Dopant GaAs-Oblaten-Galliumarsenid-Substrat-doppelte Seite des Si-2Inch poliert für LED-Anwendung
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GaAs-Oblate
Galliumarsenid ist ein Mittel, das aus metallischem Gallium und halb-metallischem Arsen in Atomverhältnis 1 besteht: 1. Es hat einen grauen metallischen Glanz und seine Kristallstruktur ist Sphaleritart. Galliumarsenid war bereits 1926 synthetisiert worden. Seine Halbleitereigenschaften wurden im Jahre 1952 bestätigt. Die Geräte machten von den Galliumarsenidmaterialien haben guten Frequenzgang, hohe Geschwindigkeit und hohe Betriebstemperatur, die den Bedarf der integrierten Optoelektronik erfüllen können. Es ist z.Z. das wichtigste optoelektronische Material, aber auch das wichtigste Mikroelektronische Material nach Silikonmaterial, ist es für die Fertigung von Hochfrequenz-, Hochgeschwindigkeitsgeräten und von Stromkreisen passend.
Anwendung
Auf dem Gebiet von Mikroelektronik, haben Hochgeschwindigkeitsdigitalschaltungen des Galliumarsenids, monolithische Stromkreise der Mikrowelle, photoelektrische integrierte Schaltungen und die starken Feldeffekttransistoren, die durch direkte selbst-zuteilende flache Technologie der Ionenimplantation auf halb-Isoliergalliumarsenid als Matrix entwickelt werden, die Eigenschaften der schnellen Geschwindigkeit, der Hochfrequenz, der Leistungsaufnahme der geringen Energie und des Strahlungswiderstands, die nicht nur von der hohen Bedeutung in der Nationalverteidigung sind. Sie ist im Zivil- und nationalen wirtschaftlichen Bau weitverbreiteter. Auf dem Gebiet von Kommunikationen, werden halb-Isoliergalliumarsenidmaterialien hauptsächlich in den Hochfrequenzdatenendeinrichtungen benutzt, in den letzten Jahren gefahren durch den drahtlosen Kommunikationshöflichmarkt, besonders der Handymarkt, der Marktumfang von halb-Isoliergalliumarsenidmaterialien wächst auch schnell.
Spezifikationsdetail
| Art/Dopant 导电类型/掺杂元素 |
Halb-isoliert |
P-Type/Zn |
N-Type/Si |
N-Type/Si |
| Anwendung 应用 |
Mikro-Eletronic |
LED |
Laserdiode |
| Wachstums-Methode 长晶方式 |
VGF |
| Durchmesser 直径 |
2", 3", 4", 6" |
| Orientierung 晶向 |
(100) ±0.5° |
| Stärke 厚度 (µm) |
350-625um±25um |
| OF-/IF参考边 |
US EJ oder Kerbe |
| Ladungsträgerdichte 载流子浓度 |
- |
(0.5-5) *1019 |
(0.4-4) *1018 |
(0.4-0.25) *1018 |
| Widerstandskraft 电阻率 (Ohmcm) |
>107 |
(1.2-9.9) *10-3 |
(1.2-9.9) *10-3 |
(1.2-9.9) *10-3 |
| Mobilität 电子迁移率 (cm2/V.S.) |
>4000 |
50-120 |
>1000 |
>1500 |
| Ätzungs-Neigungs-Dichte 位错密度 (/cm2) |
<5000> | <5000> | <5000> | <500> |
| TTV-平整度 [P/P] (µm) |
<5> |
| TTV-平整度 [P/E] (µm) |
<10> |
| Verzerrung 翘曲度 (µm) |
<10> |
| Fertiges Oberflächen表面加工 |
P/P, P/E, E/E |
ÜBER UNSER ZMKJ
ZMKJ findet in der Stadt von Shanghai, das die beste Stadt von China ist, und unsere Fabrik wird gegründet
in Wuxi-Stadt im Jahre 2014. Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, Substrate zu verarbeiten
und custiomized optisches Glas-parts.components, das in der Elektronik, Optik weitverbreitet ist,
Optoelektronik und viele anderen Felder. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet
und Überseeuniversitäten, Forschungsinstitutionen und Firmen, liefern kundengebundene Produkte
und Services für ihre R&D-Projekte.
Es ist unsere Vision zum Beibehalten eines guten Verhältnisses von Zusammenarbeit mit unseren allen Kunden durch unser
gute reputatiaons. so können wir einige andere Materialsubstrate als Gleiches auch zur Verfügung stellen:
Verpacken – Logistcs
Worldhawk-Interessen führt je vom Paket, die Reinigung einzeln auf, antistatisch, Schocktherapie.
Entsprechend der Quantität und der Form des Produktes, nehmen wir einen anderen Verpackenprozeß!
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