2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll SiC Epitaxial Wafers 4H-N Produktionsgrad
Firmenprofil:
Als führender Anbieter von SiC (Silicon Carbide) -Epitaxialwafer spezialisiert sich ZMSH auf die Produktion, Verarbeitung,und weltweiter Vertrieb von hochwertigen leitfähigen 4H-N- und MOS-Epitaxialwafern in 2-Zoll- (50.8mm), 3-Zoll (76,2mm), 4-Zoll (100mm) und 6-Zoll (150mm) Durchmesser, mit Fähigkeiten, die sich für zukünftige Anforderungen der Industrie auf bis zu 12-Zoll (300mm) erstrecken.
Unser Produktportfolio umfasst:
·4H-N-Typ und 6H-N-Typ leitfähige SiC-Substrate (für Kraftgeräte)
·Hochreine Halbisolierende (HPSI) und SEMI-Standardwafer (für HF-Anwendungen)
·SiC-Wafer des Typs 4H/6H-P und des Typs 3C-N (für spezielle Halbleiteranforderungen)
·Spezielle Doping-, Dicke- und Oberflächenveredelungen (CMP, epi-ready usw.)
Mit fortschrittlicher CVD-Epitaxial-Wachstumstechnologie, strenger Qualitätskontrolle (ISO 9001) und vollständigen internen Verarbeitungskapazitäten, bedienen wir Automobil, Leistungselektronik, 5G,und Luft- und Raumfahrtindustrie weltweit.
Schlüsselparameter (2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll 4H-N-Epi-Wafer)
| Parameter |
Spezifikationen |
| Kristallstruktur |
4H-SiC (N-Typ) |
| Durchmesser |
2 / 3 / 4 / 6 |
| Epi-Dicke |
5-50 μm (nach Maßgabe) |
| Dopingkonzentration |
1e15~1e19 cm−3 |
| Widerstand |
00,01 ‰ 100 Ω·cm |
| Oberflächenrauheit |
< 0,2 nm (Ra) |
| Ausrutschdichte |
< 1 × 103 cm−2 |
| TTV (Gesamtdickenvariation) |
< 5 μm |
| Warpage |
< 30 μm |
(Alle Spezifikationen können angepasst werden
Haupteigenschaften von 4H-N SiC-Epitaxialwafern
1. Überlegene elektrische Leistung
- SiC-Epitaxialwafer mit breitem Bandbreitengrenz (3.2 eV) und hoher Abbruchspannung (> 2 MV/cm) für Hochleistungsgeräte
- SiC-Epitaxialwafer mit niedrigem Widerstand (Rauf) für eine effiziente Energieumwandlung
2. hervorragende thermische Eigenschaften
- SiC-Epitaxialwafer mit hoher Wärmeleitfähigkeit (4,9 W/cm·K) für eine bessere Wärmeableitung
- SiC-Epitaxialwafer stabil bis zu 600°C+, ideal für raue Umgebungen
3. Hochwertige Epitaxialschicht
- SiC-Epitaxialwafer mit geringer Defektdichte (< 1 × 103 cm−2) für eine zuverlässige Leistung des Geräts
- Einheitliche Dicke (± 2%) und Dopingkontrolle (± 5%) für die Konsistenz
4. Mehrere Wafer-Klassen verfügbar
- Leitungsklasse (für Dioden, MOSFETs)
- MOSFET-Klasse (ultra-niedrige Defekte für Hochleistungstransistoren)- Ich weiß.
- Ich weiß.
Primäre Anwendungenaus 4H-N SiC emit einer Dicke von nicht mehr als 0,05 mm
1. Elektrofahrzeuge (EV) und schnelles Laden
- SiC-MOSFETs und Schottky-Dioden für Wechselrichter und OBCs (höherer Wirkungsgrad als Si)
2. Erneuerbare Energien und industrielle Energie
- Solarumrichter, Windkraftanlagen und intelligente Netze (niedrigerer Energieverlust)
3. 5G- und HF-Kommunikation
- Geräte mit GaN-on-SiC-HF für 5G-Basisstationen (Hochfrequenzbetrieb)
4Luft- und Raumfahrt und Verteidigung
- SiC-Epitaxialwafer können für Radar-, Satellitenkommunikations- und Hochspannungssysteme verwendet werden (extreme Umweltstabilität)
5. Verbraucher- und Industrieelektronik
- SiC-Epitaxialwafer können für hocheffiziente PSU, Motorantriebe und UPS-Systeme verwendet werden
ZMSH-Dienstleistungen4H-N SiC emit einer Dicke von nicht mehr als 0,05 mm
1. Fertigung und Anpassung für den gesamten Zyklus
· Produktion von SiC-Substraten (2" bis 12")
· Epitaxialer Wachstum (CVD) mit kontrollierter Doping (N/P-Typ)
· Waferverarbeitung (Lapieren, Polieren, Lasermarkieren, Scheiben)
2. Prüfung und Zertifizierung
· XRD (Kristallinität), AFM (Oberflächenrauheit), Hall-Effekt (Trägermobilität)
· Fehlerkontrolle (Dichte der Örtung, Mikrrohre < 1/cm2)
3Unterstützung der globalen Lieferkette
· Schnelle Prototypenfertigung und Erfüllung von Großaufträgen
· Technische Beratung bei der Entwicklung von SiC-Geräten
Warum wählen Sie uns?
✔ Vertikale Integration (Substrat → Epitaxie → Fertigwafer)
✔ Hohe Erträge und wettbewerbsfähige Preise
✔ Forschung und Entwicklung für SiC-Geräte der nächsten Generation
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