |||
| Orientierung 晶向 | (100) ±0.5° | |||
| Stärke 厚度 (µm) | 350-625um±25um | |||
| OF-/IF参考边 | US EJ oder Kerbe | |||
| Ladungsträgerdichte 载流子浓度 | - | (0.5-5) *1019 | (0.4-4) *1018 | (0.4-0.25) *1018 |
| Widerstandskraft 电阻率 (Ohmcm) | >107 | (1.2-9.9) *10-3 | (1.2-9.9) *10-3 | (1.2-9.9) *10-3 |
| Mobilität 电子迁移率 (cm2/V.S.) | >4000 | 50-120 | >1000 | >1500 |
| Ätzungs-Neigungs-Dichte 位错密度 (/cm2) | <5000> | <5000> | <5000> | <500> |
| TTV-平整度 [P/P] (µm) | <5> | |||
| TTV-平整度 [P/E] (µm) | <10> | |||
| Verzerrung 翘曲度 (µm) | <10> | |||
| Fertiges Oberflächen表面加工 | P/P, P/E, E/E | |||
ÜBER UNSER ZMKJ
Q: Was ist das MOQ?
(1) für Inventar, ist das MOQ 5pcs.
(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 10pcs-30pcs.
Q: Haben Sie Abnahmeprüfprotokoll für Material?
Wir können Detailbericht für unsere Produkte liefern.
