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Guter Preis 12 Zoll 300 mm SiC Siliziumkarbid Wafer 4H-N Typ Dummy Prime Forschungsgrad Mehrere Anwendungen Online
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SiC-Samenwafer 4H N Typ Dia 153 155 2 Zoll-12 Zoll für die Herstellung von MOSFETs

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8 Zoll Quarz-Wafer Durchmesser 200mm TTV ≤10μm Ra ≤1.0 Nm Für Hochpräzisionssensoren

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2 Zoll Quarz Glas Wafer DSP SSP Durchmesser 50,8 mm

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Hochpräzision SIC Siliziumkarbid Keramik Chuck Keramik Element Vakuumsupper Anpassung

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2' 4' InP Wafer Indium Phosphid Wafer Halbleiter Substrate 350um 650um

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Monokristalline Silizium-Doppelstation-Quadratmaschine 6/8/12 Zoll Burr ≤0,5 mm hohe Präzision ±0,05 mm

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2 Zoll N-Typ 6H Polytyp Siliziumkarbid Substrat Optoelektronik Galliumnitrid Wachstum

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4 Zoll Siliziumkarbid-Wafer vom Typ N mit mehreren Dickenoptionen für EV-Antriebsstränge und Hochleistungs-Motorantriebe

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HPSI SiC Wafer 2-12 Zoll optischer Grad für AI/AR-Brille

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Silikonkarbidwafer 4 Zoll Durchmesser x 350um 4H-N Typ P/R/D-Grad MOSEFTs/SBD/JBS

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6-Zoll Siliziumkarbid-Ingot mit hoher Durchbruchfeldstärke, thermischer Leitfähigkeit und großer Bandlücke für die Leistungselektronik

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12 Zoll Durchmesser 300 mm SIC Substrat Epitaxial Polierte Wafer Siliziumkarbid Ingot Prime Grade 4H-N Typ Leitung Solar Photovoltaik

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